DRAM是動態隨機存儲器的意思，也就是電腦內存。對于今天的消費者來說，電腦內存只是些綠色的小條條，售價不過幾百元。然而這些小玩意，卻走過了長達120年的復雜演進歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導體晶體管DRAM內存。人們已經很難想象，一個電冰箱大小的計算機存儲器，只能存儲幾K數據，售價卻高達幾萬美元。在中國市場，1994年的時候，一根4M內存售價1400元，相當于兩個月工資。1999年臺灣921大地震，在北京中關村，一根64M SDRAM內存條，價格可以在幾天內，從500元暴漲到1600元。

自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年。DRAM內存芯片市場，累計創造了超過1萬億美元產值（$1000,000,000,000美元）。企業間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。無數名震世界的產業巨頭轟然倒地。就連開創DRAM產業的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1986年、1998年和1999年，凄慘地退出了DRAM市場。目前，只有韓國三星和海力士，占據絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。

從美國到韓國，這個巨大的轉變，背后隱藏著半個世紀以來，那些不為人知的經濟戰爭，足以載入經濟學教科書。把歐美和中國，那些冒牌經濟學家，極力鼓吹的“自由市場經濟”論調，徹底掃進垃圾堆。

——這是一場真正的經濟戰爭，國與國之間的生死較量，慘烈程度遠超液晶戰爭。

1949年，美國哈佛大學實驗室的王安博士，發明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產的DRAM內存淘汰。

內存百年——一不怕死的都沖進來

在敘述這場經濟戰爭前，我們先從總體上，了解一下DRAM內存產業的脈絡和現狀。

電腦存儲器的發明者，幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國統計學家霍列瑞斯（Hollerith Machin）研制了穿孔制表機，采用在卡紙上打孔的方式，記錄統計數據。1890年，美國進行第12次人口普查時，便大量采用這種機器。直到1930年代，IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。

1932年，IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克（Gustav Tauschek），發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器，稱為“磁鼓存儲器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年，IBM公司購買了中國人王安博士（上海人），擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人員，羅伯特·登納德博士，發明了半導體晶體管DRAM內存，并在1968年獲得專利。

然后，1970年美國英特爾，依靠批量生產DRAM大獲成功，逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進攻DRAM市場后，差點將英特爾逼死。1985年美國發動經濟戰爭，扶植韓國廠商進攻DRAM產業，又將日本廠商逼死。1997年美國發動亞洲金融風暴，差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經濟后，韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的臺灣人沖進DRAM市場，投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經濟危機，逼死了德國廠商，并將臺灣DRAM廠商打翻在地，狠踩兩腳。2017年，不怕死的中國大陸廠商沖了進來，準備投資660億美元，進攻DRAM市場。

有人說，中國人瘋了。

我說沒瘋，因為中國——做為世界第一大電子產品制造國，居然90%以上的內存靠進口，剩下那部分，居然連國產的產量，都控制在韓國企業手里。

2015年，韓國三星電子投資136億美元（15.6萬億韓元），在韓國京畿道平澤市，建設12寸晶圓DRAM廠（Fab18）。該項目占地2.89平方公里，總產能預計將達到每月45萬片晶圓，其中3D NAND閃存芯片將占據一半以上。主要生產第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產。

行業高度壟斷——韓國三星獨占鰲頭

我們來看看市場情況，就知道中國為什么非要進攻DRAM市場了。半導體存儲器主要應用于臺式電腦、筆記本電腦、手機、平板電腦、固態硬盤、閃存等領域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導體存儲器銷售總額達772億美元。在全球3352億美元的集成電路產業中，占據23%的份額，是極為重要的產業核心部件。

其中DRAM內存主要用于臺式電腦、筆記本電腦，全球市場規模約420億美元，目前被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，占據90%以上的份額。從1992年以來，韓國三星在DRAM市場已經連續25年蟬聯世界第一，占據絕對壟斷地位，市占率超過60%。似乎無人可以撼動它的地位。

NAND Flash閃存主要用于手機存儲、平板電腦、SSD固態硬盤、大容量閃存，全球市場規模約300億美元，壟斷形勢更加嚴重。韓國三星、海力士、美國鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球99%的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了80%以上的份額。NOR Flash閃存屬于小眾產品，主要用于16M以下的小容量閃存，全球市場規模只有30億美元，由美國鎂光、韓國三星、臺灣旺宏、華邦、中國大陸的易兆創新等7家企業瓜分。

行業高度壟斷造成的結果，是前三大廠商可以輕易操縱產量和價格，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。2016年由于全球內存芯片缺貨，三星電子營業收入達到809億美元，利潤高達270億美元。韓國海力士收入142億美元，美國鎂光收入128億美元。

而中國廠商深受其害。中國是世界最大的電子產品制造國。2016年，光是中國就是生產了3.314億臺電腦，21億臺手機（其中智能手機占15億臺），1.78億臺平板電腦。與之相對應，2016年，中國進口DRAM產品超過130億美元。中國需要的存儲器芯片9成以上需要進口。國內DRAM產能也掌握在韓國海力士等外資廠商手中。

2015年起，美國鎂光（Micron），在新加坡Woodlands投資40億美元，擴建Fab 10X晶圓廠，主要生產第二代32層堆疊3D NAND閃存。2017年建成后，月產能14萬片晶圓，采用16納米工藝。

DRAM起源——IBM公司羅伯特·登納德博士的杰作

1960年代早期，美國電子產業，主要由IBM、摩托羅拉、德州儀器、美國無線電公司（RCA）等老牌企業控制。他們依靠二戰時期，美國政府的巨額軍工訂單，發展成為產業巨無霸。二戰后主要生產電視機、收音機等新興的家用電器，并為美軍武器提供電子裝備。電子計算機也是新的產業熱點，IBM具有領先優勢。

IBM公司在1956年，花費巨資從王安手里，購買磁芯存儲器專利，主要是為了解決大型計算機存儲數據問題。磁芯存儲器并不完美，不但磁芯容易損壞，而且價格昂貴，運行速度也慢。然而，磁芯存儲器比磁鼓有個重要優點：電腦斷電后，磁芯保存的數據不會消失。為解決磁芯存儲器存在的不足，IBM進行了長達十幾年的研究。

1961年，IBM在紐約州成立了以半導體為方向的托馬斯·沃森研究中心。仙童當時是IBM的半導體器件供應商，并且發展非常迅速。1965年，仙童公司的戈登·摩爾，在《電子學》雜志發表文章預言：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數量，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這個預言后來被稱為“摩爾定律”。

1966年，IBM托馬斯·沃森研究中心，34歲的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士，提出了用金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，來制作存儲器芯片的設想。原理是利用電容內，存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。每一個bit只需要一個晶體管加一個電容（1T/1C結構）。1968年6月，IBM注冊了晶體管DRAM專利(3387286號專利)。但是由于IBM正在遭受美國司法部的反壟斷調查，拖延了DRAM項目商業化進度，這給其他公司帶來了機會。

