臺積電、Ambiq Micro2日共同宣布，采用臺積電40納米超低功耗（40ULP）技術生產的Apollo3 Blue無線系統單芯片（SoC）締造領先全球的最佳功耗表現。

臺積電業務開發副總經理張曉強博士表示，很興奮見證Ambiq設計技術、臺積電制程專業所打造的成果。他強調，臺積電憑借業界最具規模的設計生態系統，持續開發55ULP、40ULP到22ULL等的完備低操作電壓制程組合，樂觀未來協助客戶生產智能化的互聯設備，使產品能隨時以簡單、直觀方式與使用者互動。

Ambiq Micro營銷副總裁Aaron Grassian則說，采用臺積電低操作電壓制程技術來打造下一代具備SPOT能力的設備。Ambiq Micro持續提升產品能源效率，協助客戶將真正智能化功能置入電池供電的移動設備。

臺積電表示，借由Ambiq的亞閾值功率優化技術（Subthreshold Power Optimized Technology， SPOT）平臺與臺積電40ULP低操作電壓（low-Vdd）制程，具備TurboSPOTTM技術的Apollo3 Blue樹立起能源效率的新標準。

并說明，Apollo3 Blue將ARM Cortex M4F核心運算能力提升至96MHz，操作功耗降至6uA/MHz以下，可支持電池供電的設備產品。該芯片卓越性能讓Ambiq業務延伸到電池供電的智能家庭設備，以及需隨時保持開啟的聲控應用，如遙控器與耳戴設備等產品等嶄新市場。

臺積電指出，40ULP技術借由低漏電晶體管來進行節能，其中包括閘極及接面在內的所有漏電路徑皆經過仔細的優化。此外，臺積電亦提供超低漏電晶體管（eHVT）及超低漏電（ULL）靜態隨機存取存儲器的單位元，低操作電壓解決方案結合數種不同臨界電壓晶體管與完備的設計基礎架構，包括支援0.7伏操作電壓并具備時序簽核方法的標準元件庫、支援低操作電壓的優化設計流程、以及涵蓋低操作電壓且具有準確性與寬廣范圍的SPICE模型。

另外，繼40ULP之后，臺積電擴展低電壓組合至22ULL以支持極低功耗應用，提供更佳的射頻與加強的類比功能，以及低漏電eHVT裝置與超低漏電靜態隨機存取存儲器的單位元。臺積電透露，此項技術支援低電壓設計，將操作電壓降至0.6伏，并且搭配芯片上的磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）及電阻式隨機存取存儲器（RRAM）以實現低漏電嵌入式非揮發性存儲器解決方案，支援物聯網產品的應用。