ASML的副總裁Anthony Yen日前表示，他們已經開始研發下一代光刻機。他表示，在他們公司看來，一旦現有的系統到達了極限，他們有必要去繼續推動新一代產品的發展，進而推動芯片的微縮。

據介紹，較之他們的客戶三星、Intel和臺積電都正在使用的3400系列，ASML 5000將會有更多的創新。Yen在本周于舊金山舉行的IEEE國際電子設備會議上告訴工程師，其中最引人注目的是機器數值孔徑（numerical aperture）從現在的0.33增加到0.55 。數值孔徑是無量綱（dimensionless quantity）的數量，與光的聚焦程度有關。數值孔徑越大意味著分辨率越高。改變EUV機器中的數值孔徑將需要更大，更完美拋光的成像鏡組。

EUV光是通過使用來自高功率二氧化碳激光器的雙脈沖瞄準微小錫滴而產生的。第一個脈沖將錫滴重新塑造成模糊的薄餅形狀，這樣第二個脈沖就會更加強大并且跟隨它僅僅3微秒，它可以將錫爆炸成等離子體，并以13.5納米的光照射。然后將光聚集，聚焦并從圖案化的掩模上彈開，使得圖案將投射到硅晶圓上。

通過提升功率，ASML已經將每小時可以處理的晶圓數量提升了。功率越大意味著晶圓可以更快地曝光。在195瓦特的時候，他們每小時可以處理125片晶圓; 功率在今年年初達到246 W之后，這個數字則來到了140片晶圓。該公司全年都在對客戶機器進行改造，以期達到更高的標準。

下一代機器將需要更多的EUV瓦數。在實驗室中，ASML已破解410 W，但尚未達到芯片生產所需的，足夠好的占空比（duty cycle）。更強大的激光器將有所幫助，但這可能會增加錫液滴的速度。在今天的機器中，錫滴每秒被射出50,000次，但Yen表明，新產品的液滴發生器的運行速度或將達到80,000赫茲。

與此同時，該公司正在改進其3400系列的功能。新版本3400C將于2019年下半年發布，效率提升到每小時處理超過170片晶圓。但在EUV發展過程中，最大的一個痛點就在于極其昂貴的MASK，這些MASK可以“保持”鑄造在硅片上的圖案。這種被稱為薄膜的覆蓋物，用于保護掩模免受雜散粒子的影響，吸收太多光線。ASML表示，現有的薄膜可以傳輸83％的光。這就將產能吞吐量降低到每小時116個晶圓。Yen說，他們的目標是將傳輸率提高到90％。ASML也正在努力保持機器內部比現在更清潔，這樣客戶可以隨意使用沒有薄膜的MASK。

Yen表示，ASML預計到2018年底將出貨18臺機器，并計劃在2019年發貨30臺。然而，供應商的火災將延遲他們在2019年的交付，該公司周二表示。8月，當GlobalFoundries取消7納米芯片開發時，ASML失去了一位知名客戶。這一舉措消除了公司在2017年和2018年安裝的兩臺EUV機器的需求，Yen表示。