中美貿易爭端下的中國半導體趨勢成為一個熱門話題。隨著福建晉華，華為等事件的發生，我國開始更加堅定發展自己的半導體產業，DRAM制造商合肥長鑫，福建晉華，紫光集團旗下長江存儲，江波龍已經開始自行設計生產DRAM。

JHICC在美國禁運下自行開始準備生產DRAM

去年11月，美國司法部對聯電和福建晉華（JHICC）的員工進行了起訴。在此之前，10月29日，又以國家安全為由，美國商務部將JHICC列入了出口限制清單，并禁止美國公司與JHICC公司打交道。這使得美國設備制造商（如Applied Materials，Lam Research，KLA等）無法正常為JHICC提供生產設備，導致后者最后被迫停止運營。

但是，JHICC似乎最近已經開始準備復興。在韓國，它招募了為三星和SK海力士工作的DRAM工程師，在中國和中國***地區，它招募了從電路設計到設備維護的數十人。

由于美國的制造設備提供商無法提供現場工程支持，JHICC將盡力招募盡可能多的工程人員來優化生產線設備設置和參數設置。可以猜測的是，他們的目標是使已進入休眠狀態的DRAM生產線復蘇。據***市場趨勢研究公司TrendForce稱，JHICC將于明年年底開始生產，但最初的生產規模預計不到每月10,000個。

在突然到來的日韓出口爭端中，韓國半導體公司受到日本相關材料禁運的影響，有傳言稱韓國的半導體存儲產品線將會受到沖擊。該事件似乎對中國的DRAM制造商來說是個利好信息。

DDR4 DRAM經過兩輪終于開始生產

另一家DRAM制造商，合肥市長鑫存儲技術有限公司（CXMT）已開始小規模生產DDR4 8G位DRAM，并準備批量生產用于智能手機的LPDDR4 DRAM。據說到2021年以后，月產量將達到100,000或更多。

盡管該公司擔心被美國困住，但并未采用***華亞（現在的美光內存***）開發的技術，更改了技術引進政策，并更換了管理團隊。該公司最終收購了奇夢達的46nm堆棧結構DRAM（已開發但尚未發布）。

公開資料顯示，CXMT與兆易創新達成了合作協議，共同開發19nm工藝的DRAM內存，去年底已經推出了8Gb DDR4內存樣品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內存樣品，年底正式量產，月產能將達到2萬片晶圓。

長江存儲將于年底啟動DRAM大規模生產工廠建設

紫光集團旗下長江存儲YMTC一直在開發和制造DRAM，除了今年年底開始量產的3D NAND業務外，該公司已經開始行動，重新進入DRAM業務。6月30日，成立了一個新的DRAM事業部，***原DRAM制造商Inotera Memories（現為美光技術***公司）的首席執行官Charles Kao擔任了CEO。8月27日，DRAM事業部的總部在重慶兩江新區成立，并與重慶市人民政府合作設立了DRAM研發中心和DRAM批量生產工廠。

據了解，紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產。在芯片工廠建成前，紫光集團先期在現有芯片工廠內設立產品中試生產線，進行產品生產工藝技術研發，待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產。

江波龍（FORESEE）微存儲新品DDR3L正式量產！

11月13日，江波龍電子（FORESEE）宣布面向智能電子終端設備應用的微型嵌入式DRAM存儲新品DDR3L開始投產，讀寫速率滿足主流應用1866Mbps需求，最高可達2133Mbps。同時DDR4產品已開始納入研發進程。

據悉，目前FORESEE微存儲DDR3L產品已在海思、中興微、瑞芯微、全志、Amlogic、國科微、國芯等平臺主控端完善認證，為不同應用場景提供芯片級支持。

預計2020年國產DRAM全球占比不到3％

在中國，韓國SK Hynix正在無錫開始大規模生產DRAM，但明年國產DRAM產品的生產仍然非常有限。根據TrendForce的最新預測，中國存儲器制造商在2020年的DRAM產量僅不到全球產業投入的3％。

但有必要強調一點，繼NAND之后，DRAM大規模生產計劃的輪廓變得清晰起來，中國很可能最終將成為存儲大國。但是，可能需要花更多時間確定國產存儲器制造商何時會對DRAM市場的全球供需平衡產生顯著影響。