NAND Flash的價格行情接下來將如何？“今年6月份，東芝工廠斷電，我預估NAND價格會漲，沒人相信，結果漲了。。。。。。”

5G、邊緣計算、人工智能的到來，這些機會我們怎么抓住？

互聯(lián)網公司投資數(shù)據(jù)中心業(yè)務放緩，市場信心何時恢復？

海量數(shù)據(jù)產生，需要怎樣的存儲技術？

在最近舉辦的2019中國閃存市場峰會現(xiàn)場，電子發(fā)燒友網記者采訪了美滿電子、群聯(lián)電子、慧榮電子這三大閃存控制芯片的領導廠商。站在巨頭的肩膀上，讓我們一同窺探閃存行業(yè)未來的發(fā)展。

數(shù)據(jù)中心正被存儲控制新技術重構

根據(jù)中國閃存市場數(shù)據(jù)，2018年企業(yè)級市場消耗了約26% NAND總產能，已成為NAND Flash主要應用市場之一。根據(jù)IDC調研報告，2018年全球數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)存儲量只有5ZB，而到2023年，這個存儲量將增長到12ZB。但真正的問題是，2023年產生的數(shù)據(jù)將超過100ZB，也就是說，在未來5G時代中，我們存儲數(shù)據(jù)的能力將遠遠落后于數(shù)據(jù)增長速度。

美滿電子科技閃存事業(yè)部市場副總裁NigelAlvares表示，隨著數(shù)據(jù)持續(xù)呈現(xiàn)指數(shù)級的飆升，數(shù)據(jù)中心正在努力應對日益增大的功耗、復雜性以及更大存儲帶寬和容量需求帶來的成本上升等挑戰(zhàn)。“在高速運行的數(shù)據(jù)時代——如何最大程度優(yōu)化工作負載，突破傳統(tǒng)的PCIe面臨的延遲高、功耗高、成本高，成為了當務之急。這也是數(shù)據(jù)時代變革，不可避免的問題。”他說道。

Marvell最近推出了革命性的NVMe-oF以太網SSD產品組合，使得端到端以太網閃存簇架構（EBOF）應運而生。



88SN2400是業(yè)界第一款NVMe-oF SSD轉換控制器，采用了一種簡單、低功耗和無計算的以太網光纖來替代傳統(tǒng)的PCIe方法網絡結構，專為加快SSD制造商的產品上市以及推動數(shù)據(jù)中心對以太網連接閃存簇（EBOF）基礎架構的廣泛采用而優(yōu)化設計。通過其革命性的架構，可將NVMe SSD轉換為NVMe-oF SSD，提高數(shù)據(jù)中心SSD的利用率和可擴展性，最終降低總體擁有成本（TCO）。

美滿電子科技閃存事業(yè)部市場副總裁NigelAlvares（中）

此外，另一款集成度更高的解決方案，NVMe-oF以太網SSD控制器88SS5000，可與Marvell的數(shù)據(jù)中心以太網交換機（包括Prestera系列數(shù)據(jù)包處理器）完全集成，為市場帶來了下一代移動、處理、存儲和保護全球數(shù)據(jù)的基礎設施解決方案，標志著Marvell在推進端到端以太網存儲策略方面的又一個重要的里程碑。

他還表示，以太網存儲產品對數(shù)據(jù)中心乃至邊緣計算都是至關重要的，順應了存儲未來的趨勢。

閃存控制芯片研發(fā)開銷巨大，未來如何賺錢？

“公司開門做生意，工程師的薪水、出差費用都需要花錢，而一顆主控芯片的研發(fā)，基本投資在4000到6000萬美金。”群聯(lián)董事長潘健成先生今年又一次站在中國閃存峰會的講臺，帶來的則是更為嚴峻地閃存控制芯片廠商生存的現(xiàn)實問題。

潘健成分享，去年8月AMD希望群聯(lián)開發(fā)一顆PCIe G4閃存控制芯片，由于時間緊迫，原本從開發(fā)到驗證需要兩年的研發(fā)時間，群聯(lián)用了9個月就完成并量產交貨。但是這顆芯片的訂單如果只有150K，對于研發(fā)投入的2000萬美金，是遠遠賺不回來的。

