Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發中心共同開發新的光刻膠和殘留物去除工藝。

重點是針對具有0.13微米和更小設計規則的器件的低k和銅處理。具有低k常數（通常小于3.0）的介電材料的出現對于制造具有小于0.15微米的幾何形狀的芯片是至關重要的。一個重要的挑戰是在有機基介電材料上剝離光刻膠。這些抗蝕劑對于使用先進的光刻系統進一步設計縮小也是至關重要和潛在的障礙（參見3月在線雜志的報道）。

Mattson自1998年以來一直與IMEC合作推進用于加工設備的干剝離技術具有0.18至0.13的設計規則。該研究正在Mattson的雙室Aspen Strip系統上進行，該系統安裝在IMEC位于魯汶的研究機構。

IMEC干蝕刻開發經理Serge Vanhaelemeersh解釋說，使用Aspen Strip的決定是由于該系統獨特的電感耦合等離子體（ICP）源技術和IMEC之前使用該系統的經驗。 “新的低k和銅材料的挑戰需要一種新的，更先進的清潔方法，”Vanhaelemeersh說。

“我們之前使用ICP技術進行抗蝕劑和聚合物去除開發的高劑量注入，多晶硅和帶狀應用的0.18至0.13微米設計規則使得Aspen Strip成為這一先進條帶項目的合理選擇。 “

根據Mattson Technology首席執行官Brad Mattson的說法，聯合開發項目提供了一個很好的機會來幫助推進半導體行業的技術發展，同時保持公司在抗蝕劑剝離技術領域的領先地位。 “技術收益，甚至增量，都是非常昂貴的。在資格和評估階段，通常會產生最大的費用，因為它們需要使用制造環境，”Mattson說。 “這個項目將使Mattson與IMEC合作，利用IMEC的晶圓生產線來幫助快速驗證新工藝，并將帶鋼創新更快地推向市場。”

根據最近的Dataquest報告，Mattson Technology是干的根據1999年的系統銷售情況，剝離市場的領導者.Mattson的6300萬美元帶鋼收入占市場份額的27.8％，比最接近的供應商高出近5％。