今后的高細密線寬/間距將由0.20mm-O.13mm-0.08mm—0.005mm,才能滿足SMT和多芯片封裝(Multichip Package,MCP)要求。因此要求采用如下技術。
①采用薄或超薄銅箔(《18um)基材和精細表面處理技術。
②采用較薄干膜和濕法貼膜工藝,薄而質量好的干膜可減少線寬失真和缺陷。濕法貼膜可填滿小的氣隙,增加界面附著力,提高導線完整性和精度。
③采用電沉積光致抗蝕膜(Electro—deposited Photoresist,ED)。其厚度可控制在5~30/um范圍,可生產更完美的精細導線,對于狹小環寬、無環寬和全板電鍍尤為適用,目前全球已有十多條ED生產線。http://www.pcbinf.com
④采用平行光曝光技術。由于平行光曝光可克服“點”光源的各向斜射光線帶來線寬變幅等的影響,因而可得線寬尺寸精確和邊緣光潔的精細導線。但平行曝光設備昂貴,投資高,并要求在高潔凈度的環境下工作。
⑤采用自動光學檢測技術(Automatic Optic Inspection,AOI)。此技術已成為精細導線生產中檢測的必備手段,正得到迅速推廣應用和發展。
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