9月2日,長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 資料來源:Kioxia Kioxia(原為東芝存儲)有望創建3D NAND閃存的后繼產品,與QLC NAND閃存相比,該產品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:21
4222 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:51
2064 
制造、設計或啟用NAND閃存的公司組成的行業工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產品、計算平臺和任何其他需要固態大容量存儲的應用程序中。為NAND閃存定義標準化的組件
2023-06-21 17:36:32
5876 
NAND閃存是一種電壓原件,靠其內存電壓來存儲數據。
2023-07-12 09:43:21
1446 
該行業非常重視單個ECC代碼的強度:但經常被忽視的是錯誤預防的強度,這在糾正甚至發揮作用之前是重要的我們如何在基于NAND閃存的系統中實現最低的故障率?您可能已在工程團隊或存儲系統供應商之間進行過
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
存儲級內存(SCM)取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
AD5640BRJZ的使用壽命/年限是多少?
2023-12-11 08:18:38
巧。
合適的容量,提供128MB和512MB容量,后續推出1GB和4GB容量,可根據需求選擇。
簡單易用,內置壞塊管理、平均讀寫、EDC/ECC等功能,降低CPU負擔,提高產品質量和壽命。
長壽命和穩定性,SLC NAND具有最長的使用壽命和性能穩定性,擦寫壽命達到10萬次。
2024-01-24 18:30:00
DEV KIT ARRIA 10 SX SOC
2024-03-14 20:40:18
的、針對嵌入式應用的文件系統,實現Flash存儲器的損耗均衡,并且實現數據的有效管理,對于提高其使用壽命具有一定的意義。
2019-08-16 07:06:12
NAND的每個擦除塊的容量也只有NOR的1/8至1/2,這就表明,每個塊的擦寫的頻率要少于NOR閃存,從而有助于延長使用壽命。在數據的保存時間上,兩者都差不多,為10年的水平。不過,由于串聯的架構
2013-04-02 23:02:03
的每塊可擦寫次數在10萬至100萬次之間,NOR則只是它的1/10,而且NAND的每個擦除塊的容量也只有NOR的1/8至1/2,這就表明,每個塊的擦寫的頻率要少于NOR閃存,從而有助于延長使用壽命
2014-04-23 18:24:52
STM8的內部flash的使用壽命有多長
2023-10-12 07:06:55
?我可以將 NAND 閃存分成兩個分區嗎:應用程序代碼的第一個分區第二個分區將被格式化為 FAT32 文件系統
2023-03-29 07:06:44
認為每個組件都有自己的閃存。您如何看待,我應該只使用一個NAND閃存進行FPGA和處理器訪問,這意味著FPGA配置文件(.mcs)也存儲在非易失性閃存中,在加電時,ARM處理器會自動配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
如今到處都可看見了的燈的存在,據說其使用壽命不長!與傳統的燈相比怎樣!
2012-10-21 12:23:57
閃存等其他存儲設備更快。在使用SDIO接口時,SD NAND的速度更高。其讀取時延較低,比 SD 卡等其他媒體被訪問時更加實時。
內置控制器:SD NAND內置了控制器,不必額外添置控制器,可以實現
2024-01-05 17:54:39
從ALtera官網下載了一個參考設計,其基于stratix V,但我的開發板型號為Arria 10 SOC,做相應修改后,編譯出現以下,不知道有人遇到過沒有,求幫助。Error (14566
2018-01-07 21:16:13
其他幾個領先的無線電SoC的藍牙信標的預期電池使用壽命。下圖是在相同的應用條件下繪制的,包括傳輸功率和工作周期。X軸代表電池容量(200至240毫安時,相當于一個CR2032紐扣電池),Y軸代表預期
2022-05-10 09:53:33
Flash產品呢? CS品牌SD NAND就是這樣一款產品。內部使用壽命最長、性能最穩定的SLC NAND Flash晶圓,擦寫次數可以達到10萬次。另外,內置了特定的Flash控制器
2019-10-15 17:01:27
如何延長蓄電池的使用壽命?