此時，晶體管集成電路已經成為產業熱潮，大批美國公司投入這一領域。1969年，加州桑尼維爾的Advanced Memory system公司，最早生產出1K容量的DRAM，并出售給計算機廠商霍尼韋爾。但是由于存在DRAM工藝上的缺陷，霍尼韋爾后來向新成立的英特爾公司尋求幫助。

1972年前后，英特爾公司為美國Prime電腦公司，生產的微型電腦主板上，焊接了128顆1K存儲容量的C1103 DRAM內存，組成128K容量的內存，以便運行類似DOS的操作系統。1GB=1048576KB，如今一根最普通的4G內存，容量等于這塊老古董的3.2萬倍。最大的單根內存容量達到128G，是這家伙的100萬倍。

英特爾C1103——DRAM內存商業化大獲成功

1967年，仙童半導體成立十年時，公司營業額已接近2億美元（作為對比1967年中國外匯儲備為2.15億美元）。但是隨著德州儀器、摩托羅拉、國家半導體在晶體管市場的崛起，仙童的利潤迅速下滑，加之巨額研發投入，企業內部矛盾嚴重。仙童的行業第一地位，迅速被德州儀器取代。

1968年8月，仙童總經理鮑勃·諾伊斯，拉著研發部門負責人戈登·摩爾辭職。從風險投資家阿瑟·洛克那里拉來250萬美元投資，正式成立了英特爾(Intel)公司，洛克出任董事長。Intel在英文中含有智慧和集成電路的意思，商標是花1.5萬美元，從一家酒店手里買的。當時公司只有諾伊斯和摩爾兩個員工，他們招兵買馬時，又從仙童公司挖來了工藝開發專家安迪·格魯夫，擔任運營總監。

英特爾成立之初，繼承了仙童的技術能力。公司制定的發展方向是研制晶體管存儲器芯片，這是一個全新的市場。當時的半導體工藝主要有雙極型晶體管，和場效應（MOS）晶體管。這兩項工藝都是仙童的長項。但是哪一種工藝用來生產的芯片更好，他們并不清楚。于是公司成立了兩個研發小組。1969年4月，雙極型小組推出了64bit容量的靜態隨機存儲器（SRAM）芯片C3101，只能存儲8個英文字母。這是英特爾的第一個產品，客戶是霍尼韋爾。

此時在美國電腦市場上，IBM已經成為無可爭議的霸主，被稱為藍色巨人，其他電腦廠商在重壓下苦不堪言。霍尼韋爾公司為了提高其計算機性能，正在尋找SRAM存儲器，這為英特爾帶來了市場機會。與此同時，仙童公司的市場主管杰里·桑德斯，又拉走了一批人，成立了AMD公司。由于融資困難，桑德斯找到了英特爾公司的諾伊斯尋求幫助，最后拉來了155萬美元投資。此后的半個世紀里，英特爾和AMD成為一對難分難解的競爭對手。

1969年7月，場效應管小組推出了256bit容量的靜態隨機存儲器芯片C1101。這是世界第一個大容量SRAM存儲器。霍尼韋爾很快下達了訂單。隨后，英特爾研究小組不斷解決生產工藝中的缺陷，于1970年10月，推出了第一個動態隨機存儲器（DRAM）芯片C1103，有18個針腳。容量有1Kbit，售價僅有10美元，它標志著DRAM內存時代的到來。

當時的大中型計算機上，還在使用笨重昂貴的磁芯存儲器。為了向客戶宣傳DRAM的性能優勢，英特爾開展全國范圍的營銷活動，向計算機用戶宣傳DRAM比磁芯更便宜（1比特僅需1美分）的概念。由于企業客戶出于安全考慮，不會購買獨家供貨的產品，必須要有可替代的第二供貨源。于是英特爾選擇了加拿大的一家小公司，微系統國際公司（MIL）合作，授權他們用1英寸晶圓生產線進行生產，每年收取100萬美元的授權費用。C1103的用戶主要包括惠普電腦的HP9800系列，和DEC公司的PDP-11計算機，產量有幾十萬顆。

1972年，憑借1K DRAM取得的巨大成功，英特爾已經成為一家擁有1000名員工，年收入超過2300萬美元的產業新貴。C1103也被業界稱為磁芯存儲器殺手，成為全球最暢銷的半導體芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型計算機上，也開始使用DRAM內存。到1974年，英特爾占據了全球82.9%的DRAM市場份額。

加入DRAM戰場——德州儀器、莫斯泰克、鎂光

1973年石油危機爆發后，歐美經濟停滯，電腦需求放緩，影響了半導體產業。而英特爾在DRAM存儲芯片領域的份額也快速下降。因為他們引來了競爭對手，主要有德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）和日本NEC。

早在1970年英特爾發布C1103后，德州儀器便對其進行拆解仿制，通過逆向工程，研究DRAM存儲器工藝結構。1971年德州儀器采用重新設計的3T1C結構，推出了2K產品。1973年德州儀器推出成本更低，采用1T1C結構的4K DRAM（型號TMS4030），成為英特爾的強勁對手。

莫斯泰克則是一家小公司，1969年，德州儀器半導體中心的首席工程師L.J.Sevin（MOS場效應管專家），拉著一幫同事辭職，在馬薩諸塞州成立了莫斯泰克（Mostek）公司，工廠設在德州卡羅爾頓，主要為計算機企業配套生產存儲器件。Mostek開發的第一個DRAM產品MK1001，只有1K容量。1973年，Mostek采用公司創始人Robert Proebsting設計的地址復用技術，研制出16針腳的MK4096芯片，容量提高到4K。16針腳的好處是制造成本低，當時德州儀器、英特爾和摩托羅拉制造的內存是22針腳。

憑借低成本，莫斯泰克逐漸在內存市場取得優勢。而英特爾此時將精力放在開發8080處理器上，在微型計算機市場取得巨大成功。1976年莫斯泰克推出了采用雙層多晶硅柵工藝的MK4116，容量提高到16K。這一產品幫助莫斯泰克擊敗英特爾，占據了全球75%的市場份額。

其后莫斯泰克又開發了64K容量的MK4164，到70年代后期，一度占據了全球DRAM市場85%的份額。但是隨著日本廠商廉價芯片的瘋狂沖擊，短短幾年時間，美國廠商就撐不住了。1979年，陷入困境的莫斯泰克，被美國聯合技術公司（UTC），以3.45億美元收購。后來又轉賣給了意法半導體。

