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DDR存儲(chǔ)器的信號(hào)完整性討論

汽車玩家 ? 來(lái)源:Mentor ? 作者:Mentor ? 2019-12-11 13:52 ? 次閱讀
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當(dāng)今電子產(chǎn)品一個(gè)很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲(chǔ)器。服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、游戲機(jī)、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器才能運(yùn)行。每一代 DDR SDRAM(雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)都會(huì)帶來(lái)新的優(yōu)勢(shì),例如 速度和容量的提升以及功耗的下降。

但問(wèn)題是,在 PCB 設(shè)計(jì)中采用 DDR 絕非易事。從設(shè)計(jì)裕量的減小到信號(hào)完整性問(wèn)題,挑戰(zhàn)無(wú)處不在。本文將討論影響信號(hào)完整性的因素、DDR 存儲(chǔ)器件存在的信號(hào)完整性挑戰(zhàn),以及為確保信號(hào)完整性可采取的做法。

抖動(dòng)、噪聲和其他信號(hào)完整性問(wèn)題

首先,我們需要了解在使用 DDR 存儲(chǔ)器時(shí) PCB 中所發(fā)生的操作過(guò)程。DDR 接口上的時(shí)鐘從存儲(chǔ)控制器傳輸?shù)?DDR 芯片。發(fā)送和接收信號(hào),從而產(chǎn)生噪聲。

噪聲可視為任何增加到理想信號(hào)的有害能量。導(dǎo)致噪聲的原因可能包括附近的信號(hào)、設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)耐ǖ馈?失配的阻抗,或其他因素。當(dāng)存在噪聲時(shí),它會(huì)顯示為與實(shí)際信號(hào)波形的偏差。如果不存在任何噪聲, 則實(shí)際信號(hào)與理想信號(hào)波形相同。

與理想信號(hào)的任何偏差都會(huì)影響信號(hào)完整性。時(shí)序偏差(抖動(dòng))和振幅/電壓偏差(噪聲)也會(huì)影響系統(tǒng)性能。非理想的信號(hào)完整性可能導(dǎo)致 DDR 系統(tǒng)使用錯(cuò)誤的信息,從而大幅增加系統(tǒng)的誤碼率。最終系統(tǒng)將無(wú)法正常工作。

下面我們來(lái)看一個(gè)示例。如果設(shè)計(jì)人員或工程師準(zhǔn)備將一個(gè)發(fā)射器連接到某個(gè)一定距離外的未端接接收器,結(jié)果將與圖 1 顯示的波形類似。在這里,我們可以看到振鈴和過(guò)沖兩種違規(guī)。該波形顯示,1.2V 信號(hào)上存在超過(guò) 1.75V 的過(guò)沖,這可能導(dǎo)致零件過(guò)早失效。它還產(chǎn)生了 0.86V 的振鈴,根據(jù)具體設(shè)置,這可能導(dǎo)致 DDR4 出現(xiàn)邏輯故障。如果 PCB 內(nèi)置有這一拓?fù)?,?shù)據(jù)流中就會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤,進(jìn)而可能損壞接收器。

理論上,可通過(guò)縮短該術(shù)語(yǔ)的長(zhǎng)度來(lái)解決振鈴和過(guò)沖違規(guī),但在現(xiàn)實(shí)中這種做法往往不切實(shí)際。更切實(shí)際的解決方案是使用終端匹配器(圖 2)。終端匹配器可降低噪聲,以優(yōu)化波形外觀。但應(yīng)該使用什么類型的終端匹配器呢?值為多少?會(huì)造成怎樣的代價(jià)?即便對(duì)端接器的值進(jìn)行很小的更改,也會(huì)給電路性能造成實(shí)質(zhì)性的差別,因此務(wù)必正確地執(zhí)行該操作。唯一的探查方法是通過(guò)仿真,尤其是通過(guò)使用端接向?qū)Вɡ?HyperLynx? 內(nèi)置的端接向?qū)В?/p>

圖 1 和圖 2:有信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題的拓?fù)洌ㄗ螅?,以及增加終端匹配器且信號(hào)清晰的同一拓?fù)洌ㄓ遥?/p>

DDRX 中的時(shí)序問(wèn)題

隨著更寬的并行總線(例如 DDR3/4)逐漸進(jìn)入 GHz 領(lǐng)域并成為 PCB 設(shè)計(jì)中的通用組件,正確地解決信號(hào)完整性問(wèn)題比以往任何時(shí)候更加重要。

例如,DDR3 SDRAM 相比 DDR2 有很大的改進(jìn),其比特率涵蓋了 800 Mb/s 到 1600 Mb/s 甚至更寬的范圍。此外,DDR3 的比特預(yù)取架構(gòu)還提高了帶寬,降低了工作電壓 (1.5V),并且改變了驅(qū)動(dòng)器阻抗和片內(nèi)終端匹配器 (ODT) 方案。DDR3 使用 “fly-by” 拓?fù)?,這意味著地址/命令/控制和時(shí)鐘均采用菊花鏈方式從一個(gè) DRAM 元器件連接到另一個(gè)。當(dāng)與正確的 VTT 終端匹配器配合使用時(shí),DDR3 將會(huì)受益于增大的帶寬和改進(jìn)的信號(hào)完整性。與此同時(shí),DDR3 也帶來(lái)了新的信號(hào)完整性設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),特別是與 ODT 方案、更高的比特率以及時(shí)序偏移相關(guān)的挑戰(zhàn)。

