一、 中國半導體器件型號命名方法

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：

第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管（F《3MHz，Pc《1W）、G-高頻小功率管（f》3MHz，Pc《1W）、D-低頻大功率管（f《3MHz，Pc》1W）、A-高頻大功率管（f》3MHz，Pc》1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用數字表示序號

第五部分：用漢語拼音字母表示規格號

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

日本半導體分立器件型號命名方法

二、日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：

第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。

第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。

第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。

第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。

美國半導體分立器件型號命名方法

三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。

第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。

第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。

第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、 國際電子聯合會半導體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg》1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg《0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。

第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。

除四個基本部分外，有時還加后綴，以區別特性或進一步分類。常見后綴如下：

1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。

2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。

如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半導體器件

第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。

第三部分：多位數字-表示器件的登記序號。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產品。

俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。

一、半導體二極管參數符號及其意義

CT---勢壘電容

Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv---偏壓結電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結電容

Cjo/Cjn---結電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系數

Cvn---標稱電容

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流

IF（AV）---正向平均電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。

IH---恒定電流、維持電流。

Ii--- 發光二極管起輝電流

IFRM---正向重復峰值電流

IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）

Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流

IF（ov）---正向過載電流

IL---光電流或穩流二極管極限電流

ID---暗電流

IB2---單結晶體管中的基極調制電流

IEM---發射極峰值電流

IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMP---正向脈沖電流

IP---峰點電流

IV---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發電流

IGD---晶閘管控制極不觸發電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復平均電流

IDR---晶閘管斷態平均重復電流

IRRM---反向重復峰值電流

IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復電流

Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流

Izk---穩壓管膝點電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM---穩壓二極管浪涌電流

IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流

iF---正向總瞬時電流

iR---反向總瞬時電流

ir---反向恢復電流

Iop---工作電流

Is---穩流二極管穩定電流

f---頻率

n---電容變化指數；電容比

Q---優值（品質因素）

δvz---穩壓管電壓漂移

di/dt---通態電流臨界上升率

dv/dt---通態電壓臨界上升率

PB---承受脈沖燒毀功率

PFT（AV）---正向導通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向導通總瞬時耗散功率

Pd---耗散功率

PG---門極平均功率

PGM---門極峰值功率

PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi---輸入功率

PK---最大開關功率

PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏過脈沖功率

PMS---最大承受脈沖功率

Po---輸出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---總耗散功率

Pomax---最大輸出功率

Psc---連續輸出功率

PSM---不重復浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE---射頻電阻

RL---負載電阻

Rs（rs）----串聯電阻

Rth----熱阻

R（th）ja----結到環境的熱阻

Rz（ru）---動態電阻

R（th）jc---結到殼的熱阻

r δ---衰減電阻

r（th）---瞬態電阻

Ta---環境溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

tf---下降時間

tfr---正向恢復時間

tg---電路換向關斷時間

tgt---門極控制極開通時間

Tj---結溫

Tjm---最高結溫

ton---開通時間

toff---關斷時間

tr---上升時間

trr---反向恢復時間

ts---存儲時間

tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數

λp---發光峰值波長

△ λ---光譜半寬度

η---單結晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態重復峰值電壓

VGT---門極觸發電壓

VGD---門極不觸發電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VF（AV）---正向平均電壓

Vo---交流輸入電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vn---中心電壓

Vp---峰點電壓

VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）---擊穿電壓

Vth---閥電壓（門限電壓）

VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM---反向工作峰值電壓

V v---谷點電壓

Vz---穩定電壓

△Vz---穩壓范圍電壓增量

Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓

av---電壓溫度系數

Vk---膝點電壓（穩流二極管）

VL ---極限電壓

二、雙極型晶體管參數符號及其意義

Cc---集電極電容

Ccb---集電極與基極間電容

Cce---發射極接地輸出電容

Ci---輸入電容

Cib---共基極輸入電容

Cie---共發射極輸入電容

Cies---共發射極短路輸入電容

Cieo---共發射極開路輸入電容

Cn---中和電容（外電路參數）

Co---輸出電容

Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容

Coe---共發射極輸出電容

Coeo---共發射極開路輸出電容

Cre---共發射極反饋電容

Cic---集電結勢壘電容

CL---負載電容（外電路參數）

Cp---并聯電容（外電路參數）

BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓

BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓

BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓

BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓

BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓

D---占空比

fT---特征頻率

fmax---最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率

hFE---共發射極靜態電流放大系數

hIE---共發射極靜態輸入阻抗

hOE---共發射極靜態輸出電導

h RE---共發射極靜態電壓反饋系數

hie---共發射極小信號短路輸入阻抗

hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數

hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數

hoe---共發射極小信號開路輸出導納

IB---基極直流電流或交流電流的平均值

Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值

IE---發射極直流電流或交流電流的平均值

Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流

Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流

Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流

Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流

Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流

Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流

ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。

IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值

ICMP---集電極最大允許脈沖電流

ISB---二次擊穿電流

IAGC---正向自動控制電流

Pc---集電極耗散功率

PCM---集電極最大允許耗散功率

Pi---輸入功率

Po---輸出功率

Posc---振蕩功率

Pn---噪聲功率

Ptot---總耗散功率

ESB---二次擊穿能量

rbb‘---基區擴展電阻（基區本征電阻）

rbb’Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積

rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻

roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻

RE---外接發射極電阻（外電路參數）

RB---外接基極電阻（外電路參數）

Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）

RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）

RL---負載電阻（外電路參數）

RG---信號源內阻

Rth---熱阻

Ta---環境溫度

Tc---管殼溫度

Ts---結溫

Tjm---最大允許結溫

Tstg---貯存溫度

td----延遲時間

tr---上升時間

ts---存貯時間

tf---下降時間

ton---開通時間

toff---關斷時間

VCB---集電極-基極（直流）電壓

VCE---集電極-發射極（直流）電壓

VBE---基極發射極（直流）電壓

VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓

VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓

Vp---穿通電壓。

VSB---二次擊穿電壓

VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）

Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）

VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）

VCE（sat）---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降

VBE（sat）---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）

VAGC---正向自動增益控制電壓

Vn（p-p）---輸入端等效噪聲電壓峰值

V n---噪聲電壓

Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv---偏壓結電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結電容

Cjo/Cjn---結電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系數

Cvn---標稱電容

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流

IF（AV）---正向平均電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。

IH---恒定電流、維持電流。

Ii--- 發光二極管起輝電流

IFRM---正向重復峰值電流

IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）

Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流

IF（ov）---正向過載電流

IL---光電流或穩流二極管極限電流

ID---暗電流

IB2---單結晶體管中的基極調制電流

IEM---發射極峰值電流

IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMP---正向脈沖電流

IP---峰點電流

IV---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發電流

IGD---晶閘管控制極不觸發電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復平均電流

IDR---晶閘管斷態平均重復電流

IRRM---反向重復峰值電流

IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復電流

Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流

Izk---穩壓管膝點電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM---穩壓二極管浪涌電流

IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流

iF---正向總瞬時電流

iR---反向總瞬時電流

ir---反向恢復電流

Iop---工作電流

Is---穩流二極管穩定電流

f---頻率

n---電容變化指數；電容比

Q---優值（品質因素）

δvz---穩壓管電壓漂移

di/dt---通態電流臨界上升率

dv/dt---通態電壓臨界上升率

PB---承受脈沖燒毀功率

PFT（AV）---正向導通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向導通總瞬時耗散功率

Pd---耗散功率

PG---門極平均功率

PGM---門極峰值功率

PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi---輸入功率

PK---最大開關功率

PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏過脈沖功率

PMS---最大承受脈沖功率

Po---輸出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---總耗散功率

Pomax---最大輸出功率

Psc---連續輸出功率

PSM---不重復浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE---射頻電阻

RL---負載電阻

Rs（rs）----串聯電阻

Rth----熱阻

R（th）ja----結到環境的熱阻

Rz（ru）---動態電阻

R（th）jc---結到殼的熱阻

r δ---衰減電阻

r（th）---瞬態電阻

Ta---環境溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

tf---下降時間

tfr---正向恢復時間

tg---電路換向關斷時間

tgt---門極控制極開通時間

Tj---結溫

Tjm---最高結溫

ton---開通時間

toff---關斷時間

tr---上升時間

trr---反向恢復時間

ts---存儲時間

tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數

λp---發光峰值波長

△ λ---光譜半寬度

η---單結晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態重復峰值電壓

VGT---門極觸發電壓

VGD---門極不觸發電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VF（AV）---正向平均電壓

Vo---交流輸入電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vn---中心電壓

Vp---峰點電壓

VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）---擊穿電壓

Vth---閥電壓（門限電壓）

VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM---反向工作峰值電壓

V v---谷點電壓

Vz---穩定電壓

△Vz---穩壓范圍電壓增量

Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓

av---電壓溫度系數

Vk---膝點電壓（穩流二極管）

VL ---極限電壓

三、場效應管參數符號意義

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比（占空系數，外電路參數）

di/dt---電流上升率（外電路參數）

dv/dt---電壓上升率（外電路參數）

ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID（on）---通態漏極電流

IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管）

IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDS（sat）---溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IDSS1---對管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）

gfs---正向跨導

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導

gds---漏源電導

K---失調電壓溫度系數

Ku---傳輸系數

L---負載電感（外電路參數）

LD---漏極電感

Ls---源極電感

rDS---漏源電阻

rDS（on）---漏源通態電阻

rDS（of）---漏源斷態電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數）

RL---負載電阻（外電路參數）

R（th）jc---結殼熱阻

R（th）ja---結環熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）

to（on）---開通延遲時間

td（off）---關斷延遲時間

ti---上升時間

ton---開通時間

toff---關斷時間

tf---下降時間

trr---反向恢復時間

Tj---結溫

Tjm---最大允許結溫

Ta---環境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGS（th）---開啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

VDS（on）---漏源通態電壓

VDS（sat）---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅動源內阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數

ards---漏源電阻溫度系數