1978年，從莫斯泰克離職的三名設計工程師，拉來風險投資后，在愛達荷州一家牙科診所的地下室，創辦了鎂光科技（Micron）。鎂光簽訂的第一份合約是為莫斯泰克設計64K存儲芯片。后來，鎂光從愛達荷州億萬富翁，靠生豬養殖起家的J.R.Simplot那里拉來了投資，開始建設第一座DRAM工廠。為了節省投資費用，工廠建設在一家廢棄的超市建筑里，肉類冷庫被改造成凈化車間，生產設備也是二手的。到1981年晶圓廠投產，只花了700萬美元，而新建一座同類工廠的投資額，一般是1億美元。鎂光的第一批產品是64K DRAM，主要供應給正在飛速崛起的個人電腦制造商。像當時銷量很高的Commodore 64電腦，就是采用鎂光64K內存。到1984年，鎂光推出了世界最小的256K DRAM。

與莫斯泰克類似，鎂光的敵人來自日本。1980年，日本研制的DRAM產品，只占全球銷量的30%，美國公司占到60%。到了1985年局勢已經完全倒轉。由于日本廉價DRAM的大量傾銷，鎂光被迫裁員一半，1400名工人失業。鎂光只得向美國政府尋求幫助。從1985年至1986年，英特爾連續虧損六個季度。DRAM市場份額僅剩下1%。當時，英特爾的年銷售額為15億美元，虧損總額卻高達2.6億美元，被迫關閉了7座工廠，并裁減員工。瀕臨死亡的英特爾，被迫全面退出DRAM市場，轉型發展CPU，由此獲得新生。

日本電子企業、汽車企業的兇猛攻勢，最終引爆了美日兩國的經濟戰爭。

舉國體制——籌集720億日元研制DRAM核心設備

在1970年代，日本盡管可以生產DRAM內存芯片，但是最關鍵的制程設備和生產原料要從美國進口。為了補足短板，1976年3月，經通產省、自民黨、大藏省多次協商，日本政府啟動了"DRAM制法革新"國家項目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資400億日元。總計投入720億日元（2.36億美元）為基金，由日本電子綜合研究所，和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構——“VLSI技術研究所”（超LSI技術研究組合）。研究所地址就選在，位于川崎市高津區的NEC中央研究所內。日立公司社長吉山博吉擔任理事長，根橋正人負責業務領導，垂井康夫擔任研究所長，組織800多名技術精英，共同研制國產高性能DRAM制程設備。目標是近期突破64K DRAM和256K DRAM的實用化，遠期在10-20年內，實現1M DRAM的實用化。（VLSI是超大規模集成電路的簡稱）

在這個技術攻關體系中，日立公司（第一研究室），負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置，右高正俊任室長。富士通公司（第二研究室）研制可變尺寸矩形電子束掃描裝置，中村正任室長。東芝（第三研究室）負責EB掃描裝置與制版復印裝置，武石喜幸任室長。電氣綜合研究所（第四研究室）對硅晶體材料進行研究，飯塚隆任室長。三菱電機（第五研究室）開發制程技術與投影曝光裝置，奧泰二任室長。NEC公司（第六研究室）進行產品封裝設計、測試、評估研究，川路昭任室長。

在產業化方面，日本政府為半導體企業，提供了高達16億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業打造DRAM集成電路產業群。到1978年，日本富士通公司，研制成功64K DRAM大規模集成電路。美國IBM、莫斯泰克、德州儀器也在同時發布了產品。這一年，由于日本64K動態隨機存儲器（DRAM）開始打入國際市場，集成電路的出口迅速增加。

1980年，日本VLSI聯合研發體，宣告完成為期四年的“VLSI”項目。期間申請的實用新型專利和商業專利，達到1210件和347件。研發的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、X射線、電子束的各型制版復印裝置、干式蝕刻裝置等，取得了引人注目的成果。針對難度大的高風險研究課題，VLSI項目采用多個實驗室群起圍攻的方式，調動各單位進行良性競爭，保證研發成功率。各企業的技術整合，保證了DRAM量產成功率，奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。

1970年代，日本松下電器京都府長岡工場，整齊排列的100臺自動焊線機，只需要10個人操作。該廠從1968年開始半導體生產。1970年代美國向馬來西亞、韓國、臺灣轉移電子制造業，以降低人力成本。日本則采用大規模自動化生產的方式來降低成本。日本報紙震驚地寫道：半導體工廠的人都消失了。

獲得豐厚回報——日本躍居世界第一大DRAM生產國

1977年，全球的個人電腦出貨量總計大約4.8萬臺。到1978年已經暴增至20萬臺，市場規模大約5億美元。其中美國Radio Shack公司（電器連鎖零售店）出售的Tandy TRS-80電腦銷量約10萬臺，均價600美元，銷售額6000美元，采用蓋茨新開發的操作系統，CPU則是從英特爾辭職的前首席設計師費金，研制的Zilog—Z80。蘋果公司的Apple II銷量達到2萬臺，平均單價1500美元，屬于高端貨，年銷售額約3000萬美元。個人電腦市場的高速增長，對內存產生了大量需求。這給日本DRAM廠商帶來了出口機會。

做出口貿易的都知道，出口貨不但價錢便宜，質量還要好。而在當時，美國人一般認為日本貨質量低劣，遠遠比不上美國貨。但是實際的結果令人大跌眼鏡。1980年，美國惠普公司公布DRAM內存采購情況。對競標的3家日本公司和3家美國公司的16K DRAM芯片，質量檢驗結果顯示：美國最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本最差DRAM公司的芯片不合格率，高出整整6倍。雖然惠普礙于情面，沒有點出這些公司的名字。但人們很快知道了，三家美國公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克，三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司為了拿到訂單，甚至在給銷售部門的指示上明確要求，要比美國公司的價格低10%。

質量好，價格低，量又足，日本DRAM內存在美國迅速崛起。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。這一年3月，日本NEC的九州工廠，DRAM月產量為1000萬塊（約1萬片晶圓）。到了10月，月產量暴增至1900萬塊。其產量之大，成品率之高（良率超過80%），質量之好，使得美國企業望塵莫及。與產量相伴的是，原來價格虛高的DRAM內存模塊，價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲芯片，現在只要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國企業由于芯片成品率低，根本無法與日本競爭，因此陷入困境。

1982年，美國50家半導體企業秘密結成技術共享聯盟，避免資金人力重復投資。可是這些合作項目剛剛啟動，就傳來了壞消息。美國剛剛研制出256K DRAM內存，而日本富士通、日立的256K DRAM已經批量上市。1983年間，銷售256K內存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、東芝之外，只有一家摩托羅拉是美國公司。光是NEC九州工廠的256K DRAM月產量，就高達300萬塊。日本廠商開出的海量產能，導致這一年DRAM價格暴跌了70%。內存價格暴跌，使得正在跟進投資更新技術設備的美國企業，普遍陷入巨額虧損狀態。難以承受虧損的美國企業，紛紛退出DRAM市場，又進一步加強了日本廠商的優勢地位。

