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莫大康:西方低估中國發(fā)展半導(dǎo)體的決心與韌性

章鷹觀察 ? 來源:求是緣半導(dǎo)體 ? 作者:莫大康 ? 2019-11-28 10:40 ? 次閱讀
編者按:據(jù)IDC最新報告顯示,2019年全球前5大半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)估為英特爾三星、臺積電、SK海力士及美光,第6-10名則為博通高通、德儀、東芝及輝達(dá)。2019年存儲器市場恐下滑34%,其中,三星、SK海力士和美光三大原廠衰退幅度均逾29%,又以SK海力士跌幅最大,預(yù)估業(yè)績年減38%。Trendforce預(yù)測2020年全球內(nèi)存市場年增長率預(yù)估為12.2%,基于智能手機(jī)和服務(wù)器領(lǐng)域最大,中國在存儲行業(yè)存在短板,除了采購三星、海力士和美光的存儲芯片,也在大力發(fā)展自身的存儲產(chǎn)業(yè)鏈,比如9月份長江存儲宣布64層 3D NAND閃存量產(chǎn), 合肥長鑫將在2019年底量產(chǎn)DDR4,這些廠商都是優(yōu)先以供應(yīng)內(nèi)需市場,并切入利基型DRAM。中國存儲器行業(yè)在美國封堵的情況下,到底能否自主研發(fā),形成自主能力。半導(dǎo)體行業(yè)的莫大康先生發(fā)表自己的見解。

近期中國半導(dǎo)體業(yè)要發(fā)展自己的存儲器,包括DRAM及3D NAND閃存,有些西方評論發(fā)表很直接的看法,其中如美EE Times的論點有三條:

?中國能否自行設(shè)計和制造存儲芯片?

?如果沒有,中國能否收購擁有存儲技術(shù)的全球芯片公司?

?如果美國外國投資委員會(CFIUS)不允許此類并購,中國將向誰購買尖端存儲技術(shù)的專利技術(shù)?

這是一套西方熟悉的聲音,總是在質(zhì)問中國存儲器業(yè)的技術(shù)從那里來?在他們的邏輯之中,“技術(shù)必須向他人購買”。例如1983年三星電子在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠時曾向當(dāng)時遇到資金問題的美光公司購買64K DRAM技術(shù),然后依賴自身的研發(fā)與迅速擴(kuò)大投資,最終超過日本而奪得存儲器霸主地位。

但是西方卻千方百計阻撓中國獲得存儲器技術(shù),如之前紫光試圖花230億美元兼并美光等,人家不同意,萬般無奈之下中國只能依靠自己的力量進(jìn)行突破,也只是讓中國恢復(fù)應(yīng)有的尊嚴(yán)和地位。

中國發(fā)展存儲器的必要性

首先是必要性,存儲芯片是電子系統(tǒng)的糧倉,數(shù)據(jù)的載體,關(guān)乎數(shù)據(jù)的安全,其市場規(guī)模足夠大,約占半導(dǎo)體總體市場的三分之一。其次是緊迫性,據(jù)統(tǒng)計中國市場消耗了全球DRAM產(chǎn)值的48%,及消耗了全球NAND Flash產(chǎn)值的35%,年進(jìn)口總額高達(dá)880億美元,對外依賴度超過90%。最后是安全性,存儲芯片非常重要,但目前存儲芯片中DRAM、NAND的自給率幾乎為零。

對于國產(chǎn)廠商來說,首先中小容量存儲芯片是其中的一個市場機(jī)會。據(jù)業(yè)內(nèi)預(yù)計,中小容量存儲芯片市場規(guī)模將保持在120億-200億美元,其中低容量NAND有60億-100億美元,NOR約30億美元,及低容量DRAM約70億美元,隨著物聯(lián)網(wǎng)智能終端的快速發(fā)展,將不斷擴(kuò)大對中小容量存儲芯片的需求,行業(yè)格局的演變,因此中國存儲器業(yè)的首要目標(biāo)可以從中小容量的存儲芯片開始,待站穩(wěn)腳跟之后再向高容量存儲芯片邁進(jìn)。

為什么西方不能理解中國

西方站在完全市場化角度來觀察中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展,可能是無法理解的。加上其中確有極少數(shù)人是從骨子里根本不希望中國半導(dǎo)體業(yè)有任何的進(jìn)步。

1),DRAM及3D NAND閃存是中國市場需求量最大類芯片,而西方釆用封鎖,打壓等手段欺負(fù)中國,如將晉華、華為等列入實體清單之中,阻止我們發(fā)展及獲得芯片,所以是被逼無奈的必然結(jié)果。

2),現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須依靠國家資金等投入為主,所以重點在于要加強(qiáng)研發(fā),積累IP,首先做出產(chǎn)品,然后逐漸國產(chǎn)替代。

3),存儲器業(yè)的特點,它的設(shè)計并不難,如NAND閃存基本上有兩種結(jié)構(gòu)類型,一種是Floating Gate浮柵式結(jié)構(gòu),美光,英特爾采用,另一種是Charge Trap電荷捕獲型結(jié)構(gòu),在3D NAND閃存中成為主流的選擇,包括三星、東芝、SK Hynix在內(nèi)的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結(jié)構(gòu)。