2021-06-18 06:03:40
作為電子產品的重要部件電解電容,在開關電源中起著不可或缺的作用,它的使用壽命和工作狀況與開關電源的壽命息息相關。在大量的生產實踐與理論探討中,當開關電源中電容發生損壞,特別是電解電容冒頂,電解液外溢
2021-03-07 08:23:57
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個核心,但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
超低功耗內存專家sureCore正在招聘在內存設計方面擁有10年或以上經驗的工程師。其嵌入式 SRAM IP 面向服務于可穿戴和物聯網 (IoT) 應用且對功耗、散熱和電池壽命敏感的片上系統
2021-12-14 07:54:06
延長鋰電池使用壽命的方法常常會有人問,“鋰電池為什么比鉛酸電池好?”“延長鋰電池使用壽命的方法”下面莊文展手機維修培訓學校就針對以下的兩點內容,給您進行一個簡單的解答。希望您可以在了解鋰電池的基礎上
2017-09-15 14:42:40
影響CLL電容使用壽命的因素有哪些?
2021-09-23 07:44:52
的使用壽命:1、在安裝過程中造成位移傳感器介質發生的變化。如:安裝傾斜角度問題、在安裝時鋼絲繩受外力損傷問題,都會影響其使用壽命。2、使用環境過于惡劣。如灰塵、高溫、潮濕等會直接影響其使用壽命,如環境不可改變
2018-12-04 11:34:23
的使用壽命:1、在安裝過程中造成位移傳感器介質發生的變化。如:安裝傾斜角度問題、在安裝時鋼絲繩受外力損傷問題,都會影響其使用壽命。2、使用環境過于惡劣。如灰塵、高溫、潮濕等會直接影響其使用壽命,如環境不可改變
2018-12-07 10:18:10
中絕大多數仍可正常運行很多年。如果電表的使用壽命可以延長,直至精度下降之前才及時更換,該有多好? 延長電表的使用壽命可帶來驚人的高回報。假設有一家電力公司,其花在單只電表及其安裝上的成本為100歐元
2018-07-24 08:15:18
`1、要確定使用環境的可靠性,如使用環境非常惡劣,受潮、高溫、信號干擾都會影響其使用壽命。3、鋼絲繩的抗拉強度,鋼絲繩一般采用進口涂塑鋼絲,由100多股構成,只要不對其施加外力是沒有問題的。5、旋轉
2020-07-04 11:30:45
小庫說:電力系統中的問題可不容小覷,日常小問題也不能忽視,今天來說一下 電力電容器的保養及使用壽命吧電力電容器保養得好,對其使用壽命的延長和電器的安全運行相當重要。如何對電力電容器進行維護保養
2018-03-22 14:44:14
如題,如何去計算正要研發的一款產品的使用壽命,是不是應該從使用的電子元器件的使用壽命去整體權衡,有沒有什么手冊可以查詢,或者有沒有什么軟件可以輸入所使用的電子元器件,然后能計算出理論上這款產品的使用壽命?
2015-06-06 16:26:56
如題,如何去計算正要研發的一款產品的使用壽命,是不是應該從使用的電子元器件的使用壽命去整體權衡,有沒有什么手冊可以查詢,或者有沒有什么軟件可以輸入所使用的電子元器件,然后能計算出理論上這款產品的使用壽命?
