晶圓，始于薄的圓柱型晶硅，直徑一般分150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）、300毫米（12英寸），通過在晶圓上鍍上各種材料成為多層膜和幾何圖形，最終產(chǎn)生出成千上萬很小的電子器件。多維科技生產(chǎn)的TMR磁傳感器芯片，最小尺寸可達(dá)到0.5mm×0.5 mm，與20年前單個(gè)器件占據(jù)的面積相比，這個(gè)尺寸小很多。

晶圓的制造過程可劃分為前道（Front-end）和后道（Back-end），前道包括晶圓處理工序（WaferFabrication）和晶圓針測(cè)工序（WaferProbe），后道包括封裝工序（Packaging）和測(cè)試工序（InitialTestandFinalTest）。晶圓的整個(gè)制造過程中會(huì)涉及到很多物理、化學(xué)過程。

一、前道（Front-end）

1、晶圓處理工序WaferFabrication

本工序的主要工作是在晶圓上制作磁路和電路，其處理程序的基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化和物理/化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行鍍膜、光刻、刻蝕、回火等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成磁性傳感器芯片的加工與制作。

2、晶圓針測(cè)工序WaferProbe

經(jīng)過晶圓處理工序后，晶圓上即形成許多小格，稱之為晶方或晶粒（Die）。在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品；這些晶圓必須通過晶片允收測(cè)試，晶粒將會(huì)逐一經(jīng)過針測(cè)（Probe）儀器以測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)（InkDot），此程序稱為晶圓針測(cè)工序（WaferProbe）。然后晶圓將依晶粒為單位被切割成一粒粒獨(dú)立的晶粒。

二、后道（Back-end）

1、封裝工序Packaging

將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機(jī)械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（IntegratedCircuit；簡(jiǎn)稱IC）。

2、測(cè)試工序InitialTestandFinalTest

芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專門測(cè)試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠，而未通過測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定為降級(jí)品或廢品。