作為業界少數幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經開始使用其14 nm FinFET制造技術批量生產芯片。該公司設法開發了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點遺憾的是，中芯國際的FinFET生產線比其他代工廠的生產線要小得多。

中芯國際的前代制造技術為28納米，因此14納米工藝切實提高了晶體管密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產更復雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競爭對手。

目前，中芯國際在其300毫米晶圓廠之一中使用其14納米工藝技術提高了產量，因此初始批量并不高。同時，中芯國際的計劃包括建立一條新的300毫米14納米生產線和更薄的工藝技術，每月產能為35,000個晶片。該工廠的建設已于今年年初完成，該公司目前正在安裝生產設備。

除了FinFET的平臺，中芯國際創新的納米制作成工藝發展正在有條不紊地進行。此外，該公司正在開發更先進的工藝，包括那些將需要在未來十年使用的極紫外光刻（EUVL）設備的工藝。實際上，該公司甚至已經從ASML購買了EUV設備，但到目前為止尚未安裝。

作為一家相對較小的生產商，中芯國際在技術開發方面正在逐步縮小自身與大型競爭對手之間的差距。同時，由于每個新流程的研發成本都較高，因此公司需要增加產量以使開發在財務上可行。因此，中芯國際（及其他代工廠）及時購買先進的生產設備并增加其制造量對于長期成功至關重要。

中芯國際聯合首席執行官趙海軍和梁孟松博士在聯合聲明中說：

“在過去的兩年中，我們不僅縮小了先進技術的差距，而且擴大了全面的成熟節點技術平臺。我們相信，隨著5G應用的浪潮，我們將進入一個新的發展階段。

FinFET技術的發展繼續向前發展：第一代FinFET已成功開始批量生產，并將在第四季度開始貢獻收入。同時，第二代FinFET的發展穩定，客戶參與度也很平穩。我們相信，中芯國際將受益于即將到來的5G產品遷移帶來的廣泛商機，我們將退出這一過渡期并重新進入增長。”