2015-06-06 16:28:36
沸騰產生過壓將泄壓部件產生不可逆轉泄壓動作造成電解液泄漏,使電解電容器永久性的損壞。因此電解電容器的存儲和使用溫度絕不可超過額定溫度。相反,若降低工作溫度則可以使電解電容器壽命大大增加。在實際使用中常
2017-04-26 16:04:05
產生過壓將泄壓部件產生不可逆轉泄壓動作造成電解液泄漏,使電解電容器永久性的損壞。因此電解電容器的存儲和使用溫度絕不可超過額定溫度。相反,若降低工作溫度則可以使電解電容器壽命大大增加。 在實際使用中常
2017-03-06 16:10:44
使用壽命危害的要素: (1)溫度,溫度過高能夠迅速使其損壞。 (2)自然環境的ph酸堿度,立即浸蝕電阻造成其毀壞。 (3)外力作用,超出一定的力的程度,電阻馬上會破裂。 因此要使電阻使用壽命
2020-07-03 17:31:07
等離子的使用壽命是多久? 答: 等離子電視的使用壽命大約為6
2009-05-24 18:00:55
10 SoC (片內系統) 開發板。這些開發板由 Altera 進行了測試和驗證,并舉例說明了布局、信號完整性和電源管理方面的最佳設計方法。圖 1:Arria 10 GX FPGA 開發套件板圖 2
2018-10-29 17:01:56
。這款所謂的“液流電池”基于一種中性PH水溶液中的有機分子發電,使用壽命預計超過10年,較當前的電池技術取得巨大進步。雖然并非首款液流電池,但它修復了此前設計的許多問題,例如容量退化過快。其竅門是,通過
2017-02-24 18:25:11
由于Nand Flash 寫之前需要擦除且使用壽命有限,為了提高Nand Flash 的使用壽命,需要對Nand Flash 存儲塊進行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS,針對其不足,并根據ZLG/FFS設計了一個新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器,主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態驅動器(SSD)等產品中。除了存儲單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 延長Flash存儲囂使用壽命的研究
引 言 隨著嵌入式系統在數碼相機、數字攝像機、移動電話、MP3音樂播放器等移動設備中越來越廣泛的應用,Flash存儲器
2009-12-15 17:13:07
1153 
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:35
8226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片,用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:02
1091 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23
770 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲設備相關的Linux MTD 子系統NAND 驅動并就與NAND 閃存相關的文件系統內核以及NAND 閃存存儲設計所關注的問題如壞塊處理從NAND 啟動當前2.4 和2.6 內核中NA
2011-09-27 10:11:10
76 雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規范的產品出現,2013年將在移動NAND閃存市場引發新的技術競爭,但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標準在許多手機和平板電腦中仍將保持統治地位
2012-03-30 08:46:14
1488 現在已經有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時間比現在更長。延長 NAND 閃存壽命的關鍵是熱能的應用。
2012-12-03 13:49:50
779 2013年12月3號,北京——Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天發布了Arria 10版Quartus II軟件,這是業界第一款支持20 nm FPGA和SoC的開發工具。基于TSMC
2013-12-03 10:48:47
1607 東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。
2014-09-03 11:40:13
849 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業中的基礎,也是僅次于DRAM內存的第二大存儲芯片,國內的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產NAND閃存目前已經露出了曙光,紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:00
3750 本文介紹了Arria 10 SoC FPGA主要特性,框圖以及Arria 10 SoC開發板主要特性,電源分布網絡圖和電路圖。
2018-06-16 06:31:00
9767 
DVEVM可以啟動或(默認),與非門,或通用異步接收機/發射機(UART)。NOR 閃存提供了一個字節隨機的優點訪問和執行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價格低,速度快,壽命長,許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 Arria 10混合存儲器立方體控制器演示第二部分
2018-06-22 02:59:00
3197 
Arria 10混合存儲器立方體控制器演示第一部分
2018-06-22 01:02:00
3176 
在 Arria 10 中設計 I2C EEPROM
2018-06-22 01:11:00
2918 
Arria? 10 用戶控制刷新
2018-06-26 00:14:00
2496 
Arria 10外部存儲器接口(EMIF)工具包
2018-06-11 17:10:20
1985 
東芝公司近日發布了BENAND產品。該產品基于單層存儲單元(SLC)NAND閃存,并且內嵌錯誤糾正功能(ECC)。BENAND產品正式批量生產的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:00
1940 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數據,閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
1684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數據,閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
5462 
存儲級內存(SCM)這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內容,但兼具DRAM的速度,最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質。
2019-01-28 14:23:18
