RED Equipment旗下子公司RED Micro Wire （RMW）日前宣布推出帶玻璃絕緣性能的新型高品質(zhì)銅線，可用于半導體線焊。通過在微細線生產(chǎn)中采用突破性技術，這種焊線就可以像傳統(tǒng)的銅焊線
2012-03-29 08:56:11
1584 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151204 你是否在最需要手機的時候被它降到20%的電量搞得幾欲抓狂呢？據(jù)報道，目前最先進的十大突破性技術能使你的手機電池性能在不遠的將來得到前所未有的提升。下面就讓我們一起了解一下。
2014-05-09 10:56:503423 集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經(jīng)理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構的技術優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075376 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:292569 采購。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱，蘋果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國國內(nèi)市場銷售的產(chǎn)品。 蘋果與長江存儲科技皆未立即回應置評請求。 長江存儲32層3D NAND Flash獲得了突破性進展 2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月
2018-02-16 17:44:085459 3月25日，科技之巔·麻省理工科技評論全球十大突破性技術峰會在北京召開，該峰會是全球最為著名的技術榜單之一，峰會圍繞十大突破性技術在中國落地性最強，并對目前最受關注的領域進行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
control芯片透過復雜的算法來防止和糾正這么干擾帶來的錯誤,最后拖累了資料的傳輸速度。透過3D堆疊技術，單位儲存空間變大，電荷間的電場干擾降低，大幅提升了產(chǎn)品的可靠性，也因資料錯誤降低，不僅提升了資料
2020-11-19 09:09:58
Flash的接口控制設計由于NAND Flash只有8個I/O引腳,而且是復用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設計命令鎖存使能(Command Latch Enable，CLE)和地址鎖存使能
2020-11-05 09:18:33
來自斯坦福大學的一支科研團隊近日宣布在電池領域獲得突破性進展，在提升鋰電池性能同時降低體積和重量。近年來對電池性能的改善逐漸使用硅陽極，相比較目前常用的石墨更高效。但在充電過程中硅粒子同樣會出現(xiàn)膨脹
2016-02-15 11:49:02
印刷電路板設計解決方案供貨商明導國際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線技術，這種業(yè)界首創(chuàng)的拓樸布線(topology router)技術，能把工程師知識、電路板設計人
2018-08-31 11:53:50
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應用實例？AD7981是如何在極端溫度下實現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
`ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）作為車輛智能化的初級階段產(chǎn)品，近年來ADAS系統(tǒng)的汽車滲透率提升速度迅猛。據(jù)智研咨詢發(fā)布的報告稱，2020年中國ADAS市場規(guī)模有望突破2000億大關，前裝市場滲透率將
2017-02-21 18:09:25
什么是BAW技術？BAW諧振器技術的優(yōu)勢TI 突破性BAW技術芯片無外置石英晶振的無線MCU——CC2652RB網(wǎng)絡同步器時鐘——LMK05318
2021-01-25 06:59:25
的壓縮機性能有個飛躍性的提高非常的困難！”行業(yè)人士應該都有所了解，其實，在獨立壓縮技術誕生之前，雖有噴氣增焓、兩級壓縮技術等高能效技術，但這些技術也往往存在不足。噴氣增焓技術能極大幅度提升空調(diào)低溫制熱
2016-11-22 15:18:25
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
來源：國家自然科學基金委員會MIT Technology Review2020年“十大突破性技術”解讀［編者按］ 2020年2月26日，MIT Technology Review一年...