1978年3月15日，日本朝日新聞，報道垂井康夫擔任所長的VLSI技術研究所，研制成功電子束掃描裝置。

低成本優勢——美國廠商節節敗退

1984年，日本DRAM產業進入技術爆發期。通產省電子所研制成功1M DRAM，三菱甚至公開展出4M DRAM的關鍵技術。日立生產的DRAM內存，已經開始采用1.5微米生產工藝。東芝電氣綜合研究所，則投資200億日元，建造超凈工作間。在這種超凈廠房內，每一立方米的凈化空氣中，直徑0.1微米的顆粒，不能超過350個。只有在這種條件下才能制備1M、4M容量的DRAM存儲器。與此同時，東芝研制出直徑8英寸（200mm）級的，世界最大直徑硅晶圓棒。到1986年，光是東芝一家，每月1M DRAM的產量就超過100萬塊。

日本企業大量投資形成的產業優勢，導致日本半導體對美國出口額，從1979年的4400萬美元，暴增至1984年的23億美元。五年間暴增52倍！而同時期，美國對日本出口的半導體，僅僅只增長了2倍。美國公司失去產品競爭力的后果，便是越想追趕越要投資，越投資虧損越大，陷入惡性循環。

以英特爾為例，本來到1978年前后，英特爾在莫斯泰克的猛攻下，已經成為美國DRAM市場的后進角色，美國市場占有率低于20%。但是隨著1980年后，日本DRAM產品大量出口美國，英特爾的日子就過不去下了。雖然DRAM產品只占英特爾銷售額的20%，但是為了保住這塊核心業務，公司80%的研發費用投向了DRAM存儲器，明顯是本末倒置。等到英特爾好不容易開發出新DRAM產品，此時日本廠商已經在低價傾銷成品，導致英特爾無利可圖，連研發費用都賺不回來。1984年至1985年間，陷入巨額虧損的英特爾，被迫裁員7200人，仍不能扭轉困局。1985年10月，英特爾向外界宣布退出DRAM市場，關閉生產DRAM的七座工廠。

1985年，全球半導體產業轉入蕭條，半導體價格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元，下降到1985年中旬的0.75美元。同期，256K DRAM由31美元下降到3美元。價格暴跌使美國英特爾、國家半導體等廠商撤出了DRAM市場。然而，就在同一年，日本NEC的集成電路銷售額，排名世界第一，企業營業額是二戰前的三百多倍，一舉超越長期是行業龍頭的美國德州儀器公司。憑借VLSI項目的成功，日本企業一舉占據了64K、128K、256K和1M DRAM市場90%的份額。

1991年6月，日本駐美大使村田良平，與布什政府的美國貿易代表卡拉·安德森·希爾斯，在華盛頓簽署新的五年期《日美半導體協議》。美國希望在1992年底前，能夠在日本半導體市場占據20%的份額。這個協議讓美國企業喘口氣，韓國半導體產業則異軍突起。到1995年底，外國半導體在日本市場占有率超過了30%。希爾斯這個女人非常厲害，中國的很多對美貿易談判，都是以她為對手。

韓國產業聯盟——四大財閥全力進攻DRAM產業

1976年，就在日本啟動VLSI研究項目的同時，韓國政府在龜尾產業區（漢城東南200公里），建立韓國電子技術研究所（KIET），分為半導體設計、制程、系統三大部門。每個部門都交由具備美國半導體產業研究經驗的專員領導。并招收美國歸來工程師，設置試驗生產線，協助企業研發集成電路關鍵技術。1978年，韓國電子技術所通過與美國硅谷的公司合資，建造了韓國第一條3英寸晶圓生產線（比臺灣工研院晚2年），并在1979年生產出16K DRAM。盡管比日本落后幾年，但這是韓國第一次掌握VLSI（超大規模集成電路）技術。

電子產業的景氣環境，促使韓國LG、現代等財閥，都加入了半導體產業。韓國貿工部因此牽頭，組建了韓國電子產業聯盟（EIAK）。該聯盟后來在韓國高科技產業發展中，扮演舉足輕重的角色。而三星、LG和現代，成為韓國在半導體領域進行技術突破的主力軍。1980年1月，三星電子與三星半導體合并，組成新的三星電子，專攻半導體領域。

到1983年，日本DRAM內存在美國市場大獲成功的時候，眼紅的韓國四大財閥——三星、現代、LG和大宇，全部安排資金，重資下注DRAM產業。它們的企業策略很明確：以較低的成本追趕日本DRAM產業。而韓國全斗煥政府，采取了金融自由化政策，松綁融資環境。1983年的股票價格上漲，讓韓國各財閥能夠輕易調動資金，投入到半導體產業。

韓國三星位于漢城以南30公里的龍仁市器興的產業基地。

技術起步期——三星從美國日本弄來技術

1983年2月，三星集團創始人李秉喆在東京發表宣言：宣布三星集團正式進軍半導體產業，并準備出資1000億韓元（約1.33億美元），執行這項計劃。在此之前，三星已經建立半導體實驗室，并聚焦在DRAM領域。三星之所以選擇DRAM，是考慮到在所有存儲產品中，DRAM的應用范圍和市場潛力最大。但是從技術領域看，三星當時存在著巨大的技術鴻溝。如何獲得先進核心技術呢？三星嘗試從國外引進技術，連續遭到美國德州儀器、摩托羅拉、日本NEC、東芝、日立等公司的拒絕。

最終，三星通過美國幾家陷入困境的小型半導體公司找到門路。當時美國鎂光科技規模還很小，已經被日本廉價DRAM擠壓得喘不過氣，還要投錢研發256K DRAM產品。于是鎂光將64K DRAM的技術授權給了韓國三星。三星又從加州西翠克斯（CITRIX）公司買到了高速處理金屬氧化物的設計。

獲得兩家美國公司技術后，三星分別在美國硅谷和漢城南部30公里的龍仁市器興（Giheung），設立兩個研發團隊，招募韓裔美國工程師，日以繼夜地消化吸收技術。硅谷團隊負責收集美國的產業技術資訊。器興團隊負責建設工廠，熟悉三星從日本夏普手里弄來的量產制程設備。日本夏普由于被通產省歸類為消費電子公司，而非IC半導體公司，因此不受出口技術規范管制。三星找到這個漏洞，從夏普買來設備。六個月后，三星的工程師成功掌握了，量產64K DRAM的301項流程，和其中8項核心技術，順利制造出生產模組。

