11月29日消息，據消息報道，從業內人士獲悉，華為已開始研發IGBT，目前正在從某國內領先的IGBT廠商中挖人。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

據華為官網顯示，IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管復合的器件，IGBT不僅具有易于驅動，控制簡單，開關頻率高等優點，同時又具備導通電壓低，通態電流大，損耗小等技術優勢。

據報道，我國功率半導體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場，但IGBT產品嚴重依賴進口，在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口，長期被英飛凌，三菱，富士電機等國外巨頭壟斷全球場，IGBT國產化需求已是刻不容緩。

據悉，在華為被卷入中美貿易戰之前，華為海思主要研發數字芯片，并不涉及功率半導體，華為所需的IGBT產品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購。

被美國加入實體清單給了華為警醒，據悉目前在二極管、整流管、mos管等領域，華為正在積極與安世半導體、華微電子等國內廠商合作，加大對國內功率半導體產品的采購量，而在高端IGBT領域，華為卻不得不開啟自研之路。

值得一提的是，工信部10月8日表示，將持續推進芯片，器件及IGBT模塊產業發展。

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