2017年春節(jié)期間,USB-IF組織發(fā)布了USB PD 3.0的重要更新,正式推出旨在一統(tǒng)快速充電技術(shù)規(guī)范的PPS(Programmable Power Supply),成功收編了高通的QC4.0,并與我中國工信部的泰爾實驗室達(dá)成了共識,預(yù)計未來將作為手機充電的國標(biāo),實現(xiàn)統(tǒng)一。
了解已通過USB PD協(xié)議的產(chǎn)品,不妨來看看小編精選的關(guān)于深圳市樂得瑞科技有限公司如何展現(xiàn)英飛凌器件實現(xiàn)60W USB PD 電源的方案。
60W USB PD 電源實現(xiàn)方案
項目介紹 :
本方案使用了英飛凌5V~20V寬輸出電壓范圍AC-DC Controller ICE2QS03G作為功率轉(zhuǎn)換控制芯片,CoolMOS IPL65R190E6作為反激開關(guān)管,IR1161LTRPBF作為次級同步整流控制芯片,BSC035N10NS5作為次級同步整流MOSFET。
支持恒壓,恒流,恒功率三種輸出模式,最大輸出功率為60W,最高轉(zhuǎn)換效率可為91%以上,通過USB PD協(xié)議,實現(xiàn)智能供電。
方案特點 :
采用了英飛凌的寬電壓范圍調(diào)制技術(shù)以及CoolMOS技術(shù),具有寬輸出,高效率的特性。
可實現(xiàn)5V~20V以內(nèi)任意電壓的恒壓輸出,100mA~5A以內(nèi)的任意電流恒流輸出以及300mW~60W恒功率輸出。
讓負(fù)載通過USB PD協(xié)議對適配器進(jìn)行編程,按照最佳供電效率的方式,給負(fù)載供電。
性能指標(biāo):
那么,問題來了:從器件級考慮,如何實現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%的60W USB PD 電源方案?眾所周知,方案與器件的關(guān)系等同于高樓與地基,優(yōu)秀方案的呈現(xiàn),從來無法與高性能器件割裂開來,小編來揭秘,說的就是它
IPL65R190E6
IPL65R190E6 是英飛凌650V CoolMOS E6家族的一員,其高性能與CoolMOS E6實為一脈相承。
CoolMOS E6——作為英飛凌推出的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET,可以視作英飛凌不斷創(chuàng)新的工匠精神和數(shù)年沉淀的行業(yè)經(jīng)驗的集大成之作。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)(Superjunction,SJ)MOSFET供應(yīng)商,英飛凌的CoolMOS E6在不犧牲易用性的前提下,兼具快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)勢,極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗使得開關(guān)應(yīng)用更加高效、緊湊。
IPL65R190E6 ——作為650V CoolMOS E6器件的代表,具備快速、可控的開關(guān)性能,適用于效率和功率密度是關(guān)鍵要求的應(yīng)用。650V CoolMOS E6器件易于應(yīng)用,是各種高能效開關(guān)產(chǎn)品的理想之選,例如筆記本電腦適配器、太陽能逆變器和其他需要額外擊穿電壓裕量的開關(guān)電源(SMPS)產(chǎn)品。
特征總結(jié):
更易開關(guān)控制;
極高的換向耐用性;
極低的品質(zhì)因數(shù)FOM(RDS(on)*Qg);
更高的輕負(fù)載效率;
卓越的可靠性,經(jīng)過驗證的CoolMOS質(zhì)量與極高的體二極管耐用性相結(jié)合;
與前代的CoolMOS產(chǎn)品相比,性價比更高;
更高效,更緊湊,更輕;
性能優(yōu)勢:
更高的功率密度;
可靠性的提升;
通用部件可用于軟開關(guān)和硬開關(guān)拓?fù)洌?/p>
提高硬切換應(yīng)用的效率;
更簡單易用;
減少由于PCB布局和封裝寄生效應(yīng)引起的振蕩。
此外,相比前代產(chǎn)品,全新650V CoolMOS E6 器件輸出電容(Eoss)的儲電量降幅高達(dá)20%,而E6 器件經(jīng)過改進(jìn)的體二極管具備更高的硬換相耐受性,并可使反向恢復(fù)電荷降低約25%。得益于調(diào)諧柵極電阻的平衡設(shè)計,E6 器件的開關(guān)行為能夠避免過高的電壓和電流變化率。
目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域:
消費類;
適配器;
電動車;
服務(wù)器及電信應(yīng)用中的PFC級;
開關(guān)電源;
PC功率;
太陽能;
照明。
ThinPAK 8x8引腳封裝
同時,IPL65R190E6采用ThinPAK形式封裝,ThinPAK封裝是用于HV MOSFET的新型無鉛SMD封裝。尺寸僅為64mm2(對標(biāo)150mm2的D2PAK封裝),并且具有僅1mm高度的非常低的尺寸(對于D2PAK為4.4mm)。封裝尺寸明顯更小,結(jié)合基準(zhǔn)的低寄生電感,為設(shè)計人員提供了一種新的有效途徑以降低功率密度驅(qū)動設(shè)計中的系統(tǒng)解決方案尺寸。
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適配器
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