加利福尼亞州圣塔克拉拉 - 應(yīng)用材料公司今天在這里宣布了它所說(shuō)的第一個(gè)具有生產(chǎn)價(jià)值的產(chǎn)品，用于臨界尺寸（CD）計(jì)量的在線(xiàn)掃描電子顯微鏡（SEM）。

VeraSEM 3D擴(kuò)展了應(yīng)用于去年初推出的第一個(gè)VeraSEM系統(tǒng)的功能（見(jiàn)1999年2月1日，故事）。雖然該系統(tǒng)可以處理0.15微米的器件特征尺寸，但新系統(tǒng)的3-D能力可將器件特征的側(cè)壁輪廓成像至0.10微米（100納米），其斜率分辨率高達(dá)10倍。

“隨著芯片幾何尺寸縮小，傳統(tǒng)的線(xiàn)尺寸和接觸孔直徑測(cè)量不能提供足夠的信息來(lái)嚴(yán)格準(zhǔn)確地監(jiān)控工藝質(zhì)量，”總裁Gino Addiego說(shuō)。應(yīng)用材料公司的過(guò)程診斷和控制組。 “同時(shí)，通過(guò)CD測(cè)量，VeraSEM 3D可以通過(guò)立體側(cè)壁成像（包括高縱橫比接觸孔和溝槽）提供最具侵略性特征的斜率和形狀視圖。”

VeraSEM 3D預(yù)計(jì)也將成為新興銅加工應(yīng)用的關(guān)鍵，保持斜坡形狀對(duì)于防止雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中的空隙至關(guān)重要。

在線(xiàn)工作，VeraSEM 3D可在幾秒鐘內(nèi)完成所需的工作時(shí)間應(yīng)用說(shuō)，通過(guò)離線(xiàn)分析，從而為芯片制造商節(jié)省了寶貴的時(shí)間和金錢(qián)。在線(xiàn)操作還可以通過(guò)潛在地消除對(duì)大量昂貴的測(cè)試晶片的需求來(lái)節(jié)省成本。

與需要離線(xiàn)破壞性測(cè)試的其他型材查看技術(shù)（如橫截面SEM）不同，VeraSEM 3D允許在工藝步驟之間快速監(jiān)控晶圓，并自動(dòng)向操作員發(fā)出邊緣或不符合要求的警報(bào)條件。 VeraSEM 3D還具有全自動(dòng)，“無(wú)操作員”操作，高吞吐量，共享數(shù)據(jù)庫(kù)，離線(xiàn)編程和在線(xiàn)數(shù)據(jù)分析。該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)接受200毫米和300毫米晶圓，只需極少的變化。

Applied和美國(guó)的芯片和光刻工具制造商已經(jīng)訂購(gòu)了幾個(gè)VeraSEM 3D系統(tǒng)。這些系統(tǒng)還用于應(yīng)用材料公司在圣克拉拉的自有技術(shù)設(shè)施的先進(jìn)蝕刻工藝開(kāi)發(fā)。

圣何塞市場(chǎng)研究公司Dataquest Inc.估計(jì)CD-SEM系統(tǒng)市場(chǎng)1998年為2.22億美元，預(yù)計(jì)到2003年將增長(zhǎng)到5.59億美元。