(文章來(lái)源:樂(lè)晴智庫(kù))
從供應(yīng)鏈獲悉,華為舉行的2020年春季發(fā)布會(huì)上,發(fā)布了一款充電器新品(單品),功率65W。這款充電器屬于GaN(氮化鎵)類型,支持雙口(Type-C和A)模式,能給手機(jī)和平板充電。
氮化鎵是未來(lái)最具增長(zhǎng)潛質(zhì)的化合物半導(dǎo)體,能迅速應(yīng)用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線充電等領(lǐng)域。與GaAs和InP等高頻工藝相比,氮化鎵器件輸出的功率更大;與LDCMOS和SiC等功率工藝相比,氮化鎵的頻率特性更好。
氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為最成熟的第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev),其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。氮化鎵、碳化硅能過(guò)夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性,在軍事、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。
氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子速率大、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。其目前主要用于功率器件領(lǐng)域,未來(lái)在高頻通信領(lǐng)域也將有極大應(yīng)用潛力。
在氮化鎵快充方面,繼ANKER、AUKEY、RAVPower之后,OPPO、小米和華為陸續(xù)推出氮化鎵快充,同時(shí)2020年CES展共30家廠商推出60款氮化鎵快充,氮化鎵快充憑借自身的大功率、低體積優(yōu)勢(shì),未來(lái)或成為手機(jī)標(biāo)配,同時(shí)適配筆記本電腦,為出行“減負(fù)”。
目前氮化鎵通過(guò)其高頻開(kāi)關(guān)速度特性,提升電源轉(zhuǎn)化效率,降低充電頭發(fā)熱,幫助充電器小型化。因此GaN充電器同等功率下體積更小,同等體積下功率更大。
在射頻器件領(lǐng)域,目前LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)、GaAs(砷化鎵)、GaN(氮化鎵)三者占比相差不大,但據(jù)Yoledevelopment預(yù)測(cè),至2025年,砷化鎵市場(chǎng)份額基本維持不變的情況下,氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額,占據(jù)射頻器件市場(chǎng)約50%的份額。
目前氮化鎵器件有三分之二應(yīng)用于軍工電子,如軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域;在民用領(lǐng)域,氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。
基站建設(shè)將是氮化鎵市場(chǎng)成長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力之一。Yoledevelopment數(shù)據(jù)顯示,2018年,基站端氮化鎵射頻器件市場(chǎng)規(guī)模不足2億美元,預(yù)計(jì)到2023年,基站端氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模將超5億美元。氮化鎵射頻器件市場(chǎng)整體將保持23%的復(fù)合增速,2023年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)13億美元。
全球每年新建約150萬(wàn)座基站,未來(lái)5G網(wǎng)絡(luò)還將補(bǔ)充覆蓋區(qū)域更小、分布更加密集的微基站,對(duì)GaN器件的需求量將大幅增加。此外,國(guó)防市場(chǎng)在過(guò)去幾十年里一直是氮化鎵開(kāi)發(fā)的主要驅(qū)動(dòng)力,目前已用于新一代空中和地面雷達(dá)。
隨著5G高頻通信的商業(yè)化,氮化鎵將在電信宏基站、真空管在雷達(dá)和航空電子應(yīng)用中占有更多份額。氮化鎵基站PA的功放效率較其他材料更高,因而能節(jié)省大量電能,且其可以幾乎覆蓋無(wú)線通訊的所有頻段,功率密度大,能夠減少基站體積和質(zhì)量。
氮化鎵器件在消費(fèi)電子領(lǐng)域的滲透成長(zhǎng)還有相當(dāng)大的空間,雖然目前供應(yīng)鏈主要集中在美系和歐洲企業(yè),隨著國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈成熟和替代力度加大,國(guó)內(nèi)相關(guān)公司也會(huì)有參與機(jī)會(huì)。除了快充應(yīng)用外,氮化鎵在射頻端也有望加速放量。
(責(zé)任編輯:fqj)
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