本文我們將介紹快閃存儲器（Flash）家族家族，它屬于非易失性存儲器。Flash可以分為兩大類：或非閃存器（NORFlash）和與非閃存器（NAND Flash）。目前全世界做NOR Flash的公司主要有美光科技、旺宏、華邦、兆易創新等企業，而做NAND Flash的公司有三星電子、SK海力士、東芝、美光科技和長江存儲。

NOR Flash原理介紹

NOR Flash的最大特點在于：程序可以直接放在NOR Flash上執行，無需放到RAM中執行。NOR Flash的結構圖如下所示，可以看出NOR Flash存儲單元的并聯結構決定了其具有可獨立尋址并且讀取效率高的特性，因此適用于存儲程序，而且程序可以直接在NOR 中運行（即具有RAM的特性）。

NOR Flash結構圖

我們再看下NOR Flash的版圖結構，其金屬導線占據了較大面積，因此其存儲密度低，無法適用于大容量存儲，適合存儲內容較少的執行代碼，因此其常用作電腦的BIOS固件存儲器。

NOR Flash版圖

NANDFlash原理介紹

NAND Flash的最大特點在于其具有高存儲密度，被廣泛應用于各種數字終端設備中。下圖中的NAND Flash版圖中，可以看出其串聯結構極大降低了金屬導線的面積，使其存儲密度更高。

NAND Flash版圖

同時其結構如下所示，串聯結構決定了NAND FLASH無法進行位讀取，也就無法實現存儲單元的獨立尋址，因此程序不可以直接在NANDFLASH中運行，所以NANDFLASH是以Page為讀取單位和寫入單位，以Block為擦除單位。相比NOR Flash，其擦除和寫入的速度也會更快。

NAND Flash結構圖

Page和Block介紹

從NOR Flash和NANDFLASH的歷史中理解其特性

在1967年發明EEPROM之后，人們發現其擦寫速度較慢，而且體積較大。因為每個EEPROM都需要配一個選擇的MOS管，更多的是運用在單片機中來存儲程序代碼。而后來計算機中出現了存儲少量固定可執行代碼的需求，終于在1988年Intel發明了NOR Flash，不僅可以直接執行代碼，而且讀寫以及擦除的速度更快，整體面積相比EEPROM還更小。

后來為了滿足大數據量存儲的需求，需要降低單位bit的成本，因此東芝在1989年發明了NAND Flash。而NAND Flash的最大特點就是高存儲密度和低成本。雖然NAND Flash可以重復擦寫的次數比NOR Flash要少，但是可以通過軟件控制存儲位置，利用其更高存儲密度的特點，讓每個位置被寫的次數控制得均勻一些，這對延長存儲器壽命具有重要作用。

產品需求的變化一直在激勵著半導體存儲器不斷推陳出新，創造出更好的產品。可以說創新已經成為發展存儲器的關鍵。

本文轉載自：今日頭條（作者：全民說芯）
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