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TSV與μbumps技術是量產(chǎn)關鍵

h1654155971.8456 ? 來源:YXQ ? 2019-08-14 11:18 ? 次閱讀

英特爾所揭露的技術資料可看出,F(xiàn)overos本身就是一種3D IC技術,透過硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)技術與微凸塊(micro-bumps)搭配,把不同的邏輯芯片堆疊起來。

其架構概念就是在一塊基礎的運算微芯片(compute chiplet)上,以TSV加上微凸塊的方式,堆疊其他的運算晶粒(die)和微芯片(chiplets),例如GPU和記憶體,甚至是RF元件等,最后再把整個結構打包封裝。

而英特爾目前所使用的制程已達到10納米,預計也可以順利推進至7納米,也此透過此3D封裝技術,將可在單一芯片中達成絕佳的運算效能,并持續(xù)推進摩爾定律。

英特爾更特別把此技術稱為「臉貼臉(Face-to-Face)」的封裝,強調(diào)它芯片對芯片封裝的特點。而要達成此技術,TSV與微凸塊(μbumps)的先進制程技術就是關鍵,尤其是凸塊接點的間距(pitch)僅有約36微米(micron),如何透過優(yōu)異的打線流程來達成,就非常考驗英特爾的生產(chǎn)技術了。

圖六: Foveros的TSV與微凸塊疊合示意(source: intel)

但是英特爾也指出,F(xiàn)overos技術仍存在三個挑戰(zhàn),分別為散熱、供電、以及良率。由于多芯片的堆疊,勢必會大幅加大熱源密度;而上下層邏輯芯片的供電性能也會受到挑戰(zhàn);而如何克服上述的問題,并在合理的成本內(nèi)進行量產(chǎn)供貨,則是最后的一道關卡。

依照英特爾先前發(fā)布的時程,「Lakefield」處理器應該會在今年稍晚推出,但由于英特爾沒有在COMPUTEX更新此一產(chǎn)品的進度,是否能順利推出仍有待觀察。

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原文標題:其他「小鋼炮」都一邊玩去吧

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