0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機(jī)電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設(shè)備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內(nèi)置非易失存儲器可保存
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
一種便攜式存儲設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
存儲器(Volatile memory)。于是，存儲器從大類來分，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲，簡稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲器理解存儲器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時(shí)間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
現(xiàn)在是時(shí)候讓汽車高管們開始使用區(qū)塊鏈了當(dāng)汽車公司準(zhǔn)備用區(qū)塊鏈技術(shù)來評估下一步的工作時(shí)，它們會有很多工作要做，也有很多需要學(xué)習(xí)的地方。對于那些正確理解區(qū)塊鏈技術(shù)的人們來說，他們的公司能獲得區(qū)塊鏈包括受
2019-01-30 23:32:32
1.簡介有時(shí)我們需要保存一些信息，然后在下次啟動時(shí)使用，比如 wifi的 ssid和passwd。我們希望這些數(shù)據(jù)在掉電的時(shí)候不會丟失。esp8266沒有自己的rom，所以我們需要保存
2022-01-26 08:28:38
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數(shù)來記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外，為了達(dá)到汽車級認(rèn)證和資格，所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的存儲器組件。同時(shí)，功能性安全性能符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是另外一
2018-05-21 15:53:37
隨機(jī)存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
是殘疾人，并禁用它又算是寫盡了芯片的生活下去？例如，如果包含芯片裝置自動禁用自動存儲每次打開它，每次停用操作有助于“穿”吃到1000000商店計(jì)數(shù)芯片？并禁用自動存儲設(shè)定芯片的“臟點(diǎn)”，從而導(dǎo)致店
2019-03-06 15:10:30
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
一些微控制器配有片載 EEPROM，這樣既提供了非易失性數(shù)據(jù)存儲器，還能節(jié)省板空間。然而，隨著數(shù)據(jù)安全變得愈發(fā)重要，許多現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)需要一種實(shí)用的方法，利用非易失性存儲器來安全地存儲數(shù)據(jù)，同時(shí)還可
2020-12-28 07:32:47
EEPROM:非易失性存儲介質(zhì)。
2022-01-26 06:58:12
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-12 11:55 編輯
Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，與此
2018-06-12 09:52:07
Flash的硬件實(shí)現(xiàn)機(jī)制Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，與此相對應(yīng)的是易失性存儲設(shè)備(Volatile
2018-07-18 15:50:36
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-26 08:30:13
MSP430G 系列處理器是一款低成本16 位處理器，其并不具備 EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了 256 字節(jié)的 Flash 空間作為信息
2019-10-18 09:00:50
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
上表顯示的STK11C68 / HSB引腳前頁的框圖，但引腳從來沒有提到的地方，或顯示在引腳說明。是否存在AN/HSB引腳？9頁提到的自動存儲，但文件意味著芯片沒有自動存儲功能。芯片是否有自動存儲
2019-02-14 15:04:53
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
我在定制板上使用 STM32H745，帶有 Micron 閃存 (MT25QU512ABB)電路板經(jīng)過測試，我能夠通過 QSPI 管理 NOR 內(nèi)存。我試圖更改非易失性配置寄存器來設(shè)置兩件事：命令
2022-12-19 07:15:57
存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導(dǎo)體存儲器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價(jià)比緊湊型NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
2019-08-29 07:37:54
與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
2019-09-03 07:22:10
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
菜鳥求助：一個(gè)外部設(shè)備的驅(qū)動加載后會自動在/dev下生成相應(yīng)的設(shè)備文件，請問這個(gè)設(shè)備文件只是在內(nèi)存中存在嗎？應(yīng)該是個(gè)臨時(shí)的文件吧，掉電丟失。設(shè)備文件在硬盤中或者其他非易失性存儲介質(zhì)中會占用存儲空間嗎？
2016-09-04 18:28:43
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232雙通道，256位，非易失性存儲器數(shù)字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性，允許多種工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問，電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲提供了一些想法。一定有工程師經(jīng)常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內(nèi)存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲呢？本文將會介紹
2021-12-20 06:42:35
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我是想把數(shù)據(jù)直接保存在這個(gè)，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲區(qū)DataFlash區(qū)這樣可以節(jié)省一個(gè)存儲器，但是直接宏定義一個(gè)指向這個(gè)存儲區(qū)的數(shù)據(jù)讀出來的時(shí)候不對，希望技術(shù)能幫忙指點(diǎn)一下謝謝！
2022-09-28 07:58:50
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2021-02-01 07:15:05
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
我如何獲得該產(chǎn)品的波動性聲明？我們的客戶需要它。其他帖子稱，大多數(shù)產(chǎn)品都具有易失性存儲器，但根據(jù)數(shù)據(jù)表，除了易失性DDR3內(nèi)存外，該主板還具有非易失性SPI閃存和EEPROM存儲器。提前致謝
2019-04-08 06:51:36
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個(gè)困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問題出現(xiàn)（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
存儲配置數(shù)據(jù)。配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變配置數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。SRAM編程時(shí)間短，為系統(tǒng)動態(tài)改變PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。但由于SRAM的數(shù)據(jù)易失的，配置數(shù)據(jù)必須保存在PLD器件以外的非易失存儲器內(nèi)，才能實(shí)現(xiàn)在線可重配置(ICR)。
2019-08-22 06:31:02
CAT5140采用8引腳MSOP封裝。含片上8位非易失性電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)，使設(shè)計(jì)人員能一次就校準(zhǔn)，并在上電(power-up)時(shí)保持存儲器的電阻觸點(diǎn)(wiper)設(shè)置范圍。這
2021-04-16 06:29:19
是否可以在UDBs內(nèi)部實(shí)現(xiàn)存儲卡？沒有什么大的只有大約32 kb。UDB是易失性還是非易失性？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文is it possible to implement a
2019-05-23 08:37:24
是否可以在比特流的開頭保留一些固定的地址空間來存儲一些易失性用戶數(shù)據(jù)（例如，一些用戶參數(shù)等）？我有Spansion閃存memorys25fl256，它在地址空間的底部有32個(gè)快速可擦除的4k字節(jié)塊
2020-08-11 07:12:06
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計(jì)數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后，Timer1應(yīng)該重置為零。有時(shí)它不是這樣發(fā)生的，但有時(shí)它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
存儲器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲器（易失或非易失）、磁表面存儲器（非易....
2021-07-26 06:22:47
在 wiki 中，我發(fā)現(xiàn)了這些行：5.3 非易失性計(jì)數(shù)器↑每個(gè)證書都嵌入了一個(gè)非易失性計(jì)數(shù)器值，該值被檢查以控制防回滾機(jī)制。有兩種非易失性計(jì)數(shù)器： - 可信非易失性計(jì)數(shù)器 - 非可信易失性計(jì)數(shù)器在
2023-02-02 07:32:04
技術(shù)在不同細(xì)分市場中的應(yīng)用。 企業(yè)級SSD 企業(yè)級SSD是當(dāng)前非易失性存儲的最高級別，在讀寫性能、散熱和能耗方面都較其它HDD替代方案有了長足的進(jìn)步。SSD作為存儲網(wǎng)絡(luò)加速器可讓企業(yè)應(yīng)用大受裨益
2018-09-26 09:44:52
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
而言，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
時(shí)就會產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動）即使在不加置電場的情況下，也能保持電極。兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲。存儲器分類中的FRAM* 非易失性：即使沒有上電，也可以保存所存儲
2014-06-19 15:49:33
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個(gè)零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）?低VDD檢測驅(qū)動復(fù)位?看門狗窗口定時(shí)器
2023-04-07 16:23:11
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
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