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導(dǎo)電膜是什么東西_導(dǎo)電膜有什么用

姚小熊27 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2020-02-24 10:22 ? 次閱讀

導(dǎo)電膜是什么東西

導(dǎo)電膜是具有導(dǎo)電功能的薄膜。 導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過(guò)程中受到表面和界面的散射,當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí),在表面和界面的影響將變得顯著,這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為薄膜的尺寸效應(yīng)。它等效于載流子的自由程減小,因此與同樣材料的塊體相比,薄膜的電導(dǎo)率較小。

導(dǎo)電膜有什么用

導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過(guò)程中受到表面和界面的散射,當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí),在表面和界面的影響將變得顯著,這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為薄膜的尺寸效應(yīng)。它等效于載流子的自由程減小,因此與同樣材料的塊體相比,薄膜的電導(dǎo)率較小。由于制備技術(shù)欠完善,通常薄膜中的缺陷濃度比較高,主要缺陷為雜質(zhì)、空位、填隙原子、位錯(cuò)、晶界,以及表面和界面的吸附和偏析等。

導(dǎo)電膜發(fā)展現(xiàn)狀

最近幾年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究者分別在低溫制備的設(shè)備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設(shè)計(jì)和制備工藝方面進(jìn)行了深入的研究。例如,Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯(PC)襯底上制備了厚度為250mm,電阻率為6× ~2(Ω·cm),透過(guò)率為74%~90%;Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上制備了110nmITO,方塊電阻是20O/□,透過(guò)率80%,但是表面的粗糙度較大;法國(guó)的David等,利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過(guò)率為85%,電阻率為~0.003Ω·cm,表面粗糙度為15-50,美國(guó)的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積(DMIBD)方法在70℃的條件下制備的ITO薄膜最高透過(guò)率為85%,最低電阻率為4×Ω·cm,表面質(zhì)量比較高;此外還有一些研究人員利用脈沖激光沉積(PLD),電子束熱蒸發(fā)和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進(jìn)行高質(zhì)量塑基的薄膜制備。

國(guó)內(nèi)的賈永新在150℃基板條件下制備出了透過(guò)率為80%左右ITO薄膜,但沒(méi)有見(jiàn)電阻和表面特性的報(bào)道;近年來(lái)李育峰等利用微波等離子體輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過(guò)率大于85%,但方塊電阻大于100O/□,表面特性沒(méi)有報(bào)道;馬瑾等在塑料襯底上在80℃-100℃的條件下制備出了透過(guò)率大于84%,電阻率~0.001量級(jí)的薄膜。

綜上所述,國(guó)內(nèi)在低溫尤其常溫下制備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠全面;并且研究制備方法也比較單一,與國(guó)外有比較大的差距。近年來(lái)國(guó)外尤其日本和韓國(guó)分別在低溫沉積技術(shù)、薄膜生長(zhǎng)機(jī)理和薄膜表面改性方面進(jìn)行了深入的研究,在保證不對(duì)薄膜襯底產(chǎn)生破壞的情況下,在低溫甚至室溫的條件下制備出了薄膜電阻率低于5×Ω·cm,透過(guò)率大于85%,表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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