EPFL研究人員已經開發出一種比當今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。他們發明的納米級設備能夠產生高功率太赫茲波。這位科學家說,眾所周知,這些波很難產生。由于很難產生這種波,因此它有著廣泛的應用前景,包括成像或傳感以及高速無線通信。
研究人員還說,該裝置的高功率皮秒操作有望用于先進的醫療技術,包括癌癥治療。太赫茲波在電磁頻譜中介于微波和紅外輻射之間,以每秒10億至30萬億次的頻率振蕩。太赫茲波因其獨特的特性而受到追捧,包括穿透紙張、衣物、木材和墻壁的能力。
這些電波還能夠攜帶數據,這可能為更快的無線通信打開了大門。這些波也是非電離的,不會對人體健康造成危害。科學家們創造的技術可以安裝在芯片上,也可以是柔性介質,有朝一日可以安裝在智能手機或其他手持設備上。所描述的設備是緊湊和廉價的,能夠在短時間內從一個微小的源產生高強度的波。
它通過在10皮秒范圍內產生從10V到100V的電壓尖峰來產生“火花”。該設備每秒可以接受多達5000萬個信號,從而以近乎連續的方式產生火花。結構包括一對金屬板,它們之間的距離接近20納米。通過向其中一塊板施加電壓電子浪涌形成納米等離子體。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
相關推薦
11月7日,有報道稱,美國麻省理工學院的研究團隊利用超薄半導體材料,成功開發出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽為迄今為止最小的3D晶體管,其性能與功能不僅與現有的硅基
發表于 11-07 13:43
?358次閱讀
智能手機網絡連接速度的5000倍。典型的5G運行速度約為200Mbps,而在實際使用中,由于信號連接問題,其提供的速度往往遠低于100Mbps。
發表于 10-22 16:27
?529次閱讀
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發表于 09-13 14:10
?3115次閱讀
兩級AD603放大電路不能放大到所需值,最大十倍,這是為什么,用1M歐的示波器測得,沒加功率放大級???
發表于 09-04 06:48
晶體管時間繼電器,作為一種關鍵的電子控制元件,在現代自動化控制系統、通信系統以及工業生產中扮演著重要角色。其利用晶體管的特性實現時間延遲控制,具有結構簡單、響應速度快、工作可靠等優點。
發表于 08-23 15:43
?705次閱讀
我想知道BFR840L3RHESD晶體管是否可以用來放大nA級電流。如果該晶體管不合適,是否有其他晶體管可以實現這一目標,或者是否無法使用晶體管
發表于 07-23 07:40
中圖儀器利用納米顯微測量技術,提供白光干涉儀和共聚焦顯微鏡等高精度測量設備,服務于半導體、電子、科研等領域,推動納米級材料尺寸測量的技術發展和行業應用。
發表于 07-12 15:32
?1131次閱讀
晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優點,廣泛應用于各種電子設備和系統中。 工作原理
發表于 06-28 09:13
?607次閱讀
OZ003是一款1080P支持十倍光學變焦的高清攝像頭模組。由索尼200萬像素高性能感光芯片,以及集成了高性能的ISP圖像處理模塊和視頻壓縮編碼器的SoC芯片組成。具備優異的圖像處理能力、極高
發表于 05-11 16:34
?458次閱讀
咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產品里就像是繼電賽跑的選手,開關的速度決定了電子設備的快慢。那么,如何才能提高晶體管的開關速
發表于 04-03 11:54
?679次閱讀
晶體管放大時,各級電位狀態是指在放大電路中,不同級別的晶體管的電位狀態。晶體管放大電路由多級晶體管組成,每個晶體管負責一個級別的放大,以增強
發表于 02-27 16:51
?1168次閱讀
達林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達林頓對(Darlington Pair),是由兩個或更多個雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復合結構。通過這種結構,第一個雙極性晶體管放大的電流
發表于 02-27 15:50
?5306次閱讀
在其內部移動的時間越短,從而提高開關速度。因此,隨著技術的進步,晶體管的尺寸不斷縮小。例如,從70納米(nm)縮小到現在的7納米。 2. 新材料:研究人員一直在研究新材料,以替代傳統的
發表于 01-12 11:18
?1259次閱讀
IBM突破性研發的納米片晶體管,通過將硅通道薄化切割為納米級別的薄片,再用柵極全方位圍繞,實現更為精準控電。此結構使得在指甲蓋大小空間內可容納最多達500億個晶體管,并且經過液氮冷卻處
發表于 12-26 14:55
?734次閱讀
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道
發表于 12-26 10:12
?636次閱讀
評論