群聯(lián)電子董事長潘健成

因此，群聯(lián)的商業(yè)模式不僅有芯片業(yè)務，還有模塊、IP授權、設計服務等等一系列完整解決方案。2019年7月群聯(lián)電子在存儲器模塊成長57%，SSD控制芯片成長86%，SSD與eMMC成品成長116%。各板塊業(yè)務保持高速增長。

群聯(lián)電子最近推出12nm高階制程設計的最新UFS與PCIe Gen4芯片等，通過高階制程投資拉高新進廠商的進入障礙。潘總表示，我們的上一代工藝是28nm，經過內部評估后直接從28nm跳到12nm，這是一個破斧沉舟的選擇，研發(fā)投入巨大，且面臨很大挑戰(zhàn)。但群聯(lián)就是專做別人做不到的事情。據(jù)透露，群聯(lián)的另一顆12nm閃存控制芯片今年底tape out試產，預計明年第二季度量產。

主控芯片到了12nm及以下研發(fā)的巨額投資與產出之間的矛盾更加突出。那么閃存主控芯片廠商該如何走下去？

定制化是頭部主控芯片廠商正在采用的一種方式。美滿電子NigelAlvares表示，我們在通用閃存控制芯片領域做到了市場第一，同時我們擁有豐富的IP庫令設計的產品始終保持領先，另一重要則是我們自己的IP與客戶的IP進行聯(lián)合開發(fā)。這無疑透露出美滿電子對客戶定制化服務的重視。

“今天的存儲基本上已經沒有標準品了，定制化才是未來存儲的必經之路。”潘健成認為，只有定制化才能發(fā)揮存儲的價格，若大家都做標準品并互相殺戰(zhàn)，這個行業(yè)就不那么賺錢了。

隨著中國存儲產業(yè)的崛起，催生出不少國內閃存控制芯片廠商，盡管他們還很弱小，但也受到了國際大廠的關注。慧榮科技總經理茍嘉章認為，存儲市場很大，國內新興主控芯片公司要真正扎根于技術研發(fā)和產品，在國內乃至國際市場都可大有作為。而慧榮也非常密切地與國內閃存芯片廠商合作，與相關產研機構進行交流，推動國產存儲產業(yè)的發(fā)展。

不過，這些國內廠商大不可少從頭開始研發(fā)，潘健成呼吁當下建設一個存儲共享生態(tài)更重要，利用現(xiàn)成的IP或設計服務，能夠減少重復投資，以及更快的研發(fā)產品。

3D NAND從96層到128層甚至更高，單顆芯片的存儲容量在增加，閃存控制芯片未必增加，并且未來的研發(fā)投資更大，這是擺在閃存控制芯片廠商的現(xiàn)實問題。群聯(lián)采用了不做品牌，提供技術和全系列解決方案的商業(yè)模式尚可應對，然而，對于其他控制芯片廠商而言，又將如何呢？這個問題將越來越具有緊迫性。

5G來了，主控廠商在企業(yè)級存儲做得更多

全球正在開展5G商用規(guī)劃，尤其中國市場發(fā)展迅速，根據(jù)目前三大運營商的5G基站建設數(shù)量，中國移動今年預計花費240億元建設超過5萬個5G基站，中國聯(lián)通預計今年底共建設4.2萬個5G基站，中國電信今年預計建設4萬個5G基站，基站數(shù)量總和達到13萬之多。

在5G網絡的帶動下各類終端設備將產生更大的數(shù)據(jù)量，因應5G市場的需求，在企業(yè)級、數(shù)據(jù)中心市場，谷歌、亞馬遜、微軟正在加快數(shù)據(jù)中心的建設，中國還有百度、騰訊、阿里三大互聯(lián)網巨頭。中國閃存市場總經理邰煒預計2019年企業(yè)級SSD出貨量達3110萬臺，平均容量達到2.3TB，消耗了25%的全球NAND Flash產能，2020年將持續(xù)保持增長的趨勢。