盡管負(fù)責(zé)執(zhí)行自動(dòng)寫入/讀取均衡校準(zhǔn)的控制器能夠優(yōu)化設(shè)計(jì)的時(shí)序裕度,但設(shè)計(jì)人員在將設(shè)計(jì)交付加工之前仍需確保其具有足夠的裕量。DDR3 接口中的時(shí)序裕度非常小,以至于“經(jīng)驗(yàn)法則”無(wú)法奏效,而必須通過(guò)詳細(xì)的設(shè)計(jì)分析才能確保設(shè)計(jì)能夠高速工作。

要分析這些復(fù)雜的時(shí)序關(guān)系可能很困難。要識(shí)別并解決一般的 DDR 器件故障,或具體而言,解決復(fù)雜的時(shí)序關(guān)系,工程師需要進(jìn)行根本原因分析,而這可能是一項(xiàng)艱難而且乏味的任務(wù)。

導(dǎo)致產(chǎn)品失效的設(shè)計(jì)問(wèn)題可能出自多個(gè)源頭,并且往往會(huì)由于花費(fèi)在查找和解決問(wèn)題上的時(shí)間而造成項(xiàng)目排程和上市交付發(fā)生延誤。領(lǐng)先的仿真工具可通過(guò)分析低至可接受的誤碼率的信號(hào),幫助工程師快速找出故障的根本原因并加以修正。

分析 SI DDR SDRAM系統(tǒng)

JEDEC 有一份要求清單,工程師要想設(shè)計(jì)成功的產(chǎn)品,必須滿足其中的要求。DDR SDRAM 必須滿足上述要求才能正常工作并防止出現(xiàn)信號(hào)完整性問(wèn)題,這一點(diǎn)非常關(guān)鍵。但執(zhí)行所有必要的測(cè)量和計(jì)算可能是 一項(xiàng)極其艱巨的任務(wù)。

有時(shí),可通過(guò)嚴(yán)格遵守控制器供應(yīng)商提供的 Layout 準(zhǔn)則一并避免這些測(cè)量。但如果由于不同的系統(tǒng)和項(xiàng)目約束導(dǎo)致無(wú)法滿足設(shè)計(jì)準(zhǔn)則,這時(shí)應(yīng)當(dāng)如何?或者,如果您已接近滿足設(shè)計(jì)準(zhǔn)則,但仍希望驗(yàn)證是否足夠接近要求從而保證設(shè)備能夠按預(yù)期運(yùn)行,這時(shí)又當(dāng)如何?再者,如果您沒有足夠的時(shí)間確保符合所有準(zhǔn)則,而只是希望在 Layout 之前進(jìn)行一次快速檢查呢?

在上述情形下,最佳解決方案便是仿真,從而讓您能夠快速分析您的設(shè)計(jì)中是否存在任何信號(hào)完整性問(wèn)題。利用 HyperLynx? DDR 向?qū)?,您可以在一次運(yùn)行中對(duì)整個(gè) DDR 通道進(jìn)行仿真。從設(shè)備供應(yīng)商收集到需要的模型后,只需十分鐘的仿真設(shè)置時(shí)間,因而完全有可能在不錯(cuò)過(guò)截止期限的前提下使用仿真。

圖 3:使用 HyperLynx DDR 向?qū)Э焖賹?duì)整個(gè) DDR 通道進(jìn)行仿真,以確保產(chǎn)品性能。

設(shè)置過(guò)程非常輕松,向?qū)?huì)提示設(shè)置仿真所需的全部問(wèn)題。用戶可回答相關(guān)的信息,包括選擇用于控制器和存儲(chǔ)器件的 IBIS 模型、讀/寫周期的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度值、片內(nèi)終端匹配器 (ODT),以及字節(jié)通道/Strobe/ 掩膜分配等。可以保存向?qū)渲貌⒅匦抡{(diào)用以便將來(lái)使用,從而節(jié)省未來(lái)項(xiàng)目中的量產(chǎn)爬坡時(shí)間。仿真可在 Layout 之前或之后運(yùn)行,從而幫助定義 Layout 要求以及在完成 Layout 之后對(duì)其進(jìn)行驗(yàn)證。

總結(jié)

DDR SDRAM 給電子產(chǎn)品帶來(lái)了新的強(qiáng)大功能。與其他高速設(shè)計(jì)技術(shù)一樣,DDR 存儲(chǔ)器也面臨諸多挑戰(zhàn)。信號(hào)完整性是一項(xiàng)很容易破壞的要素,需要小心維護(hù)以免發(fā)生代價(jià)不菲的產(chǎn)品故障。仿真是確保信號(hào)完整性的有效方法,利用它可以考慮阻抗變化和時(shí)序延遲等板級(jí)影響,從而提供存儲(chǔ)器接口的全面剖析。功能強(qiáng)大的仿真工具有助于確保您的設(shè)計(jì)符合 JEDEC 或自定義標(biāo)準(zhǔn),并且您的最終產(chǎn)品能以正確的性能和速度運(yùn)行。

HyperLynx DDR 向?qū)Э膳c包括 PADS? 和 Xpedition? 在內(nèi)的多種 PCB 設(shè)計(jì)流程配合使用。

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