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鎧俠公布XL-Flash閃存新特性 犧牲容量換來性能提升

半導體動態(tài) ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-03-05 11:28 ? 次閱讀

憑借領先一代的PCM相變存儲技術3D XPoint,Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級市場上占了上風,延遲超低,壽命也遠超閃存。

為了跟傲騰對抗,三星推出了Z-NAND閃存,鎧俠、西數(shù)則推出了XL-Flash閃存,他們的思路都是差不多的,在現(xiàn)有3D NAND閃存基礎上犧牲容量換取性能,另類復活了SLC閃存。

據(jù)介紹,XL-Flash閃存被定義為SCM(存儲類內(nèi)存),介于傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND Flash閃存之間,擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量,而且成本相對較低,初期將用于SSD固態(tài)硬盤,未來也可用于NVDIMM內(nèi)存條等傳統(tǒng)DRAM領域產(chǎn)品。

在ISSCC 2020國際會議上,鎧俠公布了XL-Flash閃存的一些特性,日本PCWatch網(wǎng)站做了報道,簡單來看下這種新型閃存的優(yōu)勢到底在哪里。

上面已經(jīng)說了,XL-Flash的思路就是在3D堆?;A上復活SLC,其內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)降低到了1bit,也就是SLC類型,這就注定了它的容量會比較低,核心容量只有128Gb(16GB),相比現(xiàn)在動輒TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多。

當然,這還是在使用了96層3D堆棧的基礎上的,如果是平面時代的SLC閃存,核心容量恐怕還要再小幾倍,現(xiàn)在128Gb核心容量基本上還是能保證大容量可用性的。

犧牲容量換來的是性能提升,XL-Flash閃存采用了16-Plane架構,延遲只有普通3D閃存的1/20,具體來說是讀取延遲4us,寫入延遲75us,要比超過500us延遲的3D TLC閃存好太多了,比三星的Z-NAND閃存的100us也要好些。

此外,XL-Flash閃存的4K隨機性能也大幅提升了,IOPS更高,不過這里沒具體的數(shù)據(jù)對比。

至于存儲密度,復活SLC閃存的代價也是有的,96層堆棧3D TLC閃存、512Gb核心的面積是86.13mm2,現(xiàn)在128Gb XL-Flash閃存就有96.34mm2,存儲密度低了3-4倍。

最后,XL-Flash閃存還有個問題就是商業(yè)化,Intel的傲騰內(nèi)存及SSD都上市一兩年了,鎧俠的XL-Flash目前為止還沒有量產(chǎn),之前的消息說是2020年才會大規(guī)模量產(chǎn),看樣子還得等等。

責任編輯:wv

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