1983年12月1日，三星電子社長姜振求召開記者招待會，宣布三星已經繼美、日兩國之后，成功自行研發出64K DRAM。1984年5月，三星第一座DRAM工廠在器興竣工，工期只用了半年。四個月后開始批量生產的64K DRAM。這比美國研制的同類產品晚了40個月，比日本晚了6年。當時三星生產線上的員工，多數是農村來的婦女，文化素質不高，但是服從性好。工廠技術管理，主要靠三星從美國高薪招募回來的韓裔工程師。

引進技術——八仙過海各顯神通

繼三星之后，韓國LG、現代，也通過引進國外技術，積累了核心技術能力。1984年，LG半導體接管了韓國電子技術研究所（KIET），掌握了老舊的3英寸晶圓生產線。1986年，LG投資1.35億美元，從美國AMD公司獲得技術授權，并和美國AT&T下屬的西方電子（Western Electric）成立合資公司。LG曾經試圖購買AT&T的256K DRAM以超越三星，結果未能如愿。LG因此在64K產品上落后于三星和現代。直至1989年，LG與日立簽署技術轉移協議，才取得穩定的技術來源。由于韓國當時已經完成對1M和4M DRAM的技術攻關。于是日立將自己的1M和4M DRAM量產技術轉移給LG，LG支付幾百萬美元的專利授權費用，產品以OEM方式直接出口給日立。日立這樣做，主要是為了獲得穩定的OEM供貨來源，使日立公司能夠騰出人力，專注于下一代16M DRAM的制程研發。同時，也可以使日立控制韓國競爭對手的產能。

韓國現代則比較特殊，這個財團以汽車造船和重型機械為主，幾乎沒有任何電子產業經驗。但是為了保持在汽車等產業的技術競爭力，勢必要發展電子工業。于是在1982年底，現代投資高達4億美元，啟動半導體研制項目。現代效仿三星，也在韓國和美國硅谷設置了兩個研發團隊。國內是由114名工程師組成的半導體實驗室，硅谷建立了現代電子的子公司，由韓裔美國工程師組成。1984年，韓國現代從硅谷華人陳正宇博士，經營的美國茂矽（Mosel）公司，購買64K SRAM設計，開發出16K SDRAM芯片并量產。由于缺乏經驗，導致現代的量產成品率低。（陳正宇隨后回到臺灣，成立了臺灣茂矽電子。）

無法承受虧損壓力——韓國大宇退出DRAM市場

面臨技術障礙的現代電子，被迫轉向OEM代工方式，獲得技術來源。1985年前后，由于美國廠商在日本進攻下節節敗退，美國德州儀器為降低制造成本，與韓國現代簽訂OEM協議，由德州儀器提供64K DRAM的工藝流程，改善產品良率。1986年，現代電子成為韓國第二家，量產64K產品的制造商（比三星慢了兩年）。由于技術基礎薄弱，現代的市場占有率遠弱于三星和日本企業。由于DRAM市場不景氣，現代承受了巨額虧損。幸好現代是大型財團，可以從汽車造船等其他部門，挪用資金來支持現代電子。事實上，現代電子從1982年投資4億美元到DRAM產業，要等10年后才能收回全部投資。尤其在前三年，現代電子承受了數億美元的巨額虧損。韓國大宇則在技術和資金壓力下，完全退出了DRAM市場競爭。

1982年至1986年間，韓國四大財團在DRAM領域，進行了超過15億美元的瘋狂投資，相當于同期臺灣投入的10倍。同時期，中國上海寶鋼項目投資40億美元左右。但是在電子工業方面，中國政府幾乎放棄了產業主導權。各省市胡亂花費了3-5億美元，購買外國淘汰技術，根本未能形成技術競爭力。而且在廣東、福建、海南、浙江等沿海省份，巨額走私日本、美國、臺灣電子元器件的沖擊下，中國電子工業徹底崩潰，就這樣跪了三十年也沒能爬起來。

面對韓國企業咄咄逼人的追趕態勢，日本廠商以低于韓國產品成本一半的價格，向市場大量拋售產品，有意迫使韓國人出局。結果韓國大型財團不但頂住巨額虧損壓力，追加投資，還讓日本企業承擔了美國反傾銷的壓力。美國與日本的紛爭，讓韓國漁翁得利。1992年，韓國三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內存制造商，并在其后連續蟬聯了25年世界第一。

1990年8月，韓國三星成為世界第三個推出16M DRAM內存芯片的企業。

韓國產業擴張——補齊短板搶占市場

從1990年開始，韓國三大企業已經具備了，趕超日本DRAM產業的技術體系建設。三星建立了26個研發中心，LG和現代各有18、14個研發中心。與之對應的是，三星的技術研究費用成倍增加。1980年三星在半導體領域的研發費用僅有850萬美元，到1994年已經高達9億美元。1990年三星還落后日本，第三個推出16M DRAM產品。到1992年，三星領先日本，推出世界第一個64M DRAM產品。1996年，三星開發出世界第一個1GB DRAM。與研發費用相對應，1989年韓國的專利技術應用有708項，1994年竄升至3336項。

但是作為產業后進者的韓國，仍然存在致命短板。韓國的核心生產設備和原料，主要從美國、日本進口。僅在1995年，韓國就進口了價值25億美元的半導體生產設備，其中47%自日本進口，30%來自美國。由于日本政府在設備管制方面的漏洞，韓國可以輕易買到日本先進設備，但是卻很難從日本引進技術。為了減少對外國供應商的依賴，1994年，由韓國政府主導，推出總預算2000億韓元（2.5億美元）的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和原料供應鏈。韓國貿工部在漢城南部80公里的松炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。為了挖來技術，韓國以優厚條件招攬美國化工巨頭杜邦、硅片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網屏）等廠商，在韓國設立合資公司。

完成量產技術積累后，韓國企業開始向產業廣度擴張，以三星為例：三星從美國SUN公司引進JAVA處理器技術，從法國STM（意法半導體）引進DSP芯片技術，從英國ARM引進聲音處理芯片技術，與日本東芝、NEC、沖電氣（OKI）展開新型閃存方面的技術交流。通過與美國、歐洲企業建立聯盟合作關系，三星在DRAM之外，獲得了大量芯片產業資源，開始向微處理器（CPU）等領域快速擴張。

1995年美國微軟公司推出Windows 95操作系統，受此影響，韓國與日本廠商瘋狂擴充產能，導致DRAM產品供過于求，引發DRAM價格暴跌70%。但是在美國的刻意扶植下，韓國廠商仍然力壓日本。1996年，韓國三星電子的DRAM芯片出口額達到62億美元，居世界第一，日本NEC居第二。韓國現代電子以21.26億美元居第三位。LG半導體以15.4億美元居第九位。

