根據外媒Tom“s Hardware的報道, GlobalFoundries (格羅方德)本周宣布,已經使用其12nm FinFET工藝成功制成了高性能的3D Arm芯片。
格羅方德表示:“這些高密度的3D芯片將為計算應用,如AI/ML(人工智能和機器學習)以及高端消費級移動和無線解決方案,帶來新的性能和能源效率。”
據報道,格羅方德和Arm這兩家公司已經驗證了3D設計測試(DFT)方法,使用的是格羅方德的混合晶圓對晶圓鍵合。這項技術每平方毫米可支持多達100萬個3D連接,使其具有高度可擴展性,并有望為12nm 3D芯片提供更長的使用壽命。
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