日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料再次走入大眾視野，引起業界重點關注。

事實上，隨著半導體技術不斷進步，對半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，傳統硅半導體材料逐漸無法滿足性能需求，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料憑借著優異的性能，早已成為當前世界各國競相布局的焦點，我國在加速發展集成電路產業的同時，把發展第三代半導體技術列入國家戰略。

如今5G時代到來，將推動半導體材料實現革命性變化。其中，氮化鎵器件以高性能特點廣泛應用于通信、國防等領域，其市場需求有望在5G時代迎來爆發式增長。風口來臨，我國目前有哪些企業在布局？下面將從襯底、外延片、制造及IDM幾大分類盤點國內氮化鎵主要企業。

GaN襯底企業

· 東莞市中稼半導體科技有限公司

東莞市中鎵半導體科技有限公司成立于2009年1月，總部設于廣東東莞，總注冊資本為1.3億元人民幣，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，并在北京有大型研發中心，為中國國內一家專業生產氮化鎵襯底材料的企業。

官網顯示，中鎵半導體已建成國內首家專業的氮化鎵襯底材料生產線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩定生產。2018年2月，中鎵半導體實現4英寸GaN自支撐襯底的試量產。

· 東莞市中晶半導體科技有限公司

東莞市中晶半導體科技有限公司成立于2010年，是廣東光大企業集團在半導體領域繼中鎵半導體、中圖半導體后布局的第三個重點產業化項目。

中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備制造技術為支撐，以GaN襯底為基礎，重點發展Mini/MicroLED外延、芯片技術，并向新型顯示模組方向延展；同時，中晶半導體將以GaN襯底材料技術為基礎，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國際前沿技術，并進行全球產業布局。

· 蘇州納維科技有限公司

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，致力于氮化鎵單晶襯底的研發與產業化，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國際上少數幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位之一。

據官網介紹，目前納維科技GaN單晶襯底產品已提供給300余家客戶使用，正在提升產能向企業應用市場發展，重點突破方向是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。

· 鎵特半導體科技（上海）有限公司

鎵特半導體科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要從事大尺寸的高質量、低成本氮化鎵襯底的生長，以推動諸多半導體企業能夠以合理價來購買并使用氮化鎵襯底。鎵特半導體已自主研發出HVPE設備，并用以生長高質量的氮化鎵襯底。

官網顯示，借助自主研發的HVPE設備，鎵特半導體已成功生長出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導體表示，未來幾年內將建成全球最大的氮化鎵襯底生長基地，以此進一步推廣氮化鎵襯底在半導體材料市場上的廣泛應用，并將依托自支撐GaN襯底進行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發和制造。

GaN外延片企業

· 蘇州晶湛半導體有限公司

蘇州晶湛半導體有限公司成立于2012年3月，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發和產業化。2013年8月，晶湛半導體開始在蘇州納米城建設GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2萬片；2014年底，晶湛半導體發布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產品。

官網介紹稱，截至目前，晶湛半導體已完成B輪融資用于擴大生產規模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月產能達1萬片。晶湛半導體現已擁有全球超過150家的著名半導體公司、研究院所客戶。

· 聚能晶源（青島）半導體材料有限公司

聚能晶源（青島）半導體材料有限公司成立于2018年6月，專注于電力電子應用的外延材料增長。針對外延材料市場，聚能晶源正在開發硅基氮化鎵材料生長技術并銷售硅基氮化鎵外延材料作為產品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了達到全球業界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業界中高壓功率電子器件的應用需求。

· 北京世紀金光半導體有限公司

北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年12月，經過多年發展，世紀金光已成為集半導體單晶材料、外延、器件、模塊的研發、設計、生產與銷售于一體的、貫通第三代半導體全產業鏈的企業。

在碳化硅領域，世紀金光已實現碳化硅全產業鏈貫通，氮化鎵方面，官網顯示其目前則以氮化鎵基外延片為主。

· 聚力成半導體（重慶）有限公司

聚力成半導體（重慶）有限公司成立于2018年9月，是重慶捷舜科技有限公司在大足區設立的公司。2018年9月，重慶大足區政府與重慶捷舜科技有限公司簽約，擬在重慶建設“聚力成外延片和芯片產線項目”。

2018年11月，聚力成半導體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項目正式開工。該項目占地500畝，計劃投資50億元，將在大足高新區建設集氮化鎵外延片、氮化鎵芯片的研發與生產、封裝測試、產品設計應用為一體的全產業鏈基地。2019年6月5日，該項目一期廠房正式啟用，預計將于今年10月開始外延片的量產。

GaN制造企業

· 成都海威華芯科技有限公司

成都海威華芯科技有限公司成立于2010年，是國內首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工企業。據了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購海威華芯原股東股權，并以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權成為其控股股東，從而涉足高端化合物半導體集成電路芯片研制領域。

