據(jù)外媒報道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。
三星方面也已經(jīng)表示，2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，并且使用EUV工藝，制作將會在韓國平澤的新工廠進行，三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。
三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復步驟，并提高了光刻的準確度，從而提高性能、提高產(chǎn)量，并縮短了開發(fā)時間。三星估計，使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。
據(jù)悉，三星第四代10nm級（D1a）DRAM或高端14nm級DRAM開始全面導入EUV技術(shù)，明年會使用D1a工藝大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5芯片，預計會使12英寸晶圓廠的生產(chǎn)效率翻倍。
DDR5內(nèi)存的標準是在2019年發(fā)布的，標準帶寬是32GBps，至于這個內(nèi)存更多的細節(jié)，目前還不清楚。
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