DRAM量產(chǎn)關(guān)鍵在于生產(chǎn)線的質(zhì)量控制以及持續(xù)的投資,擴(kuò)大產(chǎn)能,最終以數(shù)量與價格取勝。而中國在巨大市場以及國家資金為主的支持下發(fā)展,相信一定有能力自主做出產(chǎn)品,但是困難的是產(chǎn)能爬坡速度,及在存儲器的下降周期中能堅持下去。中國做存儲器并不是想稱霸,也缺乏條件。在很大程度上試圖滿足部分國內(nèi)的需求。

韓國獨霸存儲器業(yè)

以2019 Q2計,在DRAM方面,三星市占45%,Hynix市占29%,及在NAND閃存中,三星的市占35%及Hynix的18%,可見韓國壟斷全球存儲器業(yè)。這種局面長久下去并不利于產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。

因此站在美光、東芝等立場它們具有兩重性,一方面也害怕中國存儲器業(yè)的崛起,動了它們的“奶酪”,然而在另一方面,它們也愿意希望利用中國的崛起能削弱韓國壟斷的局面。所以中國存儲器業(yè)發(fā)展中要充分認(rèn)識目前的格局,找到適合于我們生存與發(fā)展的支點。

千萬不要低估中國半導(dǎo)體業(yè)的決心與韌性

中國是全球僅次于美國的GDP大國,但是決不是全球第二大半導(dǎo)體強(qiáng)國,與世界先進(jìn)水平尚有很大差距。據(jù)IC Insight數(shù)據(jù),2018年國產(chǎn)半導(dǎo)體自給率為15.3%,2019年將可望提升至17%左右,但預(yù)計到2023年才可望拉升至20%自給率。

在貿(mào)易戰(zhàn)的格局下,美方把中興,華為,晉華等列入“實體清單”之中,竭力阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展,而存儲器是中國半導(dǎo)體進(jìn)口金額最大類之一。如與發(fā)展CPU相比較,現(xiàn)階段存儲器作為中國半導(dǎo)體業(yè)的突破口是合乎理性的。中國不會謀求存儲器的霸權(quán)地位,也不可能,僅是希望能部分替代進(jìn)口之用,而且這樣的過程用時不會太短。

另外,中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)現(xiàn)階段以國家資金投入為主,它不是補(bǔ)貼,而是以股權(quán)加入,這也是唯一可能的選擇,相比全球其它半導(dǎo)體業(yè)者在初始時的路徑是相似的,僅是中國半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)落后了近20年。

中國要發(fā)展自已的半導(dǎo)體業(yè)是正確的選擇,也是生存的需要,所以決心是不會動搖的,加上它是集中國家的力量。觀察上世紀(jì)80年代,韓國半導(dǎo)體能在存儲器業(yè)中的成功,后來居上,一條非常成功的經(jīng)驗,就是持續(xù)投資,用虧損和時間最終打敗了競爭對手。因此在國家資金等支持下,懷疑中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的決心與信心是注定要失敗。

顯然中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中一定會尊重與保護(hù)知識產(chǎn)權(quán),并準(zhǔn)備好迎接有關(guān)專利糾紛的訴訟,它也是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的必修課之一。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展一定能取得成功,不是空穴來風(fēng),而是有充分理由的,一個是中國擁有全球最大的終端電子市場,而且在不斷增長之中,以及另一個是現(xiàn)階段以國家資金等投入為主,有足夠能力與實力迎接來自各方面的挑戰(zhàn)。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的韌性可以體現(xiàn)在:1),西方一直在壓制與打擊中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步的同時,與在中國市場中繼續(xù)謀求利益之間調(diào)節(jié)平衡,它不太可能讓中國半導(dǎo)體業(yè)“徹底停擺”,對它也未必有好處;2),如打擊華為時,與打擊中興,晉華等大不同,華為的任正非,它是嘴不硬,事扎實,讓美方感覺有些進(jìn)退兩難。所以對于此次貿(mào)易戰(zhàn)的復(fù)雜性與長期性一定要有充分的認(rèn)識;3),中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不但是可能打亂既有的“平衡格局”,同時對于全球半導(dǎo)體的增長有實質(zhì)性的推動作用,如中國可能成為全球半導(dǎo)體最大的投資地區(qū)之一。

結(jié)語

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有自身的特點,有優(yōu)勢方面,也有不足之處。在貿(mào)易戰(zhàn)下需要付出更多的努力與代價。在存儲器業(yè)中,對手已經(jīng)積累20年以上的經(jīng)驗,因此要進(jìn)行突破是不易的,可能最關(guān)鍵是信心不可動搖及要堅持到底。

美國可以繼續(xù)阻擋與壓制我們,但是在全球化的浪潮下它是不可能成功的,因為中國始終堅持改革開放,走全球化合作道路,任何面對中國的大市場而不顧,只可能是暫時的。同時在貿(mào)易戰(zhàn)下一定會加速國產(chǎn)化的推進(jìn)步伐,這樣的好時機(jī)是千載難逢。盡管中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不可能一帆風(fēng)順,未來還可能會經(jīng)歷一些曲折,要尊重“學(xué)習(xí)曲線”的規(guī)律,但是相信中國半導(dǎo)體業(yè)最終一定能夠取得成功。

本文來自求是緣半導(dǎo)體,本文作為轉(zhuǎn)載分享。

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