目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐GaN襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。GaN基垂直和平面導通型器件的結構簡圖如圖表2所示。
(a)垂直導通型GaNMOSFET
(b)平面導通型GaNMOSFET
圖表2基于GaN自支撐襯底的垂直導通型MOSFET 和基于Si襯底的平面導通型GaNMOSFET的結構圖
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原文標題：GaN（氮化鎵）推動電源新解決方案
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