慧榮科技總經理茍嘉章

慧榮科技作為擁有超過20年閃存控制芯片設計經驗的企業(yè)，自2015年至今SSD主控累計出貨已經超過2.1億顆，憑借對NAND市場及技術的深入了解，慧榮科技更為注重企業(yè)級SSD存儲市場的成長，推出完整的企業(yè)級SSD主控芯片及存儲解決方案。包括支持標準NVMe及Open Channel的企業(yè)級SSD主控芯片、專為服務器開機硬盤提供的PCIe NVMe單芯片SSD解決方案。

搭載第6代NANDXtend技術，融合慧榮科技獨有專利的高性能LDPC糾錯碼（ECC）引擎和RAID的機器學習算法，即使在極端操作環(huán)境下也能提供高性能并延長數(shù)據(jù)保存，進而提升QoS，為企業(yè)及數(shù)據(jù)中心應用提供高性能、大容量、高可靠性和低延遲等卓越表現(xiàn)。

慧榮科技2015年收購上海寶存科技打入企業(yè)級和數(shù)據(jù)存儲市場，正是看好大型數(shù)據(jù)中心未來對SSD的需求將超越消費類市場，大容量存儲需求更加可觀。茍嘉章表示，慧榮科技已經與阿里、百度、字節(jié)跳動以及美國大廠等達成了合作。

過去三十年以CPU為中心的底層架構，正因為5G、云計算、數(shù)據(jù)中心的到來，變成如今的以存儲為中心。“如何存儲和連接，快速地找到所需要的內容，利用數(shù)據(jù)進行分析，就好比淘寶和螞蟻金服所需要的云服務是完全不一樣的，那么他所使用的存儲架構也將不同。我們閃存控制芯片廠商的價值就在于幫助客戶更好地解決這些問題，達到更佳的應用效能。”茍嘉章說道。

估明年第三季度NAND供應緊張？

受到全球經濟下滑以及中美貿易等因素的影響，諸多互聯(lián)網公司對數(shù)據(jù)業(yè)務擴張謹慎，儲備的存貨較多，采購放緩；市場層面，5G、車聯(lián)網等應用未完全鋪開，加之閃存芯片大廠紛紛向外清理庫存，因此閃存控制芯片廠商在今年上半年感受到了較為疲軟的壓力。茍嘉章向電子發(fā)燒友網記者講明上述形勢。

在此次峰會上，邰煒表示，2019年主要的NAND Flash供應商三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等已基本實現(xiàn)了從2D NAND向3D NAND技術的切換，2019上半年92/96層3D NAND大量用在自家的品牌產品上，也包括QLC的產品，不過市面上仍以64層/72層為主，到下半年各家原廠陸續(xù)計劃出貨92/96層3D NAND，容量主要是256Gb和512Gb，同時美光的N28A 1Tb QLC也出貨在即，勢必對市場后續(xù)NAND Flash供應和價格產生影響。

比如，在2016年和2017年，由于原廠由2D向3D過渡時期導致產能減少，以至于市場供不應求，且NAND Flash持續(xù)2年的漲勢。如今原廠已完成技術的過渡，再加上市場需求受到外圍因素的影響，產業(yè)不景氣，NAND Flash行情再次進入下滑的通道。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，僅僅是2019上半年NAND Flash價格就已跌了32%，在原廠采取減少資本支出、降低NAND bit產出、延遲新工廠投產計劃、按需投產等策略的影響下，下半年下跌幅度趨勢明顯。

走在一線的控制芯片廠商更深知市場的冷暖。潘健成說，經過6月底東芝斷電以至7，8兩月閃存價格上漲，現(xiàn)在閃存的價格走兩個極端，OEM需求很強，受關稅政策影響希望在關稅實施前出口美國；渠道也在拉貨但動能不足，9，10月份需求相對旺盛。但明年初整個行業(yè)比較辛苦。直到明年第三季度預計閃存將漲價，這主要是受到5G產業(yè)對存儲需求的大爆發(fā)，但存儲的供應并未明顯放量造成的供需矛盾引發(fā)的，預計第四季閃存的供應將更加緊張。慧榮茍總也認為，今年存儲價格跌得快，整個行業(yè)的步伐都放緩，目前閃存價格相對穩(wěn)定，寄希望于明年市場需求的增長。