可控硅的移相觸發(fā)是利用電容移相功能實現(xiàn)的典型應(yīng)用。

采用RC移相電路觸發(fā)可控硅是一種非常通用的調(diào)壓電路。

下圖是電路圖：

交流市電一路通過負(fù)載X1連接到可控硅，另一種連接到電阻R1，以及C1，同時，連接到DB3觸發(fā)可控硅。

DB3得到的電壓是經(jīng)過電阻R1，C1移相，施加到負(fù)載的電壓以及DB3上的電壓相位波形圖如下：

藍(lán)色波形為施加到負(fù)載上的交流市電波形，紅色為經(jīng)過移相網(wǎng)絡(luò)之后施加在DB3上的波形，正是因為有了電容了移相作用，兩個波形之間存在相位差，而DB3在施加在其上的電壓達(dá)到+/-32V左右將被擊穿，從而觸發(fā)可控硅導(dǎo)通。

如上圖，黑色斜線區(qū)域的電壓為通過可控硅施加在X1上的電壓。

而這個平均電壓與黑色斜線區(qū)域的面積成正比，面積越大，平均電壓越大。

而該面積又與紅色控制電壓的移相大小正反比。

即移相越大，面積越小。

所以通過調(diào)節(jié)可調(diào)電阻R1的大小，我們可以調(diào)節(jié)通過可控硅的輸出電壓的大小。

根據(jù)C1兩端電壓的與交流市電的相位差=arctan（1/R1/C1/w），得到，R1越大，相位差越小。

所以R1越大，輸出電壓越大，R1越小，輸出電壓越小。

通過可控硅的移相觸發(fā)實現(xiàn)調(diào)壓，調(diào)整了控制信號與交流市電之間的相位差。另外還有通過電容移相功能調(diào)整功率因數(shù)的應(yīng)用，該應(yīng)該調(diào)整的是負(fù)載電壓以及負(fù)載電流之間的相位差。