2021-07-26 08:09:34
(Trinary Level Cell)。SLC為1bit/cell，即1個儲存單元存放1bit數(shù)據(jù)，其特點是成本高、容量小、速度快、壽命長(約10萬次擦寫)。MLC為2bit/cell，即1個儲存單元存放
2015-07-26 11:33:25
，在本次峰會上介紹了其突破性的技術-Xtacking，長江存儲CEO楊士寧先生表示，長江存儲創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長江存儲3D技術從9層開始，到32層，再到64層試片
2018-09-20 17:57:05
技術與良率瓶頸，2018年3DNAND良率提升速度并不如預期順利，因而導致次級品在外流通銷售，進而干擾市場價格，對應至終端應用，消費型SSD市場首當其沖。 巨頭為曾經(jīng)的美好還債苦日子還沒到頭，預計今年
2021-07-13 06:38:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 編輯
IC芯核隨工藝尺寸的不斷縮小正迅速縮減，唯一的例外就是芯片的I/O，0.5umCMOS工藝技術以后I/O尺寸基本上維持不變
2012-12-11 13:39:47
伴隨無線技術的快速演進，智能手機的網(wǎng)絡傳輸性能將有望大幅提升。據(jù)悉，支持2×2 MIMO（多重輸入多重輸出）天線的802.11ac手機芯片，以及4×4 LTE MIMO天線解決方案已經(jīng)推出，突破以往手機采用1×1 MIMO天線的效能限制，可減輕系統(tǒng)功耗和信號干擾問題。
2019-06-13 07:09:07
針對無人機突破性的電池管理：2S1P電池管理系統(tǒng)（BMS）參考設計將無人機電池組轉(zhuǎn)換為智能診斷黑匣子記錄儀。這款智能診斷黑匣子記錄儀可精確監(jiān)視剩余電量，并在整個電池使用期全程保護鋰離子電池。設計人
2018-06-26 09:42:10
/DPO4000B系列示波器，配以突破性的TPP系列無源探頭，帶寬倍增，負荷減半，完美融合高性能和簡便性，使您的設計工作事半功倍！`
2010-12-08 12:38:38
NAND FLASH存儲，但是在STM32cubeMX軟件中配置FMC外設時沒有NAND FLASH 這一項，如下圖所示，請問這種情況應該怎么辦呢，可以用I/O口模擬NAND FLASH編程嗎？希望有這方面編程經(jīng)驗的前輩指點一下，謝謝啦
2018-04-17 14:39:03
在半導體技術中，與數(shù)字技術隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術的進步顯得緩慢，其中電源半導體技術尤其波瀾不驚，在十年前開關電源就已經(jīng)達到90+%的效率下，似乎關鍵指標難以有大的突破，永遠離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見到一些突破性的新技術面市。
2019-07-16 06:06:05
）也是一種DAC，可以生成數(shù)字正弦信號，并將其饋入DAC來產(chǎn)生相應的模擬信號。本文將重點介紹新近出現(xiàn)的一項技術突破，它借助DDS技術大幅提升了DAC的無雜散動態(tài)范圍（SFDR）性能。
2019-06-27 06:29:11
市場上80%的移動電源產(chǎn)品，采用3V-5.2V的升壓設計，除去前后端限流檢測控制電路，IC單升壓效率在95%以內(nèi)。事實上，移動電源升壓ic的轉(zhuǎn)換率是有望突破這個范圍的。 移動電源升壓轉(zhuǎn)換率，主要
2014-09-24 10:33:22
作為全球最為著名的技術榜單之一，《麻省理工科技評論》全球十大突破性技術具備極大的全球影響力和權威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術突破，有的已經(jīng)在現(xiàn)實中得以應用，有...
2021-07-05 07:25:43
來源： 數(shù)字化企業(yè)作為全球最為著名的技術榜單之一，《麻省理工科技評論》全球十大突破性技術具備極大的全球影響力和權威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術突破，有的已經(jīng)在...
