三星電子和SK海力士已經(jīng)將閃存芯片的堆疊層數(shù)增加至100層以上，并以此作為提高半導(dǎo)體收益的重要武器。最近，主要的智能手機(jī)制造商正在擴(kuò)大高容量旗艦手機(jī)的產(chǎn)出，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商也將在2019年下
2019-08-16 00:55:00
7075 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295044 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 在2019年收入和利潤(rùn)率大幅下降之后，SK Hynix宣布計(jì)劃削減其資本支出。盡管市場(chǎng)已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對(duì)DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹(jǐn)慎。因此，SK海力士
2020-02-11 11:37:373706 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 據(jù)Bloomberg消息，世界上最大的內(nèi)存芯片制造商三星電子公司將投資70億美元用于中國(guó)半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)智能手機(jī)和其他設(shè)備使用的NAND閃存的需求。
2017-08-29 09:39:441216 。 2016年，閃存在資本方面落后于制造行業(yè)，但在2017年大幅增長(zhǎng)，增長(zhǎng)92%，至276億美元，2018年又增長(zhǎng)16%，至319億美元，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">制造商擴(kuò)大和升級(jí)了3D NAND生產(chǎn)線，以滿足日益增長(zhǎng)的需求。隨著大部分?jǐn)U張已經(jīng)完成或預(yù)計(jì)將于2019年結(jié)束，預(yù)計(jì)閃光資本支出今年將下降1
2019-01-14 13:17:03740 
本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家制造
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng)，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
大神們有誰(shuí)知道J1939制造商編碼 怎么申請(qǐng)嗎？甚是苦惱啊！
2017-02-06 17:40:41
的“殺手锏”，是其不可能放棄的市場(chǎng)。隨著大尺寸OLED面板需求增長(zhǎng)，LGD勢(shì)必要擴(kuò)大OLED生產(chǎn)規(guī)模。據(jù)謝勤益預(yù)測(cè)，2019年OLED TV面板需求將達(dá)到270萬(wàn)片，屆時(shí)LGD得再擴(kuò)充產(chǎn)能，或者由我國(guó)京東方穩(wěn)定供應(yīng)OLED TV面板，才能滿足市場(chǎng)需求。<p>`
2018-11-13 16:29:01
”一直以來，存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)即圍繞著容量增長(zhǎng)與成本降低兩大核心展開，而解決這兩個(gè)核心問題的最優(yōu)解即為不斷擴(kuò)充產(chǎn)能，并提升存儲(chǔ)密度。今年三季度鎧俠以21%的市場(chǎng)占有率，在全球NAND閃存制造商中位居第二，與三星
2022-01-26 08:35:58
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
啟動(dòng)套件是如何幫助通信設(shè)備制造商的？
2021-05-28 06:00:19
還會(huì)降低30％，直到下一輪漲價(jià)。2018年的NAND市場(chǎng)由漲轉(zhuǎn)跌，這個(gè)趨勢(shì)還會(huì)在今年得到延續(xù)，不過2019年閃存市場(chǎng)上的變數(shù)不只是降價(jià)這么簡(jiǎn)單，新技術(shù)、新產(chǎn)品以及中國(guó)廠商的加入都會(huì)對(duì)這個(gè)市場(chǎng)帶來很大
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
如何添加不同制造商的自定義板以在 STM32CubeMX 中使用
2022-12-26 07:00:52
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
嵌入式MRAM關(guān)鍵應(yīng)用與制造商
2021-01-08 06:36:18
急速發(fā)展的中國(guó)LED制造業(yè)：產(chǎn)能是否過剩？中國(guó)LED制造業(yè)：產(chǎn)能是否過剩？中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步于上世紀(jì)70年代。早期中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)中缺少LED外延片及芯片制造環(huán)節(jié)，所使用的LED
2010-11-25 11:40:22
傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:321434 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05670 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 北京時(shí)間11月15日下午消息，德國(guó)芯片制造商英飛凌計(jì)劃削減開支并收縮投資，以便應(yīng)對(duì)工業(yè)客戶的需求下滑。
2012-11-16 09:18:40550 017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 09:38:18653 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬(wàn)億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元，將分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:30928 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。
2018-01-06 10:32:382146 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00362 用于擴(kuò)充產(chǎn)能的資本支出超出市場(chǎng)實(shí)際需求，毫無疑問，將導(dǎo)致NAND閃存價(jià)格下滑。實(shí)際上，自2018年開始，NAND閃存價(jià)格已現(xiàn)疲弱。而且，價(jià)格走軟有望從2018年下半年一直持續(xù)到2019年。
2018-07-13 11:45:378876 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865 
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043196 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 SSD的價(jià)格沒有最低，只有更低。據(jù)報(bào)道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價(jià)格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計(jì)榨干50%水分。此前的一份報(bào)道稱，2019年，SSD每GB的單價(jià)會(huì)跌至0.08美元（約合0.56元）。
2018-10-29 16:39:552414 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:466140 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù)，2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%，低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng)，而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%，也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:053511 據(jù)相關(guān)新聞報(bào)道，三星計(jì)劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，使內(nèi)存和閃存的增長(zhǎng)率分別低于20%和30%。三星在11月份召開的第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上說，內(nèi)存的年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為20%左右，閃存為40%左右。
