日前，格芯和臺積電宣布，將撤銷兩家公司相互之間的以及涉及任何客戶的全部訴訟。兩家公司已經同意，就各自在全球范圍內的現有半導體專利以及未來十年內將要申請的專利，互相給予對方寬泛的專利有效期交叉許可。兩家公司均將持續并大量投入半導體技術的研發。

這一決定確保了格芯和臺積電可以自由地從事各自的經營活動，同時保證了其各自的客戶可以持續地獲得晶圓廠的完整的技術和服務。

今年8月26日，格芯在德國、美國得克薩斯州和特拉華州，以及美國國際貿易委員會共提起了25項訴訟，指控臺積電違反了十多項專利，涉及芯片和制造芯片的方法。

隨后，臺積電發布聲明稱，目前正在審視格芯于8月26日所提的訴訟內容，深信其侵權指控并無根據，公司以一切可能的方法來反擊，以保護自主研發的專有技術。

雙方短暫”交火“了兩個月后，宣布和解。

格芯的首席執行官Thomas Caulfield在聲明中稱：“我們很高興能夠迅速達成和解，這一和解方案也表明了我們各自的知識產權的優勢。今天宣布這一決定可以使得我們兩家公司都能專注于技術創新，以及為全世界的客戶提供更優質的服務。”他還補充道：“格芯和臺積電之間的協議保護了格芯的增長能力，對于構成今天全球經濟核心的半導體行業而言，這是整個行業的勝利。”

“半導體行業競爭總是相當激烈，驅動參與者去創新，而這些創新活動豐富了全球成百上千萬人們的生活。臺積電投入了數百億美元進行創新方能達到今日的領導地位”，臺積電的總法務長方淑華在聲明中稱，這一決定是積極的，使臺積電能專注于提升公司客戶對技術的需求，從而不斷引入創新，賦能整個半導體行業的繁榮和興盛。”

格芯是全球領先的特殊工藝半導體代工廠，格芯總部位于美國加利福尼亞州，但實際上，該公司由阿聯酋政府的投資部門Mubadala投資公司所有。

臺積公司成立于1987年，率先開創了專業積體電路制造服務之商業模式，并一直是全球最大的專業集成電路制造服務公司。臺積公司是首家提供7納米制程技術為客戶生產芯片的專業集成電路制造服務公司，其企業總部位于***新竹。

臺積電投入近萬人作戰

臺積電董事長劉德音昨（31）日主持***半導體產業協會（TSIA）年度論壇結語時透露，臺積電會加大研發能量，將于竹科新建研發中心，打造成***的貝爾實驗室，預計再擴增8，000名研發大軍，投入未來二、三十年科技和材料研發及半導體產業的基礎研究。

臺積電目前在晶圓代工先進制程領先全球，這是劉德音首次針對臺積電即將打造的全新研發中心，提出未來研發方針及定位。業界解讀，臺積電此舉將可更進一步鞏固領先地位，狠甩英特爾、三星等勁敵。

臺積電過去五年已投資逾500億美元在技術研發，以臺積電打算打造***貝爾實驗室的計劃，預定未來幾年仍會投入數百億美元在新科技和新材料的研發，持續扮演***半導體業領頭羊。

臺積規劃新研發中心，基地位于新竹縣寶山鄉，面積約32.7公頃，已向竹科管理局提出擴建計劃，目前全案已進入環評補件階段，根據臺積電之前的資料，整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式動工建設，耗資超過4000億新臺幣，折合879億人民幣或者130億美元。。臺積電幕僚表示，未來臺積電3納米以下的研發都會在此研發中心進行。

由于摩爾定律逐漸到了物理極限，3nm被認為是最后的一代硅基半導體工藝，因為1nm節點會遭遇嚴重的干擾。為了解決這個問題，三星宣布在3nm節點使用GAA環繞柵極晶體管工藝，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

與三星相比，臺積電并沒有公布過3nm工藝的具體技術細節，預計也會改用全新結構的晶體管工藝，只不過目前尚無明確消息。

但臺積電方面表示，他們 3nm工藝技術研發非常順利，已經有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術定義，3nm將在未來進一步深化臺積電的領導地位。

目前，3nm工藝仍在早期研發階段，臺積電也沒有給出任何技術細節，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節點，而不是5nm的改進版。

臺積電只是說，已經評估了3nm工藝所有可能的晶體管結構設計，并與客戶一起得到了非常好的解決方案，具體規范正在進一步開發中，公司有信心滿足大客戶們的所有要求。

臺積電此前曾披露，計劃在2022年就量產3nm工藝。

臺積電追求技術自主，這幾年持續擴大研發規模，經費逐年提高，去年研發經費已占營收的8%，約達858.95億元新高，較前年的807.32億元增加，也超越***半導體業界，今年占比估為8.6%，金額站上千億元，再寫新猷。（綜合自經濟日報等）