2021-07-05 07:35:37
并沒有什么突破性的進展。我們的智能手機體積更苗條、運行速度更快、處理器性能更強，但是對續(xù)航能力的增加，似乎各個廠商都有些一籌莫展。 幸運的是，許多公司和科研機構都看到了整個行業(yè)對于電池技術進步的渴求
2015-11-11 11:52:54
CSR推出采用SiRFaware技術的突破性SIRFstarIV定位架構
CSR推出突破性SiRFstarIV 定位架構，結合了獨特的自助式SiRFaware及微電源GPS技術，使消費設備在沒有消耗電池和網(wǎng)絡輔助
2009-08-05 09:26:34612 NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應用
0 引言
計算機技術的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，
2009-11-07 10:21:25857 RAYSPAN(R) 發(fā)布用于長期演進設備的突破性天線解決方案MTM-E(TM) 支持電池壽命更持久的小型高性能手機
圣迭戈2010年2月24日 /
2010-02-24 18:14:051182 市場研究調(diào)查認定的 一項突破性數(shù)位設計分析技術
Tektronix 已經(jīng)開始一項創(chuàng)新的機種，以新的概念及生產(chǎn)系列以
2010-08-06 08:30:35344 卓然為全球2D和3D電視市場進一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術
第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國卓然公司（納
2010-11-17 15:04:04607 領先的半導體技術供應商硅芯光電科技有限公司(Silicon Core Technology)推出用于室內(nèi)應用的突破性1.9mm點距LED顯示面板技術。
2011-12-22 10:03:41656 應用材料公司推出先進的蝕刻技術 ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng)，這項突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構的嚴峻挑戰(zhàn)；3D記憶體架構可提供高密度兆位元儲存容量，為未來
2012-06-29 09:13:24850 隨著電子信息技術的迅猛發(fā)展，各種消費電子設備向數(shù)字化、集成化、智能化方向發(fā)展，電子智能控制器應用領域?qū)⒉粩嗤卣梗袌鰸B透率有望大幅提升。 智能控制器應用不斷拓展 市場滲透率有望大幅提升
2016-11-08 11:10:111055 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價格已經(jīng)松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513 日前，長江存儲以“芯存長江，智儲未來”為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設備。目前，長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國在存儲芯片領域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486 長江存儲科技公司表示，盡管仍采用3D分層，但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據(jù)悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 北京時間2018年8月7日，長江存儲官網(wǎng)的一篇新聞稿表示其公開發(fā)布了一條其突破性技術——Xtacking。
2018-08-11 10:50:2811892 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 今年的閃存技術峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286688 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲一直都是三星的強項。
2018-08-13 16:08:273366 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報道，這次他們的介紹更加詳細，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885 “芯”、“云”系列成果，全面展示了其創(chuàng)新的產(chǎn)品和領先的解決方案。紫光旗下長江存儲的全新3D NAND架構Xtacking?技術，賦能行業(yè)的云及AI解決方案等，都給大會嘉賓留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:001826 Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入。
2018-10-09 10:57:322976 按照規(guī)劃，AMD將于明年推出Zen 2架構，在目前Zen、Zen+的基礎上大幅革新，再結合7nm工藝，無論技術特性還是性能能效都有望大幅提升，包括桌面筆記本的Ryzen銳龍和服務器的EPYC霄龍。
2018-11-02 10:36:581087 《麻省理工科技評論》是全球十大突破性技術具備極大的全球影響力和權威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術突破，有的已經(jīng)在現(xiàn)實中得以應用，有的還尚需時日，但注定將在未來對人類的生產(chǎn)生活產(chǎn)生重大影響，甚至會徹底改變整個社會面貌。
2019-03-04 15:36:164158 國際著名科技期刊IEEE Spectrum推出12項2019年值得持續(xù)關注的突破性技術。
2019-04-05 10:27:002686 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143302 在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場，長江存儲聯(lián)席首席技術官湯強做了題為《三維閃存技術發(fā)展的展望》的主題演講，并透露將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術。
2019-05-17 11:47:131574 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281277 湯強在峰會上表示將于今年8年推出Xtacking 2.0。
2019-05-17 14:22:593124 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 人工智能輔助宮頸癌篩查技術取得突破性進展，業(yè)內(nèi)專家評價，本次成果是數(shù)字化醫(yī)療與精準醫(yī)療的一項重要實踐，為未來精準診斷惠及廣大人群提供了技術和數(shù)據(jù)上的支持。若該成果得以落地應用，預期可使病理醫(yī)生進行
2019-06-29 11:32:401182 看點在成本上，由于中國相當重視存儲器產(chǎn)業(yè)，國家大力支持，無論是DRAM，還是NAND Flash，都有大項目先后上馬，且今明兩年陸續(xù)實現(xiàn)量產(chǎn)，這給一直壟斷全球存儲器市場的那幾家大廠施加了不小的壓力。中國一旦在技術和量產(chǎn)層面突破，其先天的成本優(yōu)勢很可能對幾家大廠的中低端產(chǎn)品形成摧枯拉朽的態(tài)勢。
