5月23日,在張江舉辦了一場(chǎng)2個(gè)小時(shí)的研討會(huì),主題是On-chip ESD,演講者由在on-chip ESD 領(lǐng)域耕耘了近20年的Sofics以及兩個(gè)合作伙伴Moortec 和 HHGRACE 共同分享最新項(xiàng)目成果和合作的點(diǎn)點(diǎn)滴滴。 On-chip ESD 雖然是小眾方向,但是不能缺少,因?yàn)镋SD的HBM,MM,CDM不容易仿真,一定要等芯片出來(lái)后做了測(cè)試才知道結(jié)果,所以一旦失敗,整個(gè)芯片的研發(fā)周期會(huì)拖延,造成比較大的損失。當(dāng)然,對(duì)于高速電路這塊的應(yīng)用,ESD在寄生電容,電阻,這塊的性能通過(guò)仿真可以獲得,對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)等超低功耗的應(yīng)用,ESD的漏電性能還是提前可以獲得的,所以對(duì)于以上的應(yīng)用,如果最基礎(chǔ)的性能都沒(méi)有達(dá)標(biāo),就需要尋找好的解決方案,特別在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)16nm,12nm, 7nm, 流片昂貴的時(shí)代,ESD 一次成功顯得尤為重要。
Sofics 的演講非常接近應(yīng)用,主要介紹了在人工智能、汽車電子,消費(fèi)應(yīng)用、大數(shù)據(jù)、醫(yī)療應(yīng)用、移動(dòng)應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)、太空應(yīng)用、可穿戴等方面的案例。
在高速傳輸這塊的應(yīng)用,基本都是先進(jìn)節(jié)點(diǎn)(28,16,7nm),大數(shù)據(jù),硅光電等很多IO接口都有非常高的SPEC要求, 比如寄生電容,Sofics 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)20fF 以下,在PAD中沒(méi)有引入ESD電阻等。
在和HHGRACE合作的在0.11um e-flash 平臺(tái)中,實(shí)現(xiàn)了超低功耗的ESD解決方案,為后續(xù)IOT的應(yīng)用,提供了非常好的解決方案。其中HBM性能>8keV, 總體漏電小于20 nA,5nA (5.5V, 125 degree) 也顯示了雙方合作的完美。
在和英國(guó)IP 供應(yīng)商Moortec,和Icsense三方的合作中,Sofics 成功得在28nm, 1.8V 工作電壓的工藝下,實(shí)現(xiàn) 3.3V ESD clamp, 讓超壓IO輸出變成了可能,特別對(duì)那些設(shè)計(jì)公司,想在設(shè)計(jì)電路中,實(shí)現(xiàn)工作電壓只有0.85V到1.8V的MOSFET器件做超壓輸出的,給了一個(gè)非常好的方向和選擇。
雖然研討會(huì)只有2個(gè)小時(shí),會(huì)后,大家討論得非常熱烈,也非常希望國(guó)內(nèi)有一個(gè)好的ESD信息共享的平臺(tái),因?yàn)橹挥袊?guó)內(nèi)外多交流,才能知道差距,互相學(xué)習(xí),實(shí)現(xiàn)最終超越。 XMOD作為研討會(huì)的組織者,也希望把歐洲更多小而美的公司技術(shù)資源轉(zhuǎn)移落地到國(guó)內(nèi),相信,通過(guò)一個(gè)個(gè)小的技術(shù)點(diǎn)差距的彌補(bǔ),能像星星之火一樣,最終幫助到國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。關(guān)于研討會(huì)的演講資料,如果感興趣的,可以留言或者私信,在經(jīng)過(guò)作者允許后,后續(xù)上傳公司網(wǎng)站,分享給大家。
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