新的Litho PMC解決方案結(jié)合先進的光刻膠和晶圓的缺陷檢測和計量系統(tǒng)，并采用先進的軟件并與PMC集成-Net，將Litho PMC的所有過程數(shù)據(jù)和組件匯總成一個自動化和可定制的數(shù)據(jù)收集，控制，分析和報告系統(tǒng)

KLA-Tencor光刻的集團副總裁Rick Wallace表示集團，0.13微米節(jié)點標志著幾個具有挑戰(zhàn)性的技術(shù)轉(zhuǎn)變 - 亞波長光刻，銅/低k互連和300毫米晶圓處理 - 將開始趨同。他說，制造過程的控制變得與過程本身一樣重要。

“控制光刻過程是防止這些技術(shù)轉(zhuǎn)變導致的過程偏移和產(chǎn)量損失缺陷的第一道防線，”華萊士解釋道。 “為了成功實現(xiàn)這一目標，需要新的軟件功能來解決深亞波長光刻技術(shù)所特有的挑戰(zhàn)。這些軟件解決方案需要與基本的缺陷檢測和參數(shù)測量系統(tǒng)一樣強大?！?/p>

深亞波長技術(shù)需要新的控制和建模功能，因為第一次，光罩上的主圖像沒有完全復制在晶圓上。

“鑒于這些新的復雜性，0.13微米的光刻工藝窗口變得如此之小，以至于芯片制造商需要正確的光刻工具和前所未有的光刻工藝控制策略來保持高產(chǎn)量，”KLA的Scott Ashkenaz表示。 Tencor的光刻模塊解決方案副總裁。 “分辨率增強技術(shù)使窗口打開時間更長，但即使這些方法也極易受到工藝變化的影響，這會影響CD控制，重疊精度和缺陷率。同時，芯片制造商面臨更大的器件復雜性和增加的挑戰(zhàn)器件層，使其光刻工藝控制策略成為器件制造的關(guān)鍵組成部分。“

KLA-Tencor的Litho PMC包括KLA-Tencor內(nèi)部開發(fā)以及最近收購ACME，F(xiàn)inle和Fab Solutions所取得的技術(shù)進步。

這些包括用于測量和控制關(guān)鍵尺寸，覆蓋層，薄膜厚度和反射率的參數(shù)化工具;缺陷檢測系統(tǒng);閉環(huán)自動反饋和控制過程工具;和將參數(shù)結(jié)果與電氣測試結(jié)果相關(guān)聯(lián)的軟件。先進的仿真軟件工具有助于加速0.13微米器件的實施和生產(chǎn)。

“憑借這些進步，我們?yōu)槿蛐酒圃焐烫峁┤娴慕鉀Q方案，解決了成功實現(xiàn)亞波長光刻，CD控制，覆蓋精度，缺陷減少和模擬/建模所需的所有組件，”華萊士。 “結(jié)果是先進的過程控制，既積極又高度自動化?！?/p>

“三分之一的晶圓廠支出目前專注于光刻工藝，因此晶圓廠采用光刻工藝控制策略至關(guān)重要這可以保護和最小化他們的投資，并加快產(chǎn)品上市速度，“Ashkenaz補充道。 “我們的Litho PMC方法旨在提供這些功能?！?/p>

KLA-Tencor的新型Litho PMC可立即供貨，價格根據(jù)每個工廠所需的定制配置而有所不同。