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三星明年將發布128層第六代V-NAND TLC實現了512 Gb

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2019-11-25 09:52 ? 次閱讀

19日,在東京舉行的“ Samsung SSD Forum 2019 Tokyo”會上。三星電子存儲器部門產品規劃團隊高級董事總經理Jinman就所展示的解決方案進行了演講。

Jinman解釋說,該公司的堆疊NAND閃存“ V-NAND”實現了具有最新第六代產品的128層單堆疊,并通過TLC實現了512 Gb(千兆位)容量。它計劃于2020年投放市場,并且正在針對在5年內達到500層或更多層的堆棧進行研究。

之后,他介紹了該公司針對云,消費者和自動駕駛的解決方案。

在云中,引入具有PCI Express Gen4(PCIe Gen4)連接的SSD作為寬帶,并且需要高度穩定的存儲解決方案。U.2外形尺寸“ PM1733”實現了連續讀取6,400MB / s的高速傳輸,并引入了30.72TB的大容量模型。雙端口設計吸引了它,即使兩個控制器之一被損壞,它也將繼續運行。

低延遲SSD產品“ Z-SSD”吸引了需要低訪問延遲存儲的場景,例如云服務。通過基于SLC的柵極寬度優化和更快的電壓上升/下降等,基于TLC的標準SSD的讀取延遲為1 / 5.5。

針對高速NAND閃存進行了優化的NVMe SSD是市場的主要驅動力,但我們仍在繼續開發具有諸如HDD替換需求和熱插拔支持等優勢的SAS SSD產品。

除了由公司領導的NF1之外,還推出了各種外形尺寸的產品,包括由其他公司領導的標準,并且在引入PCIe Gen4產品之后不久,帶寬就增加了一倍。該公司還宣布開發加速的PCIe Gen5 SSD。

未來的固態硬盤,例如“ SmartSSD”和“ EthernetSSD”,它們可以通過內置的FPGA代替CPU進行的處理,而“ EthernetSSD”可以通過以太網促進存儲擴展,以及那些傳統產品的擴展。

在消費者存儲中,引入了用于智能手機的UFS 3。與iOS設備閃存相比,Android和UFS的結合吸引了人們在編寫時沒有性能下降的問題,并且穩定,快速。

UFS主要用于嵌入式eUFS,但三星還發布了可移動UFS卡,它不僅比競爭對手的microSD卡快,而且還具有硬件錯誤和數據丟失檢測,錯誤恢復以及假定通過諸如自動重發的功能來提高穩定性。

它已經在韓國發布,并將于2020年在美國推出。參展商表示,該公司的某些筆記本電腦配備了UFS卡插槽。

此外,他介紹了固態硬盤已在面向消費者的游戲領域中部署,并解釋說到2020年,NVMe固態硬盤不僅將安裝在PC上,還將安裝在消費者游戲機上。對于大存儲游戲內容的播放更加流暢,而且SSD是必不可少的。

隨著移動設備的增加,我們還致力于開發更節省空間的SSD,并且我們已經將尺寸為M.2 22x30的NVMe SSD商業化。并朝著1TB的容量前進,硬幣大小且重量小于1g。

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