控制交流負載回路的通斷，通常會用到繼電器。繼電器是機械式觸點的電磁元器件，可以實現弱電控制強電的目的。但是在帶電流分斷負載回路時，會產生電弧腐蝕觸點，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點的響應時間在ms級別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實現。

1 什么是可控硅

可控硅是具有四層結構的PNPN型半導體器件，可以看作是由兩個三極管所構成的元器件，可控硅的半導體結構如下圖所示。

可控硅從導通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個電極分別為T1，T2以及控制G。可控硅的在導通后，及時將控制信號去掉，可控硅仍然處于導通狀態。在交流負載回路中，一般使用雙向可控硅。

2 可控硅控制回路的設計

單片機控制可控硅回路的通斷時，最好使用光耦做隔離。

單片機的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負載。當單片機輸出高電平時，光耦導通，此時可控硅的控制極有觸發信號，并且T1和T2上的交流電源滿足導通條件。單片機輸出低電平時，光耦截止，可控硅的控制極信號被移除，此時可控硅并不是立即關斷截止的，而是在過零點附件時截止。在交流回路中，可控硅的關斷比較容易。

3 可控硅的控制方式

可控硅的控制方式和三極管、MOS管都不一樣。可控硅的導通和關斷都相對較為麻煩。以單向可控硅為例，其導通條件為：

①控制極加上正向電壓；

②陽極與陰極之間要加入正向電壓；

可控硅導通后，將控制信號移除，可控硅仍然導通，要想關斷可控硅，必須滿足以下條件：

①控制信號移除；

②陽極電流小于維持電流；