雖然產能在不斷增加，但為此投入的巨額資金，使得韓國和日本廠商都背負著巨額債務。當潮水退去時，才看出誰在裸泳。

臺灣DRAM產業起步——宏碁電腦咬牙進場

1989年，臺灣宏碁電腦（占股74%）與美國德州儀器（占股26%）合資，設立德碁半導體，投資31億元新臺幣（1.2億美元），由德州儀器提供技術，在新竹園區建設6英寸晶圓廠，生產1M DRAM產品。這是臺灣第一家專業DRAM生產廠。臺積電前廠長高啟全，也在這一年，集資8億元新臺幣，創立了旺宏電子，后來成為全球最大的只讀存儲器(ROM)生產商。

宏碁電腦最早是1976年，由施振榮等人創辦的一家小公司，靠生產計算器起家，后來生產小教授掌上學習機壯大，1988年宏碁股票上市。憑借臺灣股市瘋狂上漲籌措到充裕資金，宏碁看好電腦行業，便一頭扎進了DRAM產業。但是等到德碁設廠后，市場已經向4M DRAM過渡，宏碁只好追加投資。1990年前后，內存市場不景氣加上臺灣股市暴跌，逼迫德碁咬牙發行了9億元的三年期特別股，年息5%，期滿后由宏碁購回。

面對沉重的資金壓力，宏碁還將16%的德碁股份，轉讓給了中華開發信托公司。宏碁的苦日子熬了三年，直到1992年日本住友半導體環氧樹脂廠爆炸，引發DRAM價格谷底翻升，德碁才扭虧為盈。隨后又建設了一座8英寸晶圓廠。但是由于景氣周期影響，1997至98年德碁累計虧損超過50億元，美國德州儀器也受不了虧損，干脆把DRAM業務甩賣給了鎂光，跟臺灣宏碁的技術合作自然也就終止了。在失去技術來源后，到1999年，宏碁將德碁半導體，高價出售給了臺積電，賬面獲利超過200億元新臺幣。德碁也被臺積電改造成了晶圓代工廠。

工研院技術攻關——世界先進半途而廢

面對日本、韓國日新月異的DRAM技術能力，1990年，臺灣官方在美國顧問建議下，啟動了“次微米制程技術發展五年計劃”，目標是砸下58.8億元（約2億美元），攻克8英寸晶圓0.5微米制程技術，獲得4M SRAM和16M DRAM的生產能力。聯華電子、臺積電、華邦電子、茂矽電子、旺宏電子、天下電子等六家企業參與其中。由于臺灣并沒有相關的技術能力，臺灣方面找到了美國IBM公司，負責16M DRAM研制的盧超群博士等人，由他們在臺灣設立鈺創科技，將技術轉移到臺灣。

由于臺灣產業技術薄弱，1990年代之后，工研院電子所和從美國回來的研發人員，成為臺灣半導體產業發展的技術源頭。與此同時，美國半導體產業在日本廉價芯片攻勢下節節敗退，大規模裁員也迫使一批硅谷華人，回到臺灣創業。

1994年12月，臺灣省經濟部為了落實工研院的次微米計劃成果，決定在新竹園區，投資180億元（5億多美元），由臺積電占股30%，和華新麗華、矽統、遠東紡織等13家公司合股，成立世界先進積體電路股份有限公司（簡稱世界先進），建設臺灣第一座8英寸晶圓廠，以DRAM芯片為主攻業務。然而世界先進的經營狀況很不好，2001年虧損92.93億元，元氣大傷。到2003年，世界先進嚴重虧損，累計虧損達194.12億元，被迫退出了DRAM生產。在臺積電主導下，世界先進徹底轉型成了晶圓代工廠。從1994年至2003年，世界先進只有3年出現獲利，虧損卻長達7年。究其虧損原因，在于企業投資規模太小，產能微不足道，根本無力與韓國三星、日本NEC等巨無霸，進行同場廝殺。而張忠謀并不看好臺灣DRAM產業，臺積電的晶圓代工產能卻供不應求，于是張忠謀力爭將世界先進，向晶圓代工廠轉型。

世界先進是臺灣唯一一家，能夠進行DRAM產業技術研發的企業。其他企業全部是花費巨額資金，從日本、美國獲得制程技術授權。每年付出的技術費用，占銷售額3%以上。再加上巨額進口設備投資，使得臺灣企業根本無法與掌握自主技術研發能力的韓國企業競爭。世界先進的垮臺，最終導致臺灣DRAM產業如同無根之木，注定了失敗命運。

力晶瘋狂投資——十年虧損一年賺回

1993年，臺灣電腦主板生產廠——精英（力捷）電腦的董事長黃崇仁，在全球DRAM嚴重缺貨的情況下，跑到日本東芝要貨，卻吃了閉門羹。黃崇仁決定自行投資生產DRAM。在從日本三菱電機獲得技術授權后，1994年黃崇仁投資4億元新臺幣，在新竹園區成立了力晶半導體。由于財力薄弱、技術薄弱，力晶面臨極大的困難，直到1996年才建成了第一條8英寸生產線，以0.4微米工藝生產16M DRAM/SDRAM。1998年2月力晶股票成功上市，但是由于0.18微米制程的生產良率問題，加上市場不景氣，到1998年底，力晶稅前虧損38億元，四年累計虧損65.69億臺幣，已經到了存亡關頭。黃崇仁在情急之下，找張忠謀幫忙。張忠謀趁機用臺積電控股的世界先進，向力晶注資27億元，獲得日本三菱電機和兼松商社釋出的11%力晶股份，成為力晶最大股東。在張忠謀引導下，力晶也開始向晶圓代工轉型。

2000年DRAM產業景氣大好。此時只有一座8英寸廠的力晶，宣布投資600億元（19億美元）巨額資金，建設12英寸晶圓廠。這是一項極為瘋狂的投資。工程開始后，景氣卻迅速下滑，為了籌集資金，力晶發行了2億美元公司債。到2002年12寸新廠建成，力晶連年虧損。由于三菱電機將DRAM業務并入爾必達，力晶于是和爾必達結成同盟，獲得90納米技術授權。2003年力晶又動工興建了第二座12英寸廠。直至2004年，力晶的12寸晶圓廠，成為全球唯一將256M SDRAM生產成本，降至3美元以下的廠商。當年盈利高達165.49億元（約5億美元），把過去十年賠掉的錢，一次賺了回來。力晶的股價也順勢大漲，成為臺灣DRAM股王。