海威華芯6英寸第二代/第三代半導體集成電路芯片生產線已于2016年8月投入試生產。官網顯示，海威華芯已開發了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機用砷化鎵代工工藝，發布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了較大的進展。

· 廈門市三安集成電路有限公司

廈門市三安集成電路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光電下屬子公司，基于氮化鎵和砷化鎵技術經營業務，是一家專門從事化合物半導體制造的代工廠，服務于射頻、毫米波、功率電子和光學市場，具備襯底材料、外延生長以及芯片制造的產業整合能力。

三安集成項目總規劃用地281 畝，總投資額30億元，規劃產能為30萬片/年GaAs高速半導體外延片、30萬片/年GaAs高速半導體芯片、6萬片/年GaN高功率半導體外延片、6萬片/年GaN高功率半導體芯片。官網顯示，三安集成在微波射頻領域已建成專業化、規模化的4英寸、6英寸化合物晶圓制造產線，在電子電路領域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及硅基氮化鎵功率器件。

· 華潤微電子有限公司

華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的企業，亦是中國本土具有重要影響力的綜合性微電子企業，其聚焦于模擬與功率半導體等領域，業務包括集成電路設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生產線5條、封裝生產線2條、掩模生產線1條、設計公司3家，為國內擁有完整半導體產業鏈的企業。

2017年12月，華潤微電子完成對中航（重慶）微電子有限公司（后更名為“華潤微電子（重慶）有限公司”）的收購，重慶華潤微電子采用8英寸0.18微米工藝技術進行芯片生產，并在主生產線外建有獨立的MEMS和化合物半導體工藝線，具備氮化鎵功率器件規模化生產制造能力。

· 杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于成立于1997年，專業從事集成電路芯片設計以及半導體相關產品制造，2001年開始在杭州建了第一條5英寸芯片生產線，現已成為國內集成電路芯片設計與制造一體（IDM）企業。

近年來，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月，士蘭微廈門12英寸芯片生產線暨先進化合物半導體生產線開工，其中4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線總投資50億元，定位為第三代功率半導體、光通訊器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企業

· 蘇州能訊高能半導體公司

蘇州能訊高能半導體有限公司成立于2011年，致力于寬禁帶半導體氮化鎵電子器件技術與產業化，為5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領域和工業控制、電源、電動汽車等電力電子領域等兩大領域提供高效率的半導體產品與服務。

能訊半導體采用整合設計與制造（IDM）的模式，自主開發了氮化鎵材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術，目前公司擁有專利256項。該公司在江蘇建有一座氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區占地55畝，累計投資10億元。

· 江蘇能華微電子科技發展有限公司

江蘇能華微電子科技發展有限公司成立于2010年6月，是由國家千人計劃專家朱廷剛博士領銜的、由留美留澳留日歸國團隊創辦的一家專業設計、研發、生產、制造和銷售以氮化鎵為代表的復合半導體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。

能華微電子先后承擔了國家電子信息產業振興和技術改造專項的大功率GaN功率電子器件及其材料的產業化項目、國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項的GaN基新型電力電子器件關鍵技術項目等。2017年，能華微電子建成8英寸氮化鎵芯片生產線并正式啟用。

· 英諾賽科（珠海）科技有限公司

英諾賽科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，該公司采用IDM 全產業鏈模式，致力于打造一個集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體的第三代半導體生產平臺。2017年11月，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產線通線投產，成為國內首條實現量產的8英寸硅基氮化鎵生產線，主要產品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件。

2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導體芯片項目開工，今年8月30日項目主廠房封頂，預計12月底生產設備正式進廠，2020年可實現規模化量產。該項目聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產品，將打造將成為集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺。

· 大連芯冠科技有限公司

大連芯冠科技有限公司成立于2016年3月，該公司采用整合設計與制造（IDM）的商業模式，主要從事第三代半導體硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發、設計、生產和銷售，產品應用于電源管理、太陽能逆變器、電動汽車及工業馬達驅動等領域。

官網介紹稱，芯冠科技已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產線。2019年3月，芯冠科技在國內率先推出符合產業化標準的650伏硅基氮化鎵功率器件產品（通過1000小時HTRB可靠性測試），并正式投放市場。

· 江蘇華功半導體有限公司

江蘇華功半導體有限公司成立于2016年5月，注冊資本為2億元人民幣，一期投入10億元人民幣。官網介紹稱，目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高電導、高耐壓、高穩定性的GaN外延技術并掌握具有自主知識產權的增強型功率電子器件制造技術。

根據官網顯示，華功半導體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片產品，并基于華功自有知識產權的GaN-on-Si外延技術設計和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。