眾所周知,由于我國在芯片領(lǐng)域起步較晚,在芯片技術(shù)的掌握方面與西方國家有著很大的差距,因此芯片技術(shù)就成為了我國的一大短板,這一點(diǎn)是毋庸置疑的。目前,全球最主流芯片莫過于7nm制造工藝,比如目前市場上最頂尖的驍龍855、蘋果A12、華為麒麟980均是7nm范疇。
不過在近期,根據(jù)權(quán)威媒體的報(bào)道,中國科學(xué)院微電子研究所專家表示,目前團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出的3nm晶體管,這樣的寬度相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,而在一個(gè)非常面積小到有限的芯片上,能夠安裝上百億的3nm晶體管。這樣的成就或?qū)⒁馕吨袊谛酒I(lǐng)域的研究再次取得突破。
當(dāng)然作為突破性技術(shù)的研究成果,專家們在對3nm晶體管研究之際同樣也需要克服一些重大障礙,而這其中就包括了“玻爾茲曼暴政”,而所謂的“玻爾茲曼暴政”描述的是一個(gè)關(guān)于電子在空間中分布的問題。因此對于芯片的研發(fā)者而言,這樣意味著由于較多微型晶體安裝到芯片上,晶體管的電流所產(chǎn)生的熱量會將芯片燒毀。
針對這個(gè)問題,我國的物理學(xué)家已經(jīng)提供了有效的解決方案,并使用一種被稱之為“負(fù)電容”的方法,將所需要的最小電量為晶體管提供電力。由于難度的復(fù)雜性較大,所以這種3nm晶體管實(shí)現(xiàn)商業(yè)化還需要一定的時(shí)間,不過就目前而言,中國科學(xué)院微電子研究所的專家團(tuán)隊(duì)正在對晶體管的材料和質(zhì)量進(jìn)行控制,以此來到達(dá)預(yù)期效果。
值得一提的是,作為全球通信霸主的三星曾經(jīng)公開表示,將計(jì)劃在明年上半年完成3nm晶體管的研發(fā)。與7nm技術(shù)相比,3nm晶體管所制造的芯片只需要使用一半的電力,而性能方面卻將提升35%,至于芯片的投產(chǎn)問題,三星并沒有對此進(jìn)行說明。
當(dāng)然專家還透露,中國自主研發(fā)的3nm晶體管有著巨大的實(shí)際應(yīng)用潛力,同時(shí)也掌握著專利。3nm晶體管技術(shù)的突破將讓中國在芯片開發(fā)領(lǐng)域與世界頭號角色進(jìn)行正面競爭,而在過去我們看著別人競爭,但現(xiàn)在,我們要同別人競爭。
因此毫不夸張的可以說,中國如今研究出目前世界最頂尖的3nm晶體管,這不僅是實(shí)驗(yàn)室中的一項(xiàng)新發(fā)現(xiàn),更多的則是代表著中國芯片強(qiáng)勢崛起的希望,而當(dāng)3nm晶體管正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之后,將意味著中國芯片在與西方國家縮小距離的同時(shí),也將向世界。
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
455文章
50756瀏覽量
423343 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9684瀏覽量
138120 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
231瀏覽量
13982
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論