2004年是一個節點，英特爾在向業界力推新規格的DDR2內存，以淘汰DDR內存。全球DRAM產業從8英寸廠向12英寸廠轉移產能，以降低制造成本。一片12英寸晶圓，雖然材料成本比8英寸晶圓貴52%，但是產量是8英寸晶圓的2.25倍，可以使產品顆粒成本下降30%左右。但是8英寸廠的投資額約10-15億美元，12英寸廠的投資額，竟暴漲至20-25億美元。在2000年市場景氣時，幾乎每一家廠商都放話要蓋12英寸晶圓廠，然而經過兩年景氣衰退，還敢投資建設12寸廠的業者，只剩下了八家——分別是韓國三星、海力士，美國鎂光，德國英飛凌，日本爾必達，臺灣的茂德、南亞科技和力晶。無力建設12寸晶圓廠的公司，也就只好洗牌出局，去做晶圓代工了。2006年力晶與日本爾必達合作成立瑞晶電子，用老舊的8寸生產線，專門做晶圓代工業務。并規劃5年內在臺灣中部科學園區，建設4座月產能6萬片的12英寸晶圓廠。總投資額高達4500億元新臺幣（約136億美元）。同年瑞晶又將旺宏電子閑置的12寸生產線收購過來，專門進行代工生產。

土豪股東——臺塑集團重資下注

1995年3月，臺灣龍頭企業臺塑集團，成立南亞科技，在臺北縣南林園區設立8英寸DRAM廠，月產能3萬片。技術來自日本沖電氣（OKI）授權的16M DRAM。臺塑為了解決晶圓供應問題，還投資42億元臺幣，與日本小松合資成立了專門生產高純度晶圓棒材的工廠。這就使南亞具備了成本優勢。南亞的每片8寸晶圓制造成本約1000美元，比同業的1300-1400美元要低很多。

由于遇到景氣衰退，南亞科技從建廠起就連年虧損。但是憑借臺塑集團資本雄厚，1998年7月，南亞科技在DRAM市場最低迷的時候，開工建設第二座8寸晶圓廠，并與美國IBM簽訂了0.2微米64M DRAM的技術授權協議。南亞當時是IBM服務器DRAM的主要供應商之一。到2000年8月，南亞試生產的0.175微米64M DRAM開始大量投片，良率達到70%，每片8寸晶圓可以產出1050顆成品，加上封裝測試費用，每顆成品的成本只有2美元左右。如果按照月產能3萬片計算，每月可生產3150萬顆左右的DRAM芯片顆粒，價值超過6000萬美元。但是由于產業不景氣，2001年南亞虧損115.64億元（3.5億美元）。幸虧臺塑集團籌集巨資才度過難關。

到2002年，全球DRAM產業不景氣，由英特爾主推的Rambus內存，因技術原因敗給了DDR內存，DDR成為市場主流。而南亞憑借DDR內存的成本優勢，盈利100億元（2.86億美元），成為臺灣五大DRAM廠中，唯一盈利的廠商。老牌DRAM大廠華邦電子，由于不堪虧損，干脆轉去做晶圓代工了。

2003年1月，南亞科技與德國英飛凌合資，成立華亞科技，雙方各占股46%，投資22億美元（820億元新臺幣），建設12英寸晶圓廠，產量由雙方平分。到2006年，臺灣一度轟轟烈烈的DRAM產業熱潮，還剩下六家廠商。其中三家是自主品牌廠商：南亞科技、茂德和力晶。還有三家是專做DRAM代工的廠商：華邦電子、新成立的華亞科技和瑞晶。其中華亞為德國英飛凌代工，瑞晶為日本爾必達代工生產DRAM。

德國英飛凌——臺灣茂德、南亞、華亞的技術后

英飛凌前身是德國西門子的半導體部門。1996年，臺灣茂矽電子（占股62%）與西門子的半導體部門合資，投資450億元新臺幣，在新竹園區成立茂德電子，建設8英寸晶圓廠。采用西門子提供的制程生產DRAM晶圓，產量由兩家分配。1998年由于產業不景氣，西門子半導體部門從集團分離出來，成立了英飛凌，繼承了西門子在半導體領域的三萬多項專利，是當時僅次于三星、鎂光的第三大DRAM廠商，2001年營業額57億歐元。

2001年起，由于DRAM產業不景氣，茂矽虧損300億元新臺幣，并大量質押茂德股票，引發與英飛凌的矛盾。2002年10月，英飛凌突然與茂矽中斷合資關系，終止技術授權合約，并停止采購茂德的晶圓。此后茂矽大量回購茂德股票，英飛凌則轉向與南亞科技合作，由此組建了華亞半導體。英飛凌撤資后，茂德為了救急，先后與英飛凌的對手，日本爾必達和韓國海力士達成合作關系。此后的發展非常艱難，2007年金融危機后，茂德便一直虧損，到2012年破產時，負債高達700億元（約21億美元），已經完全資不抵債。

英飛凌與南亞科技合作建設12英寸晶圓廠，希望通過合資方式掌握產能，挑戰三星電子，目標是拿下全球30%的市場。然而建廠耗資巨大，市場卻不景氣。2005年，全球DRAM市場增長了57%，但內存平均價格下跌了40%。英飛凌為了規避風險，于是將虧損嚴重的DRAM業務分離出來，于2006年3月成立了奇夢達（Qimonda）。（2009年奇夢達破產后被中國浪潮集團并購。）

與此同時，2006年3月，南亞科技再次砸下800億元臺幣（24億美元），開工建設第二座12英寸晶圓廠。原因是2005年7月，微軟推出了Windows Vista操作系統。臺灣廠商押寶該系統，會讓消費者購買更多的DDR2內存。然而市場對Vista的冷淡反應，讓人措手不及。更嚴重的是，一場席卷全球的金融風暴，徹底摧毀了臺灣DRAM產業的未來。

全球金融危機——壓垮臺灣DRAM產業

2007年8月，由美國次貸危機引發的金融風暴席卷全球。由于內存供過于求，價格出現全面崩盤。2007年1月，512M 667MHz DDR2顆粒的價格還有6美元，到年底已經跌破成本價，僅為1.09美元。反映在中國市場上，2007年初，一根1GB 667MHz DDR2內存條的售價還在250元左右，甚至在暑期一路漲到360元。但是從8月中旬起，由于內存廠商降價清空庫存，以應對經濟危機，中國海關趁機放寬內存條進口，導致內存價格一路暴跌。到年底1G內存條的價格僅為110元，現代512M DDR2內存條的價格僅有65元。囤貨炒內存條的商家因此虧到吐血。

反映到企業業績上，全球DRAM廠商更是虧到哭。從2007年至2008年底，全球DRAM行業累計虧損超過125億美元，臺灣DRAM產業更是全線崩盤。其中資本實力最為雄厚的南亞科技，從2007年起，連續虧損了六年，累計虧損1608.6億元（約49億美元），最慘的時候每股凈值只剩下0.09元。華亞科技從2008年起，連續虧損五年，累計虧損804.48億元（約24.4億美元）。這兩家由臺塑集團投資的DRAM廠，一共虧損2413.08億元（約73億美元）。如果不是臺塑集團實力雄厚，南亞與華亞早就破產倒閉了。