2019-08-30 16:18:4311546 ，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021051 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161661 Nvidia發(fā)展GPUDirect儲存技術，大幅提升GPU加載大型資料集的速度，使用GPUDirect儲存技術，GPU加載資料集的工作不再完全需要仰賴CPU，因而解除了資料I/O的瓶頸。
2019-09-11 11:51:02832 近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 有關國產(chǎn)閃存技術的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產(chǎn)品，而當長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構技術的時候，我們知道，真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:07882 長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849 207所獲悉，該所團隊近日完成太赫茲時域光譜系統(tǒng)音圈電機快速掃描模塊研發(fā)，或?qū)⑹构庾V掃描速度大幅提升。
2020-03-27 14:52:422006 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377 長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:062793 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 現(xiàn)在，長江存儲已成功將 Xtacking 技術應用于其第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開發(fā)，大規(guī)模量產(chǎn)之后，預計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片。
2020-08-11 15:55:18439 8月20日，深圳市朗科科技股份有限公司受邀參加長江存儲長存之道，融合創(chuàng)芯 Xtacking合作伙伴生態(tài)大會，被授予鉆石級合作伙伴稱號。 紫光集團董事長、長江存儲科技有限責任公司董事長趙偉國先生，長江
2020-08-25 17:19:151599 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 長江存儲此次全新發(fā)布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創(chuàng)新Xtacking架構3D NAND高品質(zhì)原廠顆粒。
2020-09-27 16:17:442563 。 今天，國內(nèi)存儲品牌臺電科技聯(lián)合長江存儲，發(fā)布臺電純國產(chǎn)化固態(tài)硬盤騰龍系列DS10。 臺電騰龍系列DS10將采用長江存儲全新一代64層TLC閃存顆粒。該顆粒采用由長江存儲自主研發(fā)的Xtacking架構技術，通過對存儲單元與外圍電路的獨立加工，將傳統(tǒng)常規(guī)的的1Gp
2020-11-18 11:27:082086 11月18日報道 今日，在“2020北京微電子國際研討會暨IC WORLD學術會議”上，長江存儲科技有限責任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示，長江存儲推出的創(chuàng)新技術Xtacking具有速度快、工藝結實
2020-11-18 15:26:573871 長江存儲基于Xtacking架構的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關于致鈦存儲的技術，而就在近日，長江存儲通過
2020-11-24 09:56:483572 作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進，引發(fā)普遍關注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014 長江存儲基于Xtacking架構的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌——致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關于致鈦存儲的技術，而就在近日，長江存儲通過大咖來答疑欄目給出了相關技術答復，讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。
2020-11-28 09:09:063373 此外，楊士寧還展示了Xtacking技術，表示：在這一方面，長江存儲也是走在國際最前沿的；長江存儲的技術也是非常先進的，以后可以委托給中芯國際；同時也要感謝國產(chǎn)同行的支持。他還表示，目前只有帶有Xtacking標簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國產(chǎn)閃存芯片。
2020-11-30 11:20:013285 NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一，目前被全球六大廠商進行壟斷競爭，中國NAND Flash廠商長江存儲（YMTC）已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片量產(chǎn)，未來中國的長江存儲有望打破國外在NAND FLASH的壟斷競爭格局。
2021-01-11 14:18:333386 ? 2 月 24 日，《麻省理工科技評論》2021 年 “十大突破性技術” 發(fā)布會在杭州余杭區(qū)未來科技城舉辦。 從 2001 年開始，《麻省理工科技評論》每年都會進行 “十大突破性技術” 的評選
2021-03-03 14:11:041912 2021 年 2 月 24 日，MIT Technology Review 一年一度的 “十大突破性技術” 榜單正式發(fā)布。自 2001 年起，該雜志每年都會評選出當年的 “十大突破性技術”，這份
2021-07-02 14:21:375588 采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題，提高晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”的核心技術方向之一。為了推動行業(yè)技術發(fā)展，解決關鍵材料“進口”依賴，恒普科技突破性解決了碳化鉭涂層技術（CVD），達到了國際先進水平。
2022-11-02 14:36:433104 。此次大會德施曼重磅發(fā)布了四大突破性技術，同時多款旗艦新品重磅首發(fā)！四大突破性技術引領行業(yè)科技創(chuàng)新此次發(fā)布會最受關注的無疑是已經(jīng)被媒體前期部分劇透的四大突破性技術
2023-04-17 17:57:40765 
致態(tài)Ti600系列SSD采用了長江存儲最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構，
再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達到7000MB/s的讀取速度和6000MB/s的寫入速度，而實測數(shù)據(jù)比這還要更高一些。
2023-09-27 10:49:29606 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI公司突破性的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關技術.pdf》資料免費下載
2023-11-27 09:52:20
1 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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