近日三星宣布，他們將在2021年正式開始量產DDR5內存，并且使用EUV工藝，制作將會在韓國平澤的新工廠進行。

EUV光刻和現在常用的DUV光刻不同，它使用波長短得多的極紫外光，這就讓更精細的光刻成為可能，允許制作更小的晶體管，提升工藝水平，并提升生產效率；三星預計，使用EUV工藝生產DDR5內存，其12英寸D1a晶圓的生產效率會比舊有的D1x工藝的生產力提升一倍，讓產能不再是問題。

此外，三星還宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內存已經出貨了100萬了，而旗下第四代10nm級（D1a）DRAM或高端14nm級DRAM在未來也會全面導入EUV技術，明年會使用D1a工藝大規模量產DDR5和LPDDR5芯片，預計會使12英寸晶圓廠的生產效率翻倍。

DDR5內存的標準是在2019年發布的，標準帶寬是32 GBps，此前Micron則展示了一個DDR5 DRAM的原型，這塊DDR5演示模型速率達到了4400 MT/s，根據JEDEC組織的roadmap顯示，未來DDR5內存的最高頻率可以達到6400 MT/s。

根據英特爾和AMD的路線圖，各自下一代服務器產品Ice Lake-SP Xeon和EPYC Milan（Zen3）還都是只支持DDR4內存了，在往后的Sapphire Rapids Xeon和EPYC Genova才會獲得對DDR5內存的支持，但全都要道2021年以后。至于民用消費級平臺何時能夠普及DDR5，那是更有的等了。

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