EUV光刻設備很好賣
11月25日，市場研究公司總裁羅伯特·卡斯特拉諾（Robert Castellano）表示：“過去三年來，應用材料一直在晶圓制造前段工序（WFE）的設備市場上失去市場份額，而 ASML卻將憑借其價格高昂的EUV光刻設備大批出貨實現超越，取代應用材料成為最大的半導體設備公司。”
據了解，應用材料在2018年的市場份額為19.2％（低于2015年的23.0％），今年小幅增長到了19.4％。而ASML的市場份額今年有望從2018年的18.0％增長到21.6％。
卡斯特拉諾還表示，到2020年，整個WFE市場將迎來5％的小幅增長，再加上半導體制造商原先計劃的資本支出，ASML的市場份額有望進一步提高到22.8％，而應用材料將保持其19.3％的份額。
根據集微網此前報道，ASML稱，第3季度售出了7套EUV系統，僅EUV設備就帶來了7.43億歐元的營收。另外，第3季度還接到了23套EUV系統的訂單。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關注
關注
52文章
4895瀏覽量
127939 -
EUV
+關注
關注
8文章
606瀏覽量
86006
發布評論請先 登錄
相關推薦
日本首臺EUV光刻機就位
據日經亞洲 12 月 19 日報道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設備的半導體公司，已經開始在北海道芯片制造廠內安裝極紫外光刻系統。 它將分四個階段進行安裝，
Prolith和HyperLith?主要用于mask-in-stepper lithography仿真、光刻設計
這些設置?1。
?靈活性?：用戶可以根據需要選擇不同的仿真技術，如DUV、Immersion、EUV等，并且可以處理嚴格/標量、偏振、像差和抗蝕劑模型?1。
?分布式計算支持?：HyperLith支持
發表于 11-29 22:18
美投資8.25億美元建設NSTC關鍵設施,重點發展EUV光刻技術
拜登政府已宣布一項重大投資決策，計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元，用于建設國家半導體技術中心（NSTC）的核心設施。據美國商務部透露，奧爾巴尼的這一基地將特別聚焦于極紫外（EUV）光刻技術的研發。
今日看點丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉；三星將于2025年初引進High NA EUV光刻機
1. 三星將于2025 年初引進High NA EUV 光刻機，加快開發1nm 芯片 ? 據報道，三星電子正準備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）光刻機設備，這標
發表于 10-31 10:56
?810次閱讀
日本與英特爾合建半導體研發中心，將配備EUV光刻機
英特爾將在日本設立先進半導體研發中心，配備EUV光刻設備，支持日本半導體設備和材料產業發展，增強本土研發能力。 據日經亞洲（Nikkei Asia）9月3日報導，美國處理器大廠英特爾已
日本大學研發出新極紫外(EUV)光刻技術
近日，日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）發布了一項重大研究報告，宣布該校成功研發出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術。這一創新技術超越了當前半導體制造業的標準界限，其設計的光刻設備
日企大力投資光刻膠等關鍵EUV材料
日本在EUV光刻領域保留著對供應鏈關鍵部分的控制，例如半導體材料。 據了解，芯片制造涉及19種關鍵材料，且多數都具有較高技術壁壘，而日本企業在其中14種關鍵材料中占據全球超過50%的市場份額。由于
阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用
數值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術即將進入大批量生產階段，預計將在2025至2026年間實現廣泛應用。該實驗室的核心設備是一臺名為TWINSCANE
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機
在全球四大先進制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進行大規模生產。
ASML考慮推出通用EUV光刻平臺
范登布林克指出，更高的數值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說，Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產流程，避免因使用 High NA 光刻機進行雙重圖案化導致的額外步驟及風險。
臺積電A16制程采用EUV光刻機，2026年下半年量產
據臺灣業內人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機，而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
英特爾率先推出業界高數值孔徑 EUV 光刻系統
來源：Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業界首個高數值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統。 新設備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能擴展，使英特爾代工廠能夠繼續超越英特爾 18A
英特爾突破技術壁壘：首臺商用High NA EUV光刻機成功組裝
英特爾的研發團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作，以確保其能夠順利融入未來的生產線。
ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息，光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機型將帶來更高的生產效率。 ▲ ASML 在 X 平臺上的相關動態
佳能推出5nm芯片制造設備，納米壓印技術重塑半導體競爭格局?
佳能近日表示，計劃年內或明年上市使用納米壓印技術的光刻設備FPA-1200NZ2C。對比已商業化的EUV光刻技術，雖然納米壓印的制造速度較傳統方式緩慢，但由于制程簡化，耗電僅為
工商網監
評論