2018-12-28 15:02:233485 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26582 
2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:392575 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 從去年初以來，全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53502 僅智能制造平臺(tái)市場(chǎng)一項(xiàng)在2019年為44億美元，預(yù)計(jì)未來五年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將上漲20％。 制造商在未來三年里計(jì)劃每年的投資基數(shù)為其收入的3.24％。計(jì)劃投資額高于過去三年里每年投資額的1.7倍。 制造商計(jì)劃在未來五年里建設(shè)的智能工廠超過40％，年投資額與過去三年比將增加1.7倍。
2019-12-12 08:41:53978 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
據(jù)消息報(bào)道，臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的消息人士預(yù)測(cè)，NAND閃存合同價(jià)格將在2020年上漲40％。這將包括硬件產(chǎn)品，例如存儲(chǔ)卡、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器。根據(jù)DRAMeXchange的說法，SSD的合同價(jià)格已經(jīng)下降了幾年，在生產(chǎn)問題導(dǎo)致NAND產(chǎn)量下降之后，直到2019年第二季度才開始再次上漲。
2020-01-03 17:15:482761 根據(jù)市場(chǎng)研究公司Omdia最新的一份報(bào)告顯示，全球?qū)RAM生產(chǎn)設(shè)施的投資額預(yù)計(jì)將較上年同期減少13.3%，至178億美元；NAND閃存方面投資將達(dá)267億美元，降幅為5.8%。全球芯片制造商預(yù)計(jì)今年將削減對(duì)于生產(chǎn)設(shè)施的投資，就如2019年應(yīng)對(duì)嚴(yán)重供應(yīng)過剩的市場(chǎng)環(huán)境一般。
2020-05-08 15:13:141868 近日，三星電子宣布了在韓國(guó)平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，除擴(kuò)建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173162 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 NAND存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)為計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備制造閃存組件。自2019年接任英特爾首席執(zhí)行官以來，鮑勃·斯旺（Bob Swan）始終在尋求出售幾個(gè)部門，這些部門不是該公司專注的部分。
2020-10-21 16:39:364223 ，2021年市場(chǎng)份額同比增長(zhǎng)10%，達(dá)到64%。許多液晶電視面板制造商的關(guān)注點(diǎn)也已發(fā)生變化。從8.6代和10.5代晶圓廠的新產(chǎn)能開始，面板制造商希望停止集中于43英寸面板的生產(chǎn)，將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到10.5代晶圓廠65/75英寸面板生產(chǎn)上，8.5代晶圓廠的更多產(chǎn)能將轉(zhuǎn)移至IT面板生產(chǎn)
2020-11-04 18:04:062738 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 的應(yīng)用市場(chǎng)。 SK 海力士還計(jì)劃開發(fā)基于 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存，從而持續(xù)增強(qiáng)其在NAND閃存業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。 IT之家曾報(bào)道，11月初，美
2020-12-07 16:16:232416 兩大存儲(chǔ)芯片中，內(nèi)存未來的價(jià)格走勢(shì)風(fēng)云變幻，而閃存的價(jià)格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產(chǎn)能，但是閃存明年Q1季度價(jià)格還會(huì)繼續(xù)跌，跌幅在10-15%不等，SSD硬盤不怕漲價(jià)了。
2020-12-14 15:26:391452 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 等多種因素所致，內(nèi)存行業(yè)開始加大備貨力度了，然而三星這時(shí)候的動(dòng)作并不一致，他們依然計(jì)劃削減2021年的內(nèi)存投資，減少產(chǎn)能。 韓國(guó)媒體報(bào)道，三星原本計(jì)劃2021年新增內(nèi)存產(chǎn)能4萬(wàn)片晶圓/月，現(xiàn)在決定將產(chǎn)能投資減少到3萬(wàn)片晶圓/月，削減了1萬(wàn)片晶圓
2020-12-29 09:10:001670 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來了128層閃存，2021年則會(huì)帶來192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能，計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:426603 長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到 10 萬(wàn)片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的 7%。并準(zhǔn)備試產(chǎn) 192 層 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉，三星電子目前每月約生產(chǎn) 48 萬(wàn)片晶圓，而美光的月產(chǎn)能約為 18 萬(wàn)片。
2021-02-14 09:21:008753 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580 寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:562894 的計(jì)劃，去年底已經(jīng)完成了該收購(gòu)計(jì)劃的第一階段，獲得了原本屬于Intel的中國(guó)大連NAND閃存制造工廠，本次新建工廠的行為也是為了加快閃存業(yè)務(wù)的項(xiàng)目進(jìn)度，SK海力士將在原有的工廠基礎(chǔ)上繼續(xù)擴(kuò)大投資，新建NAND芯片工廠。 SK海力士除了大連工廠的建設(shè)以外，也會(huì)
2022-05-19 14:32:533107 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:25703 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
意法半導(dǎo)體在去年10月份表示，計(jì)劃在意大利建設(shè)一座7.3億歐元的碳化硅晶圓廠，新廠將于2026年完工。此外，它還在7月宣布了與格芯（Global Foundries）合作在法國(guó)建立半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃。該工廠將毗鄰ST在Crolles的現(xiàn)有工廠，目標(biāo)是到2026年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。
2023-03-02 11:35:08377 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn)，但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 近日，佰維亮相印度第15屆DT Awards 2023頒獎(jiǎng)盛典，公司憑借在存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力以及市場(chǎng)服務(wù)方面的突出表現(xiàn)，斬獲了“增長(zhǎng)最快的閃存制造商品牌”大獎(jiǎng)。
2024-01-24 17:30:15171 潘建成表示，群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為，原廠擴(kuò)大產(chǎn)能，有利于維護(hù)NAND市場(chǎng)秩序，使價(jià)格合理回歸，否則過高的漲勢(shì)會(huì)打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35264 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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