(文章來源:cnBeta)
EPFL研究人員已經開發出一種比當今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。他們發明的納米級設備能夠產生高功率太赫茲波。這位科學家說,眾所周知,這些波很難產生。由于很難產生這種波,因此它有著廣泛的應用前景,包括成像或傳感以及高速無線通信。
研究人員還說,該裝置的高功率皮秒操作有望用于先進的醫療技術,包括癌癥治療。太赫茲波在電磁頻譜中介于微波和紅外輻射之間,以每秒10億至30萬億次的頻率振蕩。太赫茲波因其獨特的特性而受到追捧,包括穿透紙張、衣物、木材和墻壁的能力。這些電波還能夠攜帶數據,這可能為更快的無線通信打開了大門。這些波也是非電離的,不會對人體健康造成危害。科學家們創造的技術可以安裝在芯片上,也可以是柔性介質,有朝一日可以安裝在智能手機或其他手持設備上。所描述的設備是緊湊和廉價的,能夠在短時間內從一個微小的源產生高強度的波。
它通過在10皮秒范圍內產生從10V到100V的電壓尖峰來產生“火花”。該設備每秒可以接受多達5000萬個信號,從而以近乎連續的方式產生火花。結構包括一對金屬板,它們之間的距離接近20納米。通過向其中一塊板施加電壓電子浪涌形成納米等離子體。
(責任編輯:fqj)
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
相關推薦
11月7日,有報道稱,美國麻省理工學院的研究團隊利用超薄半導體材料,成功開發出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽為迄今為止最小的3D晶體
發表于 11-07 13:43
?358次閱讀
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發表于 09-13 14:10
?3138次閱讀
晶體管和場效應管是兩種非常重要的電子控制器件,它們在現代電子技術中發揮著關鍵作用。 一、晶體管 晶體管的工作原理
發表于 08-01 09:14
?530次閱讀
晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子設備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發射極之間的電流,來控制集電極和發射極之間的電流。晶
發表于 07-18 18:15
?1491次閱讀
PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應,PNP晶體管的結構特點在于其三個不同的半導體
發表于 07-01 17:45
?2485次閱讀
和 107 的開/關電流比,與早期 n 型氧化物薄膜晶體管的關鍵電氣屬性非常相似。此外,薄膜晶體管在長時間偏置應力下表現出顯著的穩定性以及大面積薄膜的均勻性。 圖源:浦項工科大學 研究人員合作開發了碲硒復合氧化物半導體材料。他們
發表于 04-30 14:58
?489次閱讀
隨著晶體管變得越來越小,以便在更小的占地面積內容納更多的計算能力。一個由英國、加拿大和意大利研究人員組成的團隊開發了一種利用量子效應的單分子晶體管,利用量子干涉來控制電子流。
發表于 04-08 11:40
?621次閱讀
咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產品里就像是繼電賽跑的選手,開關的速度決定了電子設備的快慢。那么,如何才能提高晶體管的開關速度呢?來一探究竟。如果把
發表于 04-03 11:54
?681次閱讀
晶體管并聯時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R
發表于 01-26 23:07
賦予它們新的能力,例如直接對環境或人體做出反應的能力。 在一項新研究中,研究人員嘗試在晶體管中使用蠶絲。"這項研究的資深作者、馬薩諸塞州梅德福塔夫茨大學應用物理學家Fiorenzo O
發表于 01-22 19:47
?264次閱讀
受人腦的啟發,研究人員開發出了一種新的突觸晶體管,它可以像人腦一樣同時處理和存儲信息,進行更高層次的思考。
發表于 01-13 11:12
?707次閱讀
在其內部移動的時間越短,從而提高開關速度。因此,隨著技術的進步,晶體管的尺寸不斷縮小。例如,從70納米(nm)縮小到現在的7納米。 2. 新材料:研
發表于 01-12 11:18
?1259次閱讀
晶體管是一種常用的電子器件,用于放大和控制電信號。判斷晶體管的一種常見方法是根據管腳電位來識別晶體管的類型和狀態。本文將詳細介紹如何根據管腳電位來判斷
發表于 01-09 17:29
?2398次閱讀
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場效應晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設計方式與雙極晶體管電路的設計方式大不相同。
發表于 01-09 15:38
?897次閱讀
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道
發表于 12-26 10:12
?636次閱讀
評論