您的功耗相關設計可以節省雙MOSFET的空間，因為您經常成對使用這些功能。飛兆半導體（圖片）的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護應用（V GS = 2.5V）和低導通電阻。這些雙器件采用BGA封裝，印刷電路板面積為0.10 cm，約為可比SO-8器件面積的三分之一。

N通道雙器件具有R DS（ON） 0.018W，V GS = 4.5V，0.030W，V GS = 2.5V; P溝道器件的可比數字為0.045和0.075W。 BGA封裝，安裝在印刷電路板上時僅高0.70 mm，具有出色的散熱特性和尺寸。例如，N溝道器件支持高達9A的連續漏極電流。這些雙MOSFET還提供SuperSOT-8和TSSOP-8封裝;價格從85美分（10,000）開始。

如果您需要低壓雙器件，您可以考慮使用Siliconix/Vishay Intertechnology的P和N通道Si3552DV，雙P溝道Si3909DV和Si3905DV，以及雙N溝道Si3948DV。這些器件的工作電壓低至1.8V，采用TSSOP-6封裝，但由于導通電阻比其前代產品低61％，因此可替代更大的SOT-23 MOSFET。根據您選擇的器件，您可以獲得關鍵參數的組合，包括R DS（ON） = 0.20W，V GS = - 4.5V（-20V擊穿），R DS（ON） = 0.265W，V GS = - 1.8V（-8V擊穿）;和R DS（ON） = 0.105W且R DS（ON） = 0.200W ，均為V GS = 10V。您可以以26美分（100,000）的頻率訪問TSOP-6雙MOSFET。

最后，國際整流器公司的IRF7901D1將高端控制FET和低側同步FET與并聯肖特基二極管放在一起。 SO-8封裝，用于同步降壓DC/DC轉換器架構。該IC最大限度地減少了外部印刷電路板走線并減少了雜散電感，從而對效率和性能產生不利影響。使用這款65美分（100,000）IC，您可以在5,3.3和1.8V輸出時提供高達5A的峰值輸出，效率高達96％。該供應商還提供了一個設計套件，可讓您評估應用中的離散對雙FET方法。