9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）投資建設的第三代半導體材料制造項目（一期）已達到投產條件，于2019年9月10日正式投產。聚能晶源于同日舉辦了“8英寸GaN外延材料項目投產暨產品發布儀式”。從入駐到項目建成投產，聚能晶源僅僅用了一年多的時間。

國家企業信用信息公示系統顯示，聚能晶源成立于2018年6月，注冊資本5000萬元，由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術團隊共同投資成立的第三代半導體材料研發與制造企業，其中耐威科技持股40%，青島海絲民和持股24%，袁理持股20%，青島民芯持股16%。主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發和生產。

根據耐威科技此前公告，聚能晶源預計本項目投資總額不少于約2億元人民幣：2018年年底前投資總額不低于5000萬元人民幣，2020年底前投資總額不低于1.5億元人民幣。未來產品線將覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化鎵（GaN）材料公司，項目主要產品有面向功率器件應用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應用的氮化鎵（GaN）外延片等。

耐威科技指出，聚能晶源項目已投資5，200萬元人民幣，項目一期建成產能為年產1萬片6-8英寸GaN外延晶圓，既可生產提供標準結構的GaN外延晶圓，也可根據客戶需求開發、量產定制化外延晶圓，項目的投產將有利于聚能晶源正式進入并不斷開拓第三代半導體材料市場，同時有利于公司GaN功率與微波器件設計開發業務的發展，最終增強公司在第三代半導體及物聯網領域的綜合競爭實力。據了解，聚能晶源項目已經被評為青島市重點項目。

耐威科技董事長楊云春介紹，耐威科技自上市以來，積極在物聯網產業領域進行布局，重點發展MEMS和GaN業務；其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發生長；在嶗山投資設立了聚能創芯公司，專注GaN器件的開發設計。