在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭(zhēng),目前僅剩下臺(tái)積電、三星、以及英特爾。不過(guò),因?yàn)橛⑻貭栆宰约?a target="_blank">公司的產(chǎn)品生產(chǎn)為主,因此,臺(tái)積電與三星的競(jìng)爭(zhēng)幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。
近幾年來(lái),臺(tái)積電在半導(dǎo)體制程技術(shù)上一路突飛猛進(jìn),但三星也不甘示弱,積極的推進(jìn)各種新制程,但是無(wú)論就技術(shù),還是進(jìn)度方面仍然比臺(tái)積電慢了不少。在當(dāng)前臺(tái)積電的7納米加強(qiáng)版EUV制程已量產(chǎn)情況下,三星方面則可能還要一些時(shí)間的努力。
不過(guò),眼下兩家廠商的重點(diǎn)都已經(jīng)不在7納米的身上,而是加速邁向更新的5納米制程上。
根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),三星、Arm、與新思科技(Synopsys)聯(lián)合宣布,已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一整套優(yōu)化工具和IP,可讓芯片廠商以三星5納米制程,快速生產(chǎn)基于ARM Herculues CPU核心的芯片。
報(bào)導(dǎo)指出,三星5納米制程技術(shù)編號(hào)為5LPE,也就是5nm Low Power Early。該制程是三星7納米制程(7LPP),在第二代6納米(6LPP)制程之后,所發(fā)展出的第三代改良版制程。在以EUV極紫外光刻技術(shù)之后的5LPE,號(hào)稱邏輯效率將較前一代提升最多25%,或者是在相同性能和密度下,整體的芯片功耗將可降低20%,以及在同等功耗和密度下,性能能夠提升10%。
對(duì)此,三星強(qiáng)調(diào)由于制程一脈相承的關(guān)系,芯片廠商可以重新利用三星7納米制程的IP,應(yīng)用在5納米的制程上,以加速在5LPE上的芯片開(kāi)發(fā)。不過(guò),如果要想發(fā)揮其全部潛力,其新的優(yōu)化工具和IP依舊必不可少。因此,三星宣布與Arm與新思科技的合作,由ARM向三星的5納米制程提供物理IP和POP IP,以進(jìn)一步幫助客戶快速開(kāi)發(fā)新品。
而根據(jù)三星所公布的資料顯示,三星預(yù)計(jì)2019年下半年完成5納米制程進(jìn)行流片,2020年上半年投入量產(chǎn)。而屆時(shí)臺(tái)積電的新一代6納米制程也進(jìn)入量產(chǎn),更新5納米制程則將緊隨而來(lái),這使得兩者間的競(jìng)爭(zhēng)還將會(huì)進(jìn)一步地延續(xù)下去。
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