電容器無論從種類或數量來說均是使用頻繁的電子元件，隨著電子材料、工藝和使用等方面的發展，一方面電容器朝著大容量、高頻率的方向發展，另一方面，由于設備小型化發展的要求，貼片電容器（SMD器件）的使用越來越廣，這就要求測量儀器能適應這種不斷發展的需要，而如何正確地操作使用測量儀器同樣變的越來越重要。

●電容器的頻率依賴性

所有元件都具有頻率依賴性，有些電容器的頻率依賴較小，而且穩定度好，損耗也小，

通常這種電容器可以用來做標準電容器，如空氣電容器。而有些電容器隨頻率的改變其參數

會發生急劇的變化，如鋁電解電容器。

●電容器的電平依賴性

某些電容器的參數也會隨著測試電平的變化而變化。測試電平對測試結果影響最大的是陶瓷電容器特別是高K 的陶瓷電容器，因此對此類電容器測量時應確定該電容器應在何測試電平的條件下進行測量。

●電容器損耗測量

在串聯等效電路中，電容器損耗由下式計算：

由于DUT 上的串聯等效電阻與損耗值密切相關，而測試夾具上的微小接觸電阻Ro 往往也進入了串聯電阻的等效值之中，實際測量的損耗包含了接觸電阻：

D=(Rs+Ro) /Xs

這將給測試帶來誤差，尤其是DUT 本身Rs 很小的時候，例如高頻大電容，SMD電容。這種情況下測試時要求盡可能減小接觸電阻進行測量。

理論上，D 值應恒為正，但在極低損耗的情況下，儀器仍可能會測出負的D 值，如-0.00001，超低損耗一般已經超出了儀器測量的精度范圍，因此我們認為這種負值顯示也是正常的。另外，對于高精度的損耗測量，我們建議直接在端面夾具上進行測量，而引出的電纜線將使損耗的測量精度大大降低，使用自動平衡電橋則可以克服電纜線帶來的附加誤差。

●SMD電容器的測量

隨著設備小型化要求的增強，SMD電容器被廣泛的得到應用，SMD器件測量應使用專用SMD測量夾具。由于SMD 元件無引線，因此其ESR（串聯等效電阻）很小，一般地，對該測量應采用并聯等效方式，對超過1uF 的電容器（如片式電解電容器）仍推薦使用串聯等效方式。

對微小電容量的SMD 器件測量時，對夾具開路清“0”時應特別注意，開路時應將夾具

在開路清“0”時的間距調整為與SMD 器件的寬度相同，否則會引入不合適的清“0”誤差。如間距差1mm，其分布電容可能會有約0.02pF 的誤差。