1月16日，長江存儲召開市場合作伙伴年會，并在會前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報。

據(jù)介紹，長江存儲研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問題。就在日前，長江存儲確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，并正擴充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬片月產(chǎn)能。

據(jù)介紹，接下來，長江存儲將跳過96層閃存，直接量產(chǎn)128層堆疊產(chǎn)品。目前正在推進(jìn)中的下一代Xtacking 2.0，將為直接量產(chǎn)128層堆疊提供重要保障。

2019年對于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說是不平凡的一年，細(xì)化到NAND領(lǐng)域，過去的一年堪稱中國大陸公司全面進(jìn)軍存儲器市場的元年。

根據(jù) TrendForce 的統(tǒng)計，2018 年全球 NAND Flash 前五強分別為：三星（35％）、鎧俠（19.2％）、西部數(shù)據(jù)（14.9％）、美光科技（12.9％）和 SK 海力士（10.6％），前五大廠商一共拿下了 92.6%的市場，如果再加上第六的英特爾，占比將超過 99%。

2019年，隨著長江存儲32層3D NAND Flash和64層3D Flash相繼投入量產(chǎn)，國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白得以填補。

當(dāng)然，與國際領(lǐng)先企業(yè)相比仍有較大差距。目前，三星、SK海力士均已宣布新一代128層3D TLC NAND開始量產(chǎn)或送樣。西部數(shù)據(jù)、鎧俠、美光等128層3D NAND預(yù)計也將在今年面世。英特爾甚至將在今年推出144層QLC NAND。

不過，隨著長江存儲向128層的躍進(jìn)，與行業(yè)先進(jìn)水平之間的差距也將進(jìn)一步縮小。

據(jù)IC Insights 報告，2020 年預(yù)測成長最快 IC 產(chǎn)品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。高密度和高性能的 NAND flash 需求，會因固態(tài)運算提高。 行動、數(shù)據(jù)中心、云端服務(wù)器的 5G 聯(lián)網(wǎng)、人工智能、深度學(xué)習(xí)、虛擬現(xiàn)實的動能提高，車用和工業(yè)市場也持續(xù)暢旺，預(yù)料將帶動 NAND flash 和 DRAM 大幅成長。

賽迪顧問副總裁李珂曾表示，2018 年全球存儲芯片市場規(guī)模約 1700 億美元。而據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2018 全年，中國存儲器進(jìn)口金額高達(dá) 1230.83 億美元。也就是說，中國進(jìn)口存儲器金額占全球存儲芯片產(chǎn)值的72.4％。

在全球最大的市場做增長最快的行業(yè)。可以預(yù)見，2020年對于長江存儲來說，是機遇與挑戰(zhàn)并存的一年。