AMD首席執(zhí)行官Lisa Su在最近的財報電話會議上表示，即將推出的Zen和rDNA內(nèi)核將更多地關(guān)注系統(tǒng)架構(gòu)，而不是制程技術(shù)。該聲明是在AMD 7納米產(chǎn)品上市首個完整季度之后發(fā)布的，其中包括其EPYC，Ryzen和Radeon系列產(chǎn)品，這是自2005年以來季度收入最高的一年。

“AMD的下一代Zen和rDNA內(nèi)核將重點放在處理技術(shù)的系統(tǒng)架構(gòu)上，因為這是其產(chǎn)品陣容不斷發(fā)展的最高杠桿?！盇MD首席執(zhí)行官表示。

AMD Zen和rDNA內(nèi)核基于TSMC尖端的7nm工藝節(jié)點，并且是采用該新工藝技術(shù)的首批高性能處理器。鑒于這些高端產(chǎn)品幾年來一直依賴新的工藝節(jié)點，因此AMD在未來幾年的主要重點將是最大程度地利用現(xiàn)有7nm技術(shù)的性能優(yōu)勢，主要在架構(gòu)方面提高性能。這意味著即將到來的Zen和rDNA系列將在未來數(shù)年內(nèi)采用7nm節(jié)點，但這不會從路線圖中刪除5nm。

據(jù)AMD首席執(zhí)行官稱，它們肯定會過渡到5nm，但只能在適當(dāng)?shù)臅r候進行。我們能確定的是，AMD正在開發(fā)他們的下一代Zen和rDNA的核心。AMD已經(jīng)確認了直到Zen 5為止的未來CPU內(nèi)核，而且下一代rDNA架構(gòu)也已經(jīng)在2020年得到確認。這些內(nèi)核的問題是，盡管AMD不會過渡到7納米以下節(jié)點，但它們將利用經(jīng)過優(yōu)化的內(nèi)核。 7nm +技術(shù)可提高效率。此外，AMD無需急于采用工藝技術(shù)，因為它們已經(jīng)領(lǐng)先于其競爭對手（Intel），后者在2019年仍依賴14nm的高性能產(chǎn)品陣容，并有望在2020年升級到10nm。

就像Zen +使用中間的12nm FinFET節(jié)點在Ryzen和Radeon產(chǎn)品上進行相當(dāng)不錯的效率升級一樣，下一代Zen 3和rDNA 2內(nèi)核也將基于7nm +工藝節(jié)點，從而充分利用它們的整體效率。

AMD最近更新的路線圖顯示，支持“ Milan” CPU的架構(gòu)Zen 3將在2020年問世。Zen3內(nèi)核將基于7nm +工藝節(jié)點，它將與10nm Ice Lake-SP和14nm ++ Cooper對抗。

AMD的首席技術(shù)官Mark Papermaster還透露，Zen 3是在Zen 2的基礎(chǔ)上構(gòu)建的，它將主要提高效率以及整體性能的提升。

AMD已經(jīng)擁有一些業(yè)界最先進的封裝解決方案，它們在Ryzen和EPYC CPU上采用了Zen芯片設(shè)計。他們只是希望在未來的幾代中進一步完善它，以應(yīng)對重大的體系結(jié)構(gòu)更改。

AMD Zen 3 7nm +芯片架構(gòu)-Zen 2經(jīng)過改進，適用于下一代服務(wù)器和臺式機

7nm + Zen 3核心設(shè)計已經(jīng)完成，我們可以看到在2020年1H左右開始生產(chǎn)。雖然Zen 2是第一個基于7nm節(jié)點的處理器架構(gòu)，但Zen 3將基于演進的7nm +節(jié)點，因此比Zen 2的7nm工藝多20％的晶體管。7nm +工藝節(jié)點的效率也提高了10％。可能我們獲得的核心性能可能不如Zen 2處理器重要，但是，性能的提升將給英特爾在服務(wù)器和臺式機領(lǐng)域帶來更大壓力。

Zen 3核心架構(gòu)的旗艦產(chǎn)品之一將是第三代EPYC系列，即Milan。EPYC Milan系列處理器將部署在CRAY設(shè)計的新型Perlmutter超級計算機中。早期針對單個節(jié)點的規(guī)范表明，Milan CPU具有64個內(nèi)核和128個線程以及AVX2 SIMD（256位）。還支持8通道DDR內(nèi)存，每個節(jié)點的支持大于256 GB。

除了Zen 3之外，Zen 4和Zen 5也已被確認。第三代EPYC產(chǎn)品陣容被正式確認為“Genoa”。Zen 4目前正在設(shè)計中，計劃于2021-2022年左右發(fā)布。它將使用7nm以下的工藝節(jié)點，并且絕對是Zen 2 / Zen 3設(shè)計的適當(dāng)升級。與每一代Zen一樣，Ryzen和Ryzen Threadripper系列產(chǎn)品也將面市。

圖：AMD CPU路線圖（2018-2020）。

AMD RDNA 2 7nm + GPU體系結(jié)構(gòu)-支持光線追蹤的高端圖形陣容

在GPU方面，AMD還透露了RNDA 2 GPU架構(gòu)目前正在設(shè)計中，計劃于2020年推出。鑒于Zen 3設(shè)計已經(jīng)完成而RDNA 2仍在設(shè)計中，我們可以說CPU的發(fā)布將遠遠超過7nm + GPU。我們可以看到有可能在2020年中推出CPU，而GPU在2020年末上市。

除了謠言外，我們對RDNA 2知之甚少，但AMD正式談?wù)摰氖荝ay Tracing，它將在他們的下一代GPU陣容中使用。借助下一代RDNA架構(gòu)，AMD計劃在其GPU上進行硬件級別的集成，以支持游戲中的實時光線追蹤。

AMD還希望將RDNA 2推向高端市場。雖然第一代RDNA GPU在300美元~500美元的細分市場中表現(xiàn)出色，但我們可能會看到基于RDNA 2的Radeon RX系列圖形卡的一系列發(fā)燒級設(shè)計。這些將與NVIDIA的RTX 2080 SUPER / RTX 2080 Ti抗衡，但NVIDIA并不會“坐以待斃”。NVIDIA 7nm GPU的計劃正在進行中，預(yù)計2020年發(fā)布。

還應(yīng)該指出，高端Navi GPU可能會像當(dāng)前的旗艦產(chǎn)品一樣保留高帶寬內(nèi)存設(shè)計。盡管AMD在其主流的基于RDNA的卡上都配備了GDDR6內(nèi)存，但該公司很可能會繼續(xù)采用較新的HBM2E VRAM。

HBM2E DRAM采用8-Hi堆棧配置，并利用16 Gb內(nèi)存管芯堆疊在一起并以3.2 Gbps的時鐘頻率運行。這將導(dǎo)致單個帶寬的總帶寬為410 GB / s，而兩個HBM2E堆棧的總帶寬為920 GB / s，這簡直太瘋狂了。

最重要的是，DRAM具有1024位寬的總線接口，與當(dāng)前的HBM2 DRAM相同。三星表示，他們的HBM2E解決方案以4路配置堆疊時，可以以1.64 TB / s的帶寬提供高達64 GB的內(nèi)存。此類產(chǎn)品僅適用于服務(wù)器/ HPC工作負載，但針對發(fā)燒友的高端圖形產(chǎn)品最多可具有32 GB內(nèi)存，而只有兩個堆棧，是Radeon VII的兩倍。

圖：AMD GPU架構(gòu)比較。