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物聯網ram繼承PSRAM的積極特性

潘霞 ? 2020-04-04 14:28 ? 次閱讀

IoT RAM即是物聯網RAM,是基于PSRAM技術的技術,它增加了其他接口選項,例如大多數MCU/FPGA使用的低引腳數Flash SPI接口,以及SoC需要的易于使用的系統級封裝(SiP)選項比內部SRAM更大的內存。

物聯網ram繼承了PSRAM的積極特性-結合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術,該接口簡化了產品設計,與SRAM相比降低了產品成本(降低了10倍),并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時間;也可以從待機模式瞬時喚醒;IoT RAM還允許超低電流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取決于密度。密度越高,固定功率開銷趨勢就越低。

圖1 IoT RAM在需要擴展內存的IoT/嵌入式應用程序中占據了最佳中間地帶

由于PSRAM解決了與IoT/嵌入式應用中類似的設計約束,因此可以在功能電話產品中找到一席之地。物聯網RAM基于PSRAM并通過低引腳數SPI或SiP選項進行接口,是需要性能,低成本和響應性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數的SPI接口,可以進一步提高基于MCU/SoC/FPGA的設備的系統成本效率。

AP Memory具有成本效益的IoT RAM解決方案與大多數MCU/SoC/FPGA隨附的SPI接口兼容,包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通過“系統級封裝”(SiP)選項,AP內存啟用了“超越摩爾”,這是增加系統內存的另一種方法。業界領先的半導體供應商AP Memory授權英尚微電子成為其核心一級代理商,提供的IoT RAM器件具有高速,低引腳數接口,它最適合于低功耗和低成本便攜式應用。

AP Memory IoT RAM型號表

Density Part Number Interface Organization Data rate (Mbps) Voltage (V) Package
256Mb APS256xx CellularRAM PSRAM x16 ADMUX 333 1.8 54ball FBGA
128Mb APS12808x-xx Octal SPI PSRAM x8 Octal SPI 400 1.8 By request
128Mb APS12808x-3xx Octal SPI PSRAM x8 Octal SPI 266 3 By request
128Mb APS128xx CellularRAM PSRAM x16 ADMUX 333 1.8 54ball FBGA
64Mb APS6404x-xx Quad SPI PSRAM x4 Quad SPI 266 1.8 APS6404x-xx-SN/ZR
64Mb APS6404x-3xx Quad SPI PSRAM x4 Quad SPI 266 3 APS6404x-3xx-SN/ZR
64Mb APS6408x-xx Octal SPI PSRAM x8 Octal SPI 400 1.8 APS6408x-xx-BA
64Mb APS6408x-3xx Octal SPI PSRAM x8 Octal SPI 266 3 APS6408x-3xx-BA
64Mb APS64xx CellularRAM PSRAM x16 ADMUX 333 1.8 54ball FBGA
32Mb APS3208x-xx Octal SPI PSRAM x8 Octal SPI 400 1.8 By request
32Mb APS3208x-3xx Octal SPI PSRAM x8 Octal SPI 266 3 By request
32Mb APS32xx CellularRAM PSRAM x16 ADMUX 333 1.8 54ball FBGA
16Mb APS1604x-xx Quad SPI PSRAM x4 Quad SPI 288(SDR)/333(DDR) 1.8 APS1604x-xx-SN/ZR
16Mb APS1604x-3xx Quad SPI PSRAM x4 Quad SPI 288(SDR)/333(DDR) 3 APS1604x-3xx-SN/ZR

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