641 近日,HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經理Ivan Iannaccone進行了一次大膽預測,在他看來,存儲級內存(SCM)或將在10年內取代NAND閃存,成為企業首選的高速存儲介質。
2019-02-19 14:06:36
5827 2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市,領跌的就是DRAM內存及NAND閃存兩大存儲芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價,迄今已經連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:22
2630 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術的發展。NAND閃存技術已經從最初的SLC時代,跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進,并且從最初的2D平面技術全面切換到3D堆疊技術。而3D NAND閃存技術也從最初的32層堆疊,發展到了目前最新一代的高達128層堆疊。
2020-04-14 15:28:03
1730 
英特爾的SoC開發套件提供了開發定制ARM快速和簡單的方法*處理器的SoC設計。設計生產率是Arria 10 SoC架構的驅動理念之一。Arria 10 SoC提供與上一代SoC的完全軟件兼容性
2020-05-20 14:05:56
1244 最近關于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項技術世界領先,最快年底量產。
2020-07-30 11:40:10
17363 通常情況下,固態硬盤(SSD)的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數據存儲產生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
716 
對于許多小的、便攜式物聯網(IoT)應用,“圣杯”是無線聯接使用的紐扣電池使用壽命達10年。
2020-09-03 10:14:54
3165 
我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:52
7052 據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
2025 據國外媒體報道,SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業務! SK海力士已在官網宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業務的消息,SK海力士在官網上表示,兩家公司已經簽署了相關
2020-10-23 11:05:15
2133 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:55
2599 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:49
2766 eMMC模塊因為是以NAND閃存技術為基礎而具有預定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除(P/E)周期,即使公司最初按照這些規范進行設計,他們也必須預見到同一系統隨著時間的推移必須應對不斷增加的工作負載挑戰。
2021-01-18 16:21:04
1831 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結構。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數字信息如何存儲在閃存設備的芯片中。
2021-03-02 17:54:14
3918 
??所有東西都是有使用壽命的,只是時間長短不一樣罷了。工業平板電腦也是一樣,也有著一定的使用壽命,大概在8-10年,但這是正常老化的使用壽命。因為有很多的因素會影響著工業平板電腦的使用壽命,致使工業平板電腦的使用壽命會很大程度的降低。那要如何保持工業平板電腦的使用壽命呢?下面就來了解一下吧。
2021-11-04 16:37:13
609 專有的Sub-GHz無線電旨在用于更長距離的無線傳輸。憑借153 db(16 dbm Tx功率和-135 Rx靈敏度)的鏈路預算,AXM0F24窄帶SoC可以傳輸37公里或23英里(915MHz,30db衰減余量)的距離。對于1.1公里的距離,AXM0F243超過了所需的10年實際電池使用壽命。
2022-05-07 15:58:37
1437 
開發具有強大架構的產品是確保系統設計滿足現在和未來性能要求的關鍵。借助用于嵌入式系統的 SoC,設計立足于堅實的基礎。用于中型應用的 FPGA 可顯著節省空間并在功耗、成本和性能之間取得良好平衡。Arria 10 SoC就是這樣一個典型代表。
2022-06-08 09:31:24
503 因此,英特爾 Arria 10 SoC 為嵌入式外設、硬核浮點 DSP 模塊、嵌入式高速收發器、硬核存儲器控制器和協議 (IP) 控制器提供了具有廣泛功能范圍的處理器。
2022-06-08 09:50:57
1047 
借助 Arria 10 SoC,您可以通過將 GHz 級處理器、FPGA 邏輯和數字信號處理 (DSP) 集成到單個可定制的片上系統中來減小電路板尺寸,同時提高性能。
2022-06-30 09:50:09
914 因此,英特爾 Arria 10 SoC 為嵌入式外設、硬核浮點 DSP 模塊、嵌入式高速收發器、硬核存儲器控制器和協議 (IP) 控制器提供了具有廣泛功能范圍的處理器。
2022-08-15 11:31:53
368 
存儲背后的大腦:NAND 閃存控制器實際上是做什么的? ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲系統的討論變得很混亂。通常 , 當人們討論存儲時 , 只會談論 NAND 閃存 , 而忽略了控制器這一獨立
2022-09-05 14:42:55
1452 蘋果公司將長江存儲(YTMC)納入供應商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應商多樣化來降低NAND閃存的價格。
2022-09-08 11:55:23
529 在NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:11
1230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32
863 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
2147 內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區,硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:00
1983 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
282 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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