2008年最慘的時候，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。幾乎每天虧損1億元。臺灣五家DRAM廠共虧損1592億元（約48億美元），創歷史紀錄。2009年初，臺灣所有DRAM廠家放無薪假。

致命缺陷——臺灣缺乏自主核心技術

2008年金融危機越燒越旺時，臺灣官方便提出將臺灣六家DRAM廠整合的計劃。與韓國相比，臺灣六家DRAM廠占全球市場份額還不到20%。也就是說，六家捆到一起，還抵不上韓國三星一家的產能。問題還不僅僅如此，臺灣廠商主要存在三個致命問題：一沒有核心技術研發能力，要花大價錢從日本、美國、德國廠商手里購買技術授權。國際上DRAM廠的平均研發費用要占企業營收的15-20%，而臺灣僅6%。每年臺灣向外國支付的技術授權費用超過200億元新臺幣（約6億美元）。僅2007年，臺灣四大DRAM廠支付的技術授權費就高達4.7億美元。

二是沒有制程設備研制能力，臺灣每年要花費十幾億美元巨額資金，去購買日本、美國的設備。可是今年花十幾億美元進口的90納米設備，明年別人已經采用65納米制程了。日本、韓國都擁有一定的設備研制能力，在設備成本上要遠低于臺灣。三是臺灣沒有市場縱深，全要仰賴日本、韓國、美國、中國大陸廠商的采購訂單。平時日本、韓國廠商能扔些訂單到臺灣。而一遇經濟危機，日韓訂單萎縮，臺灣廠商立時陷入困境。臺灣的DRAM產品在容量、性能、品質、價格、品牌上都處于劣勢，怎么跟韓國競爭？

臺灣這種只圖快進快出，靠購買技術授權、制程設備來快速擴充產能、賺快錢的經營模式。在面臨韓國、日本財閥式經濟集團的重壓時，根本不堪一擊。

臺灣DRAM產業整合——烏合之眾難成氣候

為挽救債臺高筑的DRAM廠，臺灣官方的計劃是進行產業整合。成立“臺灣記憶體公司”（Taiwan Memory Company，TMC），由聯華電子副董事長宣明智負責，對六家DRAM廠進行控股整合。同時與日本爾必達或美國鎂光談判，合作推進自主技術研發。臺灣官方希望TMC是一家民營企業，政府投資越少越好，最多不超過300億元新臺幣。

由于日本爾必達也在金融風暴中陷入困境，因此愿意向臺灣提供全部核心技術，以換取臺灣的援助資金。但是臺灣各家DRAM廠卻并不愿意整合。因為各家公司背后都有不同的技術合作對象，采用的技術不同。而且臺灣官方的整合計劃，并不能挽救各家工廠的財務困境，因此整合工作很難推進。與此同時，臺灣媒體也在火上澆油。如2009年3月7日，臺灣自由時報，以《國發基金小心掉進大錢坑》為題，指稱TMC是個錢坑，DRAM產業面臨產能過剩、流血競爭等局面。

到2009年10月，“DRAM產業再造方案”在立法院審議時遭到否決，禁止國發基金投資TMC公司。與此同時，由于奇夢達破產和Windows7帶來的換機熱潮，推動DRAM市場景氣回轉，產品價格持續飆升。之前陷入困境的各家廠商，情況出現好轉。日本爾必達也因此拒絕向臺灣轉讓核心技術。臺灣DRAM產業整合計劃，就此徹底失敗。

市場景氣的暫時回暖，并不能改變臺灣DRAM產業小而散、缺乏技術、缺乏競爭力的局面，注定了它們被淘汰的命運。2010年，韓國三星砸下18萬億韓元（約170億美元，合1100億元人民幣）巨額資金，傾全力發展DRAM和NAND閃存技術，血洗內存產業。日本、臺灣廠商迅速敗下陣來。

2012年2月，日本爾必達宣布破產，負債高達4480億日元（89.6億美元），是日本史上最大的破產案件。同月，臺灣茂德申請破產保護，虧損總額超過700億元新臺幣（約21億美元）。南亞科技在2012年虧損360億元，等于每天賠掉1億元。自從奇夢達破產后，南亞科與美國鎂光結成聯盟。臺塑旗下的華亞科技，從2008年至2012年，連續虧損五年，虧損總額達744.98億元（約22.6億美元）。2013年至2014年，華亞科技扭虧為盈，獲利高達741億元（含巨額退稅）。盈虧相抵，僅虧損4億元新臺幣。2015年12月，美國鎂光以32億美元（206億元人民幣），收購臺灣華亞科技67%的股份。臺塑集團終于甩掉了這個燙手山芋。

綜觀臺灣DRAM產業發展三十年來，最終落得一地雞毛。究其根源，在于臺灣省政府盲目聽信美國主導的自由市場經濟理論。1980年代，臺灣省政府還能在產業政策、產業技術上，對DRAM產業進行扶持。到2000年后，盡管***政府提出了“兩兆雙星”產業政策，但是對DRAM產業、液晶面板產業缺乏扶持力度，缺乏產業主導能力，導致臺灣DRAM、液晶面板產業，在小而散的錯誤道路上越走越遠，最終被韓國企業全面擊潰。

臺灣的產業失敗經歷，是用500億美元巨額投入換來的。這個教訓足夠深刻。

全球DRAM產業復雜的競爭與合作關系，如同春秋戰國時期的合縱連橫。強者恒強，高度壟斷。

中國大陸入局——一場只許勝不許敗的戰爭

在外資廠商市場壟斷下，華為、中興、小米、聯想等中國手機、PC廠商，經常遇到DRAM缺貨情況。而在中國國內，僅有中芯國際具備少量DRAM產能，根本無法實現進口替代。

怎么辦呢？有錢可以買吧？2015年7月，中國紫光集團向全球第三大DRAM廠商，美國鎂光科技，提出230億美元的收購要約。結果被鎂光拒絕了，理由是擔心美國政府，會以信息安全方面的考慮，阻撓這項交易。

那就自己造吧。于是從2016年起，中國掀起了一場DRAM產業投資風暴。紫光集團宣布投資240億美元，在武漢建設國家存儲器基地（武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠），占地超過1平方公里，2018年一期建成月產能20萬片，預計到2020年建成月產能30萬片，年產值超過100億美元。計劃2030年建成月產能100萬片。福建晉華集團與臺灣聯華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設12英寸晶圓DRAM廠，2018年建成月產能6萬片，年產值12億美元。規劃到2025年四期建成月產能24萬片。合肥長鑫投資494億（72億美元），2018年建成月產能12.5萬片。

2017年1月，紫光集團宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D NAND FLASH（閃存）、DRAM存儲芯片。

上述四個項目總投資超過660億美元（4450億元人民幣）。確實有點瘋狂。