70MHz晶體振蕩電路

本電路由晶體振蕩器、緩沖放大器、選頻放大器等組成。它的主要功能是把晶體振蕩器輸出的弱信號(hào)，通過(guò)放大電路，再經(jīng)選頻放大后，輸出70MHz的基頻頻率信號(hào)。

工作原理

電路如圖3-5所示，它是一申聯(lián)型晶體振蕩電路。圖3-5中R1R2、R3.R4是三極管VT1的偏置電阻;C1.C2為旁路電容，使振蕩管VT1的基極處于交流零電位;電感L2和電阻R5均為抑制寄生振蕩元件。電感LI是回路電感，電容C3、C4C5，C6構(gòu)成回路電容，C3、C4組成一個(gè)電容分壓電路，將振蕩電壓的一-部分通過(guò)晶體SJT反饋到三極管VT1的發(fā)射極，在晶體SJT的串聯(lián)諧振頻率左右，晶體所呈現(xiàn)的阻抗很小，反饋很強(qiáng)，電路可以滿足起振條件。

調(diào)節(jié)電容C5，電路可以在一個(gè)很小的頻率范圍內(nèi)振蕩，振蕩頻率由整個(gè)反饋環(huán)的相位平衡條件決定，而不是單單取決于晶體SJT的串聯(lián)諧振頻率。但由于晶體SJT的等效Q值很高，在稍微偏離晶體SJT串聯(lián)諧振頻率時(shí)，相移就會(huì)發(fā)生很大的變化，所以晶體SJT對(duì)諧振頻率的數(shù)值起主要作用。本晶體SJT振蕩器采用小公差晶體，頻率穩(wěn)定度較高。

三極管VT2為緩沖放大器，主要用以穩(wěn)定晶體振蕩器和放大振蕩信號(hào);R8為三極管VT2的負(fù)載電阻;R9為VT2的發(fā)射極反饋電阻，用以穩(wěn)定直流工作點(diǎn)。振蕩的信號(hào)經(jīng)耦合電容C8送至選頻放大器VT3的基極，由VT3的集電極將放大的信號(hào)送入由電感L3、電容C11.C12組成的諧振選頻回路，調(diào)整電容C11使回路諧振在基頻頻率上，此振蕩電壓應(yīng)大于3V，基頻信號(hào)經(jīng)耦合電容C13輸出70MHz的信號(hào)頻率。R10、R11、R12為VT3的偏置電阻;C10為交流旁路電容;R13為VT3的發(fā)射極反饋電阻，用以穩(wěn)定直流工作點(diǎn)。

元器件選擇

三極管VTl：3DG5F，β≥100;VT2、VT3;G711D或3DG5F，β==60~80;石英晶體SJT：JA-72A-70MHz;色碼電感L4、L5:LX-3A-5.6μH。其它元件參數(shù)值如圖3-5標(biāo)注。只要元器件選擇無(wú)誤，焊接正確，電路安裝后只稍調(diào)節(jié)電容C5、C7和C11使信號(hào)頻率準(zhǔn)確在70MHz.上即可。若信號(hào)衰減較大，可不接電容C9.為防止高頻信號(hào)分流到電源中去，本電路采用了高頻扼流回路，即電感L4，L5、電容C13~C15。反過(guò)來(lái)，也抑制了電源中的諧波竄入高頻電路中去，這樣就可以進(jìn)--步降低噪聲。

70MHz并聯(lián)晶體振蕩器電路

圖3-6為70MHz并聯(lián)型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管VTI、晶體SJT及電容C1，C5等元件組成。

工作原理

晶體SJT在電路中等效為一個(gè)電感元件使用，從而構(gòu)成一個(gè)電容三端振蕩電路。回路中的總電容C=（C1●C5/C1+C5）+Cm，式中Cm是與三極管VT1并聯(lián)的雜散電容，包括VT1的結(jié)電容及分布電容。而電路中的電感L就是晶體SJT等效電感，于是振蕩頻率為f=1/2πVLC。電容C在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，則頻率可在一定的范圍內(nèi)變化。晶體SJT的標(biāo)稱頻率是指在電路中配接一定的電容得到的。圖3~6的電路可獲得70MHz的頻率，由耦合電容C4送入三極管VT2進(jìn)行信號(hào)放大，經(jīng)電容C8耦合輸出。

其中，電阻R1，R2和電阻R5、R6、R7是三極管VT1和VT2的直流偏置元件。L2是高頻扼流線圈，給振蕩管VT1的集電極電流提供-一個(gè)直流通路。C2為隔直電容。C3、C7是交流旁路電容，使VT1的發(fā)射極處于交流零電位，但直流電位不為零。電感L1、電容C6、電阻R3為改善電源濾波電路，其作用是減少紋波電壓以振高直流分量。略調(diào)電容C4.C8，可以改變耦合信號(hào)的大小。

元器件選擇

電容C1為20p，C2為100p，C3.C7為820p，C4為56p，C5，C8為47p，C6為47p/50V.電感L1為22μH（色碼電感），L2為0.3μH。電阻R1為1.6kQ，R2為1kQ，R3為750，R4為1800，1W，R5為1.3kn，R6為3kI，R7為3600，R8為4700，R9~R12為3000、2W。三極管VT1、VT2選3DG82B，65≤≤115。晶體SJT用JA9B型-70MHz。繼電器KM為JUC-1M。