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ASML研發(fā)第二代EUV光刻機的微縮分辨率、套準精度提升了70%

cMdW_icsmart ? 來源:陳年麗 ? 2019-08-07 11:24 ? 次閱讀
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半導體制造過程中最復雜也是最難的步驟就是光刻,成本能占到整個生產(chǎn)過程的1/3,光刻機也因此成為最重要的半導體制造裝備,沒有之一。目前最先進的光刻機是荷蘭ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機,每臺售價超過1億美元,而且供不應求。

2019年,臺積電、三星都會開始量產(chǎn)7nm EUV工藝,現(xiàn)有的EUV光刻機也差不多成熟了,雖然產(chǎn)量比起傳統(tǒng)的DUV光刻機還有所不如,不過已經(jīng)能夠穩(wěn)定量產(chǎn)了,7nm及明年的5nm節(jié)點上EUV光刻機都會是重點。

EUV光刻機未來還能怎么發(fā)展?2016年ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份,并投資數(shù)億美元合作研發(fā)新一代透鏡,而ASML這么大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV光刻機。

日前據(jù)韓媒報道稱,ASML公司正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機,與現(xiàn)有的光刻機相比,二代EUV光刻機最大的變化就是High NA(高數(shù)值孔徑)透鏡,通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%,達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。

在這個問題上,ASML去年10月份就宣布與IMEC比利時微電子中心合作研發(fā)新一代EUV光刻機,目標是將NA從0.33提升到0.5以上,而從光刻機的分辨率公式——光刻機分辨率=k1*λ/NA中可以看出,NA數(shù)字越大,光刻機分辨率越高,所以提高NA數(shù)值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵,畢竟現(xiàn)在EUV極紫外光已經(jīng)提升過一次了。

之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產(chǎn)時間是2024年,不過最新報道稱下一代EUV光刻機是2025年量產(chǎn),這個時間上臺積電、三星都已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝了,甚至開始進軍2nm、1nm節(jié)點了。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:ASML研發(fā)第二代EUV光刻機:性能將提升70%,2025年問世

文章出處:【微信號:icsmart,微信公眾號:芯智訊】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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