11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產業化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負責人出席簽約儀式。

該項目將新建大型規模化的GaN射頻器件與功率器件生產基地，總投資25億元，占地110畝。項目全部達產后可實現年銷售30億元以上，年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯網、軍工航天、數據中心、通信設備、智能電網及太陽能逆變器等領域。

該項目的引進是嘉興科技城深入實施全面融入長三角一體化發展首位戰略的成果之一，將進一步推動南湖區集成電路新一代半導體產業的高質量發展，加速區塊鏈產業創新成長。

憑借在產業領域的投資布局、頂級的專家團隊以及廣大的市場應用，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司通過打造射頻功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的業務板塊，實現了初具生態鏈格局、互為契合應用的產業版圖，建立起擁有自主知識產權并在全球范圍內具有代表性的化合物半導體材料制造產業化生產，使之成為具有世界影響力的中國第三代半導體芯片產業示范標桿。
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