9月10日，聚能晶源（青島）半導體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投產暨產品發布儀式”在青島市即墨區舉行，意味著國內8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技發起成立的控股公司。耐威科技從投建8英寸氮化鎵（GaN）外延材料項目到正式投產，僅用了15個月，進展之快，讓業界對這家新晉半導體公司的實力有了新的認識。

耐威科技董事長楊云春表示，耐威科技自上市以來，積極在物聯網產業領域進行布局，重點發展MEMS和GaN業務；其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發生長；在嶗山投資設立了聚能創芯公司，專注GaN器件的開發設計。從入駐到項目建成投產，聚能晶源僅僅用了一年多的時間。

規模與體量上再造一個耐威

隨著5G通訊、云計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車的應用興起，對功率器件的性能提出了新的需求；但傳統硅器件受材料特性所限，在性能方面滿足不了新興的需求，這就促使產業界尋找新的材料代替，以氮化鎵為代表的第三代半導體就是一個很好的方向；同時，根據第三方機構預測，到2023年，功率氮化鎵市場規模將達到4.23億美元，復合增長率為93%。

在這一背景下，國內不少半導體廠商紛紛加碼功率氮化鎵市場。去年5月份，耐威科技宣布與袁理先生、青島海絲民和半導體投資中心（有限合伙）、青島民芯投資中心（有限合伙）共同投資設立兩家控股子公司——聚能晶源（青島）半導體材料有限公司與青島聚能創芯微電子有限公司。

耐威科技兩家控股子公司業務均與氮化鎵相關：聚能創芯主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵功率與微波器件的設計、開發；聚能晶源主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵外延材料的設計、開發、生產。

如今，聚能晶源的8英寸GaN外延材料項目正式投產，將可以為聚能創芯的氮化鎵功率提供材料，其氮化鎵功率產品也將快速出貨，兩者相互推進，為耐威科技再上一個臺階提供很好的基礎。

楊云春也表示，聚能晶源的8英寸GaN外延材料項目正式投產，耐威科技希望能以此為契機，積極把握第三代半導體產業的國產替代機遇，在青島繼續建設第三代半導體材料生產基地及器件設計中心，在規模與體量上再造一個耐威。

在本次投產儀式上，盛世投資管理合伙人劉新玉致辭稱，第三代半導體材料具備獨特性能，在半導體產業的國產替代進程中具有重要的戰略意義，作為股東與戰略合作伙伴，今天很高興見到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料項目能夠迅速建成投產，希望該項目今后能夠為產業發展做出貢獻。

耐威科技也曾表示，氮化鎵外延材料的設計、開發、生產，有利于公司把握產業發展機遇，盡快拓展相關材料在重點裝備、航空電子、5G通信、物聯網等領域的推廣應用；有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統-應用”的全面布局。

助力客戶搶占GaN市場先機

聚能晶源自成立以來，先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長等技術難關，成功研制了達到全球業界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。據了解，該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業界中高壓功率電子器件的應用需求。

耐威科技曾表示，在采用國際業界嚴苛判據標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優勢，能夠保障相關材料與技術在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。

此次，聚能晶源8英寸GaN外延材料項目正式量產，但其產品并不僅限于8英寸硅基氮化鎵外延晶圓。據介紹，聚能晶源本次發布的相關產品包括8英寸硅基氮化鎵外延晶圓與6英寸碳化硅基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對于大尺寸、高質量、高一致性、高可靠性氮化鎵外延材料的需求，為5G通訊、云計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車等領域提供核心元器件的材料保障。

除此之外，聚能晶源項目還掌握全球領先的8英寸硅基氮化鎵外延與6英寸碳化硅基外延生長技術。在功率器件應用領域，產品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時，聚能晶源將自有先進8英寸GaN外延技術創新性地應用在微波領域，開發出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標準8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在硅基氮化鎵之外，聚能晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓產品線，滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓產品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點。同時具有低導通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圓具有優秀的材料可靠性，根據標準TDDB測試方法，其在標稱耐壓值下的長時有效壽命達到了10的9次方小時，處于國際業界領先水平。采用聚能晶源的GaN外延晶圓，客戶在開發GaN器件時可實現高性能、高一致性、高良率、高可靠性等優勢，幫助客戶搶占第三代半導體器件領域的競爭先機。

據悉，聚能晶源8英寸GaN外延材料項目一期建成產能為年產1萬片6-8英寸GaN外延晶圓，在規劃的二期項目中，產能將達到年產20萬片6-8英寸GaN外延晶圓。在聚能晶源項目的建設過程中，該項目得到了耐威科技股東國家集成電路產業投資基金、青島市與即墨區各級政府、青島城市建設投資集團的支持，聚能晶源項目也被評為青島市重點項目?；蛟S，正如董事長楊云春所說，隨著布局的落地，公司在青島繼續建設第三代半導體材料生產基地及器件設計中心，在規模與體量上再造一個耐威。

北京耐威科技股份有限公司成立于2008年5月15日，于2015年5月14日在深圳證券交易所創業板掛牌上市，股票簡稱為“耐威科技”，股票代碼為“300456”。公司總部位于北京，分支機構及業務范圍遍及全球。北京耐威科技股份有限公司以傳感技術為核心，緊密圍繞物聯網、特種電子兩大產業鏈，一方面大力發展MEMS、導航、航空電子三大核心業務，一方面積極布局無人系統、第三代半導體材料和器件等潛力業務，致力于成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業集團。公司主要產品及業務包括MEMS芯片的工藝開發及晶圓制造、導航系統及器件、航空電子系統等，應用領域包括通信、生物醫療、工業科學、消費電子、航空航天、智能交通等。公司業務遍及全球，客戶包括特種電子用戶以及全球DNA/RNA測序儀巨頭、新型超聲設備巨頭、網絡通信和應用巨頭以及工業